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表面物理与化学国家重点实验室开放基金

作品数:45 被引量:110H指数:7
相关作者:张鹏程冯威刘天伟朱正和刘颖更多>>
相关机构:中国工程物理研究院表面物理与化学重点实验室四川大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金教育部“新世纪优秀人才支持计划”四川省教育厅科学研究项目更多>>
相关领域:金属学及工艺一般工业技术理学化学工程更多>>

文献类型

  • 45篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 21篇金属学及工艺
  • 16篇一般工业技术
  • 11篇理学
  • 7篇化学工程
  • 2篇自动化与计算...
  • 1篇冶金工程
  • 1篇航空宇航科学...

主题

  • 6篇磁控
  • 6篇磁控溅射
  • 5篇等离子
  • 5篇溅射
  • 5篇PARYLE...
  • 5篇
  • 4篇镀层
  • 4篇氢气
  • 4篇合金
  • 4篇分子材料
  • 4篇高分子
  • 4篇高分子材料
  • 4篇PD
  • 3篇等离子体
  • 3篇多孔
  • 3篇水蒸气
  • 3篇稀土
  • 3篇铝镀层
  • 3篇耐腐蚀
  • 3篇合金表面

机构

  • 27篇中国工程物理...
  • 12篇表面物理与化...
  • 11篇四川大学
  • 4篇井冈山大学
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  • 2篇武汉理工大学
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  • 1篇河南大学
  • 1篇清华大学
  • 1篇重庆大学

作者

  • 7篇张鹏程
  • 6篇冯威
  • 5篇刘天伟
  • 5篇朱正和
  • 5篇连利仙
  • 5篇刘颖
  • 4篇龚伟平
  • 4篇张莉
  • 4篇王庆富
  • 4篇蒙大桥
  • 4篇彭丽霞
  • 4篇徐瑞娟
  • 4篇王建华
  • 4篇罗文浪
  • 4篇阮文
  • 4篇曹琼华
  • 3篇田修波
  • 3篇傅依备
  • 3篇李春伟
  • 3篇刘婷婷

传媒

  • 10篇稀有金属材料...
  • 4篇真空科学与技...
  • 3篇矿冶工程
  • 3篇四川大学学报...
  • 3篇原子能科学技...
  • 2篇光子学报
  • 2篇中国稀土学报
  • 2篇材料导报(纳...
  • 1篇粉末冶金技术
  • 1篇化工新型材料
  • 1篇金属学报
  • 1篇物理学报
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  • 1篇强激光与粒子...
  • 1篇功能材料
  • 1篇物理化学学报
  • 1篇真空
  • 1篇材料工程

年份

  • 1篇2020
  • 1篇2015
  • 1篇2014
  • 5篇2013
  • 4篇2012
  • 8篇2011
  • 4篇2010
  • 10篇2009
  • 9篇2008
  • 3篇2007
45 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
铍表面溅射沉积钒镀层研究
2012年
采用磁控溅射法在热等静压成形铍基底表面进行了钒镀层的沉积,并通过SEM、AFM、XRD对钒镀层的微观组织结构进行了分析;为了研究铍/钒镀层界面在高温环境下的互扩散性能,对沉积后的涂层进行了热等静压(HIP)处理。结果表明:采用磁控溅射法可以在铍表面获得结合良好、结构致密的纯钒镀层,镀层晶粒尺寸约为175nm,在垂直于基底表面内为柱状生长。热等静压处理后铍基底和钒镀层间发生了扩散,扩散层厚度约为1μm,并且形成了金属间化合物Be12V。
秦建伟帅茂兵陈林杨维才
关键词:磁控溅射热等静压
半圆形容器等离子体源离子注入过程中离子动力学的两维PIC计算机模拟被引量:8
2008年
利用两维particle-in-cell方法研究了半圆形容器表面等离子体源离子注入过程中鞘层的时空演化规律.详尽考察了鞘层内随时间变化的电势分布和离子密度分布规律,离子在鞘层中的运动轨迹和运动状态,得到了半圆容器内、外表面和边缘平面上各点离子注入剂量分布规律,获得了工件表面各点注入离子的入射角分布规律.研究结果揭示了半圆容器边缘附近鞘层中离子聚焦现象,以及离子聚焦现象导致工件表面注入剂量分布和注入角度分布存在很大不均匀的基本物理规律.
刘成森王德真刘天伟王艳辉
关键词:鞘层
直流偏压对铝合金表面高功率脉冲磁控溅射沉积钒薄膜耐蚀性的影响被引量:4
2013年
采用高功率脉冲磁控溅射(HPPMS)法,在工业纯铝基体上生长得到V薄膜,研究不同直流偏压对薄膜相结构、形貌及不同温度处理对耐蚀性的影响。结果表明,薄膜相结构为单一的V(111)相。薄膜表面光滑、平整,且随偏压的增大,薄膜表面粗糙度先减小后增大,最小仅为0.488nm。薄膜沉积过程中离子吸引效应和溅射效应的竞争导致薄膜沉积速率随着偏压的增大先减小后增大。20℃时镀V薄膜样品在偏压为-100V时耐蚀性最佳,其腐蚀电位比基体提高了0.425V,腐蚀电流下降了2个数量级以上。镀V薄膜样品经过200和300℃加热处理后,其耐蚀性提高,但是与基体相比,经200℃处理后的镀V薄膜样品腐蚀电流最大降低了1个数量级,而经300℃处理后的镀V薄膜样品耐蚀性与基体相比提高并不明显。
李春伟田修波刘天伟秦建伟巩春志杨士勤
关键词:铝合金耐蚀性
Ce-10La合金在水蒸气中的表面气相反应结构特征研究
2010年
研究了Ce-10La合金(原子分数)在100℃水蒸气中的表面气相反应行为,描述并探讨了合金在气化过程中表面层组织结构和形貌的演变规律,讨论了氢气的存在对Ce-10La合金与水蒸气表面反应的影响。结果表明,Ce-10La合金在水蒸气中被迅速氧化为Ce2O3,并被进一步氧化为CeO2,形成疏松的表面层,但经过2 h的反应后Ce-10La合金仍可保持块体形状。在100℃水蒸气和氢气混和气氛中,Ce-10La合金优先与水蒸气反应,形成稀土氢氧化物并释放出氢气,氢氧化物遇空气后会部分被氧化为CeO2。氢气的存在降低合金与水蒸气的反应速度和反应程度。
龚伟平刘宇峰
关键词:稀土合金水蒸气
溅射气压对铝合金表面HPPMS沉积钒薄膜摩擦学性能的影响被引量:1
2013年
采用高功率脉冲磁控溅射(HPPMS)技术,在铝合金基体上制备V薄膜。研究溅射气压对V薄膜相结构、表面形貌及摩擦学性能的影响。结果表明:不同气压下制备的V薄膜中的V相仅沿(111)晶面生长,其衍射峰强度先增强后减弱,当气压为0.5Pa时,衍射峰最强且择优取向最明显;同时,V薄膜表面质量最好,其表面粗糙度最小仅为0.267nm。室温下V薄膜样品的耐磨性能与基体相比有大幅提高,当气压为0.5Pa时,摩擦系数可由基体的0.57下降到0.28,磨痕表面无明显的剥落迹象,表现出最佳的摩擦磨损性能。经过200和300℃加热处理后的V薄膜样品的摩擦系数与基体相比具有稳定的低值,这是由于表面氧化造成的。
李春伟田修波刘天伟秦建伟巩春志杨士勤
关键词:溅射气压
金属钯CO中毒机理的热力学研究被引量:1
2009年
采用密度泛函方法和相对论有效原子实势分别对PdCO、PdOC及PdH的几何构型进行了优化,得到PdCO和PdOC分子电子状态均为(X^1 ∑^+),对于PdCO分子,R_(PdC)=0.1834 nm,R_(CO)=0.1140 nm,∠PdCO=180°;对于PdOC分子,R_(PdO)=0.2157 nm,R_(CO)=0.1133,nm,∠PdOC=180°;PdH分子基态为~2∑,R_(PdH)=0.1526 nm。根据电子-振动近似理论计算了不同温度下金属Pd与CO及H_2分子反应的生成热力学函数,导出了反应平衡压力随温度的变化关系,分析认为CO引起Pd合金膜中毒主要是由于CO的C原子与Pd原子结合而使CO分子吸附在膜表面所致。
阮文罗文浪张莉蒙大桥朱正和傅依备
关键词:PDH热力学函数中毒
CO_2毒化对Pd膜表面状态与氢同位素渗透性能的影响
2011年
在不同温度的CO2气氛中对Pd膜进行了毒化,将毒化后的Pd膜与氢气反应并测试其氢同位素渗透性能。采用XPS、SEM等检测了CO2在不同温度下对Pd膜毒化后的表面成分与形貌,并对比分析了吸氢前、后的Pd膜表面状态的变化,得出了CO2对Pd膜表面状态的影响规律,探讨了CO2气体的毒化机理。结果表明,CO2分子在Pd表面会解离成为C=O,C-O与O原子,随着温度升高,C=O减少,而C-O与O原子含量增加。当CO2毒化温度达到500℃时,Pd表面会生成PdO并伴有微孔出现,而C-O随温度升高能够稳定吸附于Pd表面。毒化后的试样在常温下进行吸氢反应后表面PdO消失,吸附O含量减少,多孔形貌得到改变。CO2毒化后,由于C-O与O原子在Pd表面吸附并占据了Pd膜表面的氢解离位,从而导致Pd膜透氘能力下降。
冯威刘颖连利仙彭丽霞李军饶永初
关键词:PD膜CO2
激光分子束外延生长高质量的CeO2薄膜
采用激光分子束外延技术,用金属铈靶在通入氧气气氛条件下,在SrTiO基片上外延生长CeO薄膜,反射式高能电子衍射仪(RHEED)进行原位观测发现,外延CeO薄膜的衍射图像为清晰的线条,表明薄膜的生长模式为层状生长。原子力...
陈军葛芳芳张洪量王雪敏
关键词:激光分子束外延反射高能电子衍射
文献传递
溶胶凝胶法制备Pt/WO_3氢气敏感材料的研究被引量:4
2012年
采用溶胶凝胶法制备纳米级WO3,掺杂不同含量的氯铂酸并混合搅拌均匀,再进行热处理,将所得粉体均匀涂覆在光纤光栅周围,制备出具有氢敏特性的光纤光栅传感器.实验中,通过改变氯铂酸掺杂量和热处理温度并进行XRD物相分析得:随着Pt∶W的降低以及热处理温度的升高,WO3的结晶度不断提高;通入不同浓度的氢气对传感器进行氢敏性能测试发现,经过300℃热处理,Pt∶W为1∶9时,对4%浓度的氢气能达到15s的响应速度,最高有140pm的中心波长变化,多次重复通氢气,重复性良好;当热处理温度达到500℃时,材料对氢气已经不敏感.
杨志杨明红代吉祥曹坤廖汉生张鹏程
关键词:离子交换光纤光栅
基于WO_3-Pd复合膜的D型光纤光栅氢气传感器被引量:8
2011年
采用磁控溅射方法在侧边抛磨的光纤光栅(D型光纤光栅)上溅射40 nm WO3-Pd复合薄膜,制作了D型光纤光栅氢气传感器.40 nm WO3-Pd复合薄膜是由5 nm的WO3、5 nm的WO3/Pd混合膜和30 nm的Pd薄膜组成.实验中,首先采用射频溅射技术向D型光纤光栅溅射5 nmWO3薄膜,再利用共溅射技术溅射5 nm WO3/Pd混合膜,最后用直流溅射技术溅射30 nm的Pd薄膜.SEM结果显示在多次通氢气后WO3-Pd薄膜仍然具有较好的表面形貌,这说明WO3-Pd复合薄膜具有较好的机械性能.实验结果表明:该氢气传感器具有较好的重复性,同镀有同样氢气敏感膜的普通FBG相比,D型光纤光栅的灵敏度提高了200%;在氢气体积浓度为6%时,D型光纤光栅传感器的波长变化为15pm.
代吉祥杨明红程芸曹坤廖俊生张鹏程
关键词:磁控溅射氢气传感器
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