陕西省自然科学基金(2013JQ8010)
- 作品数：8 被引量：7H指数：2
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- 相关领域：电子电信理学自动化与计算机技术更多>>
- 一种基于两点量子元胞自动机电路的仿真方法
- 2014年
- 针对两点量子元胞自动机在半经典模型下的结构特点,提出了一种基于遗传模拟退火法确定两点量子元胞自动机系统状态的方法。遗传模拟退火法结合了适合全局搜索的遗传算法与适合局部搜索的模拟退火算法两者的优点,既提高了收敛速度,又防止了种群的早熟现象。通过对两点量子元胞自动机的传输线、反相器、扇出以及逻辑门等基本逻辑电路的仿真,验证了该算法的可行性和正确性。
- 汪志春蔡理王森杨晓阔张明亮
- 关键词：仿真逻辑电路
- 两点量子元胞自动机逻辑电路设计与仿真被引量：1
- 2014年
- 择多逻辑门和反相器是量子元胞自动机(QCA)逻辑电路的基本组件。设计了两点量子元胞自动机(两点QCA)的传输线、择多逻辑门和反相器等基本逻辑器件。通过仅在信号沿竖直方向传递需要取反时用到水平放置元胞的设计,使电路布局更加紧凑。利用这些基本逻辑器件完成了一位数值比较器电路的设计。基于两点QCA系统的半经典模型,利用遗传模拟退火法对电路功能进行了仿真。仿真结果显示,两点QCA同样能够有效实现传统四点QCA的功能,而其所需的电子数和量子点数均减少了32.1%,电路集成度提高了49.4%。
- 汪志春蔡理张明亮崔焕卿
- 关键词：反相器
- 空基助推段反导作战仿真研究被引量：2
- 2014年
- 利用空基平台对处于助推段飞行的弹道导弹进行拦截是一种高效的反导拦截方式。在分析空基反导作战过程的基础上,给出了弹道目标的助推段拦截实体模型、侦察监视系统模型、指挥控制系统模型和拦截弹实体模型。最后,对整个拦截作战过程进行了仿真验证。研究成果可为空基反导作战需求的研究提供参考依据。
- 李大喜杨建军李小喜孙鹏
- 关键词：助推段拦截作战仿真
- 量子元胞自动机可逆加法器电路被引量：1
- 2017年
- 可逆逻辑的极低能耗特征使其在低功耗电路、量子计算机等领域具有重要的应用价值.设计了一种新型的三变量可逆逻辑门,可以完成择多计算、异或和同或计算功能.运用量子元胞自动机器件实现了该新型可逆逻辑门,设计了基于量子元胞自动机的可逆加法器电路.仿真结果表明,新设计的可逆逻辑门和加法器电路具有正确的功能.同时,采用新型可逆逻辑门设计的可逆加法器垃圾位及需要门数均减少了.
- 秦涛蔡理杨晓阔
- 关键词：可逆逻辑量子元胞自动机加法器
- 基于交换作用的纳磁逻辑电路片上时钟结构研究被引量：1
- 2014年
- 纳磁逻辑电路具有低功耗、非易失和可常温下制备等优点,实现低功耗片上时钟是其集成化的必备条件.本文提出了一种基于交换作用的纳磁逻辑电路片上时钟结构,用载流铜导线产生的奥斯特场将铁磁体薄膜覆层进行磁化,然后依靠铁磁体层与纳磁体界面存在的交换作用场使后者磁化方向发生翻转.与轭式铁磁体时钟用外磁场控制纳磁体磁化方向相比,该方案在功耗方面降低了5/6,时钟边界杂散场强度降低了2/3,达到降低功耗、减轻串扰的目的.此外,采用微磁仿真进一步验证了该时钟结构上的纳磁体逻辑阵列可以实现逻辑功能.
- 张明亮蔡理杨晓阔秦涛刘小强冯朝文王森
- 基于形状工程的可靠磁性逻辑器件和触发器实现被引量：2
- 2013年
- 纳米级磁性逻辑器件是一种新兴的场耦合计算范例,可用于实现非易失性和极低功耗的磁性逻辑电路.然而,杂散磁场和温度波动热效应阻碍了器件和电路的可靠转换.该文研究了对称缺失等腰三角形特殊形状纳磁体的转换特性,提出了利用这种特殊形状纳磁体实现磁性逻辑器件可靠转换的方法.基于特殊形状纳磁体器件设计了流水线RS触发器时序电路,并采用OOMMF软件进行了性能模拟.结果表明,特殊形状纳磁体实现的基本触发器电路不但能够进行可靠的流水线计算,同时还具有较高的工作温度和良好的按比例缩小特征.
- 杨晓阔蔡理张明亮段小虎王卓
- 关键词：可靠性RS触发器
- 两点量子元胞自动机全加器电路设计
- 2014年
- 针对两点量子元胞自动机在信号沿竖直方向进行取反操作时元胞容易发生翻转的问题,提出了一种将信号沿竖直方向的取反操作转移到水平方向的方法,并将此方法运用到两点量子元胞自动机的异或门结构以及基于此异或门结构的全加器电路的设计。利用遗传模拟退火算法对电路功能进行了仿真,仿真结果验证了该方法的可行性和正确性。与利用传统四点量子元胞自动机设计的全加器电路相比,文中设计的全加器电路所需的电子数和量子点数均减少了25%,电路集成度提高了6.2%。"
- 汪志春蔡理杨晓阔王森
- 关键词：反相器全加器
- 一种奇异形状纳磁体逻辑器件的转换特性
- 2015年
- 研究了出现单个角缺失形状缺陷的纳磁体逻辑器件的转换特性.采用磁学计算软件对该类奇异形状纳磁体逻辑器件在角缺失幅度、纳磁体厚度和磁性材料变化下的首选磁化特性进行了仿真,发现不同材料制备的角缺失型纳磁体逻辑器件其首选逻辑态出现在邻近的临界角缺失幅度上,坡莫合金纳磁体极易受角缺失形状缺陷的影响,镀膜厚度的增加和高饱和磁化材料阻碍了器件首选逻辑态的出现.这些结果为如何控制并应用奇异形状纳磁体逻辑器件的首选磁化特性提供了重要的理论参数.
- 杨晓阔蔡理耿道田康强肖明清
