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国家高技术研究发展计划(2001AA311140)
作品数:
5
被引量:9
H指数:2
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刘俊岐
王占国
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9.0μm GaAs基量子级联激光器的波导优化(英文)
2007年
通过转移矩阵法和有效折射率法计算了9·0μmGaAs基量子级联激光器波导的模式损耗和限制因子,从而对其波导结构进行优化.计算中考虑了各外延层的厚度、脊宽和腔长的影响.给出了在较低阈值下节约材料生长时间的各外延层厚度.
李路
刘峰奇
邵烨
刘俊岐
王占国
关键词:
量子级联激光器
转移矩阵法
有效折射率法
短腔长单模量子级联激光器
2006年
报道了激射波长为5.4和7.84μm的应变补偿In1-xGaxAs/In1-yAlyAs量子级联激光器的单模激射.以高质量的应变补偿量子级联激光器材料为支撑,通过减小FP腔长,开辟实现单模器件的新途径.首次实现阈值电流仅为50mA、腔长为145μm的激射波长在λ≈5.4μm的单模激射和阈值电流仅为80mA、腔长为170μm的激射波长在λ≈7.84μm的单模激射.这是目前InGaAs/InAlAs材料体系最短腔长的边发射量子级联激光器.
刘峰奇
郭瑜
李路
邵晔
刘俊岐
路秀真
王占国
GaAs基量子级联激光器材料结构设计的进展
被引量:5
2004年
GaAs基量子级联激光器的出现,在器件的设计制作和处理工艺上开辟了有意义的前景。本文概述了近年来GaAs基量子级联激光器在波导核心层、波导以及光学谐振腔方面设计的原理、进展,并介绍了一些新颖的结构。
刘俊岐
刘峰奇
车晓玲
黄秀颀
雷文
王占国
关键词:
量子级联激光器
波导
谐振腔
Ga As/Al Ga As量子级联激光器
被引量:3
2005年
利用分子束外延方法生长了激射波长约为 9μm的 GaAs/Al0 45 Ga0 55 As量子级联激光器.条宽 35μm,腔长2mm的器件准连续激射温度最高达120K,81K下未经收集效率修正的峰值功率超过70mW.
刘俊岐
路秀真
郭瑜
刘峰奇
王占国
关键词:
量子级联激光器
分子束外延
7.8μm二级分布反馈量子级联激光器
被引量:2
2005年
报道了基于应变补偿的InP基In0.53+xGa0.47-xAs/In0.52-yAl0.48+yAs分布反馈量子级联激光器.采用二级光栅作为反馈,激射工作波长为7.8μm,在1%占空比,5kHz频率的工作条件下,在93~173K的温度范围内,单模发射光谱边模抑制比均超过20dB,调谐系数dλ/dT=0.5125nm/K.在93K时,峰值功率为30mW,直到153K时,峰值光功率仍达到12mW.
郭瑜
刘峰奇
刘俊岐
路秀真
王占国
关键词:
量子级联激光器
分子束外延
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