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浙江省自然科学基金(M103033)

作品数：1 被引量：3H指数：1
相关作者：郑丁葳赵强倪晟袁先漳王基庆更多>>
相关机构：华东师范大学温州大学中国科学院更多>>
发文基金：浙江省自然科学基金国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇电阻率
  • 1篇溅射
  • 1篇反应溅射
  • 1篇ZNO薄膜

机构

  • 1篇华东师范大学
  • 1篇中国科学院
  • 1篇温州大学

作者

  • 1篇孙艳
  • 1篇王基庆
  • 1篇袁先漳
  • 1篇倪晟
  • 1篇赵强
  • 1篇郑丁葳

传媒

  • 1篇压电与声光

年份

  • 1篇2007
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
掺杂Al对DC反应溅射ZnO薄膜的影响被引量：3
2007年
采用金属单质靶和直流反应溅射制备了不同Al含量(摩尔分数)掺杂的ZnO薄膜,得到的薄膜均为c-轴择优取向的纤锌矿结构,在可见波段具有很高的透过率。薄膜的晶面间距、光学折射率和带隙在掺Al的起始阶段变化很大,待Al掺杂量达到一定值后,光学折射率和带隙的变化不大,薄膜的晶面间距趋于一稳定值0.266 nm。分析表明掺杂的Al均作为施主对载流子浓度作出了贡献,影响薄膜导电性能的主要原因被推断为晶格中的缺陷等因素导致了载流子的局域束缚。
赵强孙艳郑丁葳倪晟王基庆袁先漳
关键词：ZNO薄膜电阻率反应溅射
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