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排序方式：

额外HCl和氮化对HVPE GaN生长的影响被引量：6: 2003年; 在氢化物气相外延 (HVPE)生长 Ga N过程中 ,发现了一种在成核阶段向生长区添加额外 HCl来改善 Ga N外延薄膜质量的方法 ,并且讨论了额外 HCl和氮化对 Ga N形貌和质量的影响 .两种方法都可以大幅度地改善 Ga N的晶体质量和性质 ,但机理不同 .氮化是通过在衬底表面形成 Al N小岛 ,促进了衬底表面的成核和薄膜的融合 ;而添加额外; 修向前张荣李杰卢佃清毕朝霞叶宇达俞慧强郑有炓; 关键词：GAN 氮化

Mn^+离子注入的GaN薄膜的光学性质及其磁性被引量：2: 2003年; 利用离子注入法将磁性离子 Mn+注入到采用金属有机化学气相沉积法制备的 Ga N薄膜中 ,获得了稀磁半导体 (Ga,Mn) N.光致发光谱结果显示由于 Mn的注入 ,使 Ga N中常见的黄带发射被大大抑制 .在反射和吸收光谱中 ,观察到锰引入的新吸收带 ,分析表明该带是由电荷转移过程和锰引入能级 (价带顶上 310 m e V处 )的吸收组成的 .透射光谱显示 (Ga,Mn) N的光学带隙发生了红移 ,计算表明该红移量为 30± 5 m e V.震动样品磁强计的测量结果证实了 Mn掺杂的 Ga N样品在室温下具有铁磁性 .; 李杰张荣修向前卢佃清俞慧强顾书林沈波郑有炓; 关键词：稀磁半导体 GAN薄膜光学性质光致发光谱

In_2O_3纳米线制备及其特性被引量：5: 2006年; 使用管式加热炉成功地制备出In_2O_3纳米线.通过扫描电子显微镜可以看到样品为In_2O_3纳米线;X射线衍射分析证实该材料是立方结构的In_2O_3;X射线光电子谱分析发现该In_2O_3中存在大量氧缺陷;光致发光谱研究显示制得的In_2O_3纳米线有比较强的发光现象,主要集中在紫外光谱区.同时对反应的气相-固相(V-S)生长机理和In_2O_3的光致发光机理进行了详细分析.; 谢自力张荣高超刘斌李亮修向前朱顺明顾书林韩平江若琏施毅郑有炓; 关键词：IN2O3 纳米线 X射线衍射扫描电子显微镜

InN薄膜的退火特性被引量：3: 2006年; 对InN薄膜在氨气氛下的高温退火行为进行了研究.利用XRD,SEM和XPS对样品进行了分析.结果表明,InN薄膜的结晶质量和表面形貌并不随退火温度单调变化.由于高温退火时N原子的挥发,剩下的In原子在样品表面聚集形成In颗粒.当退火温度高于425℃时,In原子的脱吸附作用增加,从而导致样品表面的In颗粒在退火温度高于425℃时逐渐减少.XRD和SEM结果表明In颗粒密度最高的样品具有最差的结晶质量.这种现象可能是由于In颗粒隔离了其下面的InN与退火气氛的接触,同时,金属In和InN结构上的差异也可能在InN中导致了高密度的结构缺陷,从而降低了InN薄膜的结晶质量.; 谢自力张荣修向前毕朝霞刘斌濮林陈敦军韩平顾书林江若琏朱顺明赵红施毅郑有炓; 关键词：INN 热退火 X射线衍射 X射线光电子谱

III族氮化物基的肖特基势垒二极管的研制: 2003年; 研制了三类不同金属和III族氮化物接触的肖特基势垒二极管。测量了器件的电流电压特性。; 俞慧强张荣周玉刚沈波顾书林施毅郑有炓; 关键词：III族氮化物肖特基势垒二极管半导体材料氮化铝势垒高度

ZnAl_2O_4/α-Al_2O_3复合衬底的制备和GaN薄膜的生长: 2002年; 利用脉冲激光淀积法（PLD）在α-Al2O3衬底上淀积了ZnO薄膜,通过ZnO和α-Al2O3固相反应制备了具有ZnAl2O4覆盖层的α-A2O3衬底.X射线衍射谱（XRD）表明ZnAl2O4薄膜随反应时间由单一（111）取向转变为多晶取向,然后变为不完全的（111）择优取向.同时扫描电子显微镜（SEM）照片表明ZnAl2O4表面形貌随反应时间由均匀的岛状结构先变为棒状结构,然后再变为突起的线状结构.另外,XRD谱显示低温制备的ZnAl2O4在高温下不稳定.在ZnAl2O4覆盖的α-Al2O3衬底上利用光加热低压MOCVD法直接生长了GaN薄膜.XRD测量表明随ZnAl2O4厚度增加GaN由c轴单晶变为多晶,单晶GaN的摇摆曲线半高宽为0.4°.结果表明薄ZnAl2O4覆盖层的岛状结构有利于GaN生长初期的成核,从而提高了GaN的晶体质量.; 毕朝霞张荣李卫平王栩生顾书林沈波施毅刘治国郑有炓; 关键词：GAN薄膜 MOCVD X射线衍射谱半导体材料

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国家高技术研究发展计划(2001AA311110)