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西安应用材料创新基金(XA-AM-200707)

作品数:6 被引量:35H指数:3
相关作者:刘诗斌冯勇张慕辉刘昭元唐秀清更多>>
相关机构:西北工业大学桂林电子科技大学更多>>
发文基金:西安应用材料创新基金西北工业大学基础研究基金国家自然科学基金更多>>
相关领域:自动化与计算机技术电子电信一般工业技术更多>>

文献类型

  • 6篇中文期刊文章

领域

  • 3篇自动化与计算...
  • 2篇电子电信
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 2篇电路
  • 2篇感器
  • 2篇传感
  • 2篇传感器
  • 1篇带隙基准
  • 1篇电流开关
  • 1篇电流源
  • 1篇电路研究
  • 1篇运算放大器
  • 1篇滞回
  • 1篇软磁
  • 1篇数字滤波
  • 1篇热保护
  • 1篇温度系数
  • 1篇温度性能
  • 1篇滤波
  • 1篇罗差
  • 1篇跨导
  • 1篇基准电流源
  • 1篇硅基

机构

  • 6篇西北工业大学
  • 1篇桂林电子科技...

作者

  • 6篇刘诗斌
  • 2篇冯勇
  • 2篇唐秀清
  • 2篇张慕辉
  • 2篇刘昭元
  • 1篇张程煜
  • 1篇梁晋涛
  • 1篇崔智军
  • 1篇叶侃

传媒

  • 2篇计算机测量与...
  • 1篇稀有金属材料...
  • 1篇电子技术应用
  • 1篇仪表技术与传...
  • 1篇传感技术学报

年份

  • 1篇2010
  • 3篇2009
  • 2篇2008
6 条 记 录,以下是 1-6
排序方式:
一种恒定跨导轨到轨CMOS运算放大器的设计被引量:3
2008年
设计了一种工作电压为3.3V恒定跨导轨到轨CMOS运算放大器,针对轨到轨输入级中存在的跨导不恒定问题,提出利用电流开关解决这一问题的方法;输出级采用前馈AB类控制的rail-to-rail输出和级联密勒补偿,保证了该运放有大的动态输出范围和较强的驱动负载能力以及好的频率特性。
唐秀清刘诗斌冯勇
关键词:轨到轨恒定跨导电流开关
具有滞回功能的过温保护电路被引量:18
2009年
在分析现有过温保护电路的基础上,针对电路结构复杂、功耗较高、受工艺参数影响较大等缺点提出了一种采用BiCMOS工艺的过温保护电路,电路中不使用电阻和迟滞比较器,通过简单正反馈实现温度的迟滞特性来避免热振荡对芯片带来的危害。采用0.6μm BiCMOS工艺的HSPICE仿真结果表明,该电路能很好地抑制由于电源电压和工艺参数变化造成的热关断阈值点的漂移,适用于各种芯片。
张慕辉刘诗斌冯勇
关键词:过热保护BICMOS
一种新颖的受工艺参数影响较小的基准电流源
2008年
针对传统电流源受工艺参数影响较大的问题,提出了一种利用电压差平方电路来解决这个问题的思路;设计了一种新颖的受工艺参数影响较小的基准电流源电路,该电路采用0.6μm的BiCMOS工艺设计,利用Hspice进行仿真验证;结果表明,该电路在典型边界条件下-40℃~85℃范围内输出基准电流温度系数为17ppm/℃,变化率约0.2%,在6种不同边界条件下输出基准电流变化约为±1.72%。
张慕辉刘诗斌唐秀清叶侃
关键词:带隙基准基准电流源
基于DSP的数字磁通门传感器设计被引量:14
2009年
针对传统磁通门传感器模拟电路受温度影响较大的问题,设计了一种基于DSP的数字式闭环磁通门传感器。传感器的模拟电路由AD转换器、DSP和DA转换器取代,滤波、相敏整流和积分等关键环节采用DSP软件编程实现,模拟电路的减少增强了系统的稳定性。传感器的精度和稳定性主要取决于位于反馈回路的DA转换器,采用高分辨率、高稳定的DA转换器芯片可有效提高传感器的温度性能。详细介绍了该磁通门传感器系统的硬件结构、软件设计和实验结果。结果显示:系统零点温度系数为8.9×10-7/℃,灵敏度温度系数为3.9×10-6/℃,25℃时线性度达到了9.4×10-5。
刘昭元刘诗斌
关键词:数字滤波温度系数罗差
一种磁通门相敏整流电路研究
2009年
由单个运算放大器和单个模拟电子开关组成的相敏整流电路,具有电路简单,成本低的特点,常用于磁通门传感器处理电路中;由于电路结构的非对称性,在实际应用中其温度性能相对较差;文章在分析模拟电子开关导通和关断等效电阻对电路输入输出关系影响的基础上,提出了一种由单个运算放大器和两个模拟电子开关组成的对称相敏整流电路;在电路复杂程度增加不大的情况下,能较好地提高温度性能;实验结果表明:从-40~80℃的温度变化范围内,改进前电路零点漂移为65μV,改进后电路零点漂移只有6μV。
刘诗斌刘昭元崔智军
关键词:磁通门传感器温度性能
硅基微磁通门非晶Fe_(96)Nb_4铁芯薄膜的研究被引量:1
2010年
采用磁控溅射法制备一种适合用于硅基微磁通门的新型非晶Fe96Nb4软磁铁芯薄膜,并利用X射线衍射仪、扫描电子显微镜、振动样品磁强计测试薄膜的相组成、表面形貌、和磁滞回线,用双铁芯磁通门探头线圈对制作的铁芯薄膜进行试验。结果表明:随制备温度的升高,薄膜的缺陷明显减小,软磁性能显著改善。基片温度为630K时制作的硅基Fe96Nb4铁芯薄膜的性能适合用于微磁通门铁芯材料。
梁晋涛刘诗斌张程煜
关键词:软磁
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