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西安应用材料创新基金(XA-AM-200817)

作品数:4 被引量:17H指数:3
相关作者:李卫敏徐洋代国定王悬虞峰更多>>
相关机构:西安电子科技大学中国电子技术标准化研究所更多>>
发文基金:西安应用材料创新基金国家部委预研基金更多>>
相关领域:电子电信更多>>

文献类型

  • 4篇中文期刊文章

领域

  • 4篇电子电信

主题

  • 1篇带隙基准
  • 1篇带隙基准电压
  • 1篇带隙基准源
  • 1篇低电压
  • 1篇低频噪声
  • 1篇电压
  • 1篇噪声系数
  • 1篇增益
  • 1篇设计实现
  • 1篇频率补偿
  • 1篇脉宽调制
  • 1篇内补偿
  • 1篇结型
  • 1篇结型场效应
  • 1篇结型场效应晶...
  • 1篇晶体管
  • 1篇环路
  • 1篇环路增益
  • 1篇基准电压
  • 1篇基准源

机构

  • 4篇西安电子科技...
  • 1篇中国电子技术...

作者

  • 3篇代国定
  • 3篇徐洋
  • 3篇李卫敏
  • 2篇虞峰
  • 2篇王悬
  • 1篇包军林
  • 1篇胡波
  • 1篇崔莹

传媒

  • 2篇电子器件
  • 1篇光电子.激光
  • 1篇信息技术与标...

年份

  • 1篇2010
  • 3篇2009
4 条 记 录,以下是 1-4
排序方式:
结型场效应晶体管低频噪声测试方法研究
2009年
在深入研究JFET低频噪声特性及产生机理的基础上,提出了一种通过测试宽频带功率谱密度得到其规定频率处等效输入噪声电压功率谱密度和噪声系数的测试方法,并给出了低频噪声测试的偏置电路、测试设备和测试方法。结合3DJ4和3DJ6型JFET器件的测试结果表明,采用本文提出的方法可适用于JFET的低频噪声的测试。
崔莹包军林
关键词:结型场效应晶体管低频噪声噪声系数
电流模PWM降压DC_DC片内补偿电路的设计实现被引量:8
2010年
对单片电流模降压DC_DC的内部电流环与电压环的稳定性进行了分析研究,分别采用分段线性斜坡补偿与内置频率补偿技术,有效消除环路亚谐波振荡并克服了稳定性对输出负载以及误差放大器增益的依赖,提高了芯片的瞬态响应速度及输出带负载能力。采用TSMC0.25μmBCD工艺设计实现了一款高电压电流模PWM降压型的DC_DC芯片,spectre仿真结果表明,输出电流可达2A,其线性调整率和负载调整率均小于0.3%,输出电压对负载1A时的阶跃响应时间小于70μs。
代国定徐洋李卫敏胡波
关键词:频率补偿环路增益
一种新颖的脉宽调制平均分割调光算法的设计与实现被引量:3
2009年
提出了一种新颖的16bit脉宽调制(PWM)平均分割调光算法,其映射电路满足LED光亮度在0~100%间精细调光。该算法将整个PWM周期均分为多个小的灰度周期,同时对灰度数据权值位进行分割处理,以克服高权值位对灰度均匀性的影响,提高了灰阶亮度的视觉刷新率,且有效消除低亮度时的闪烁问题。采用HSIM对整体电路进行了仿真验证,结果表明,PWM输出波形具有良好的均匀性。基于TSMC0.6μm BCD工艺实现的调光电路有效芯片面积小于0.3mm2,对采用本设计的一款RGBLED驱动芯片进行流片、测试,验证了该调光电路能够正常工作。
代国定李卫敏徐洋虞峰王悬
关键词:RGBLED
基于线性曲率校正技术的低电压带隙基准源设计被引量:6
2009年
采用电流求和取代传统电压求和的方法设计了一款低基准电压输出的带隙基准电压源电路,同时提出一种线性化P-N结正向导通电压(VBE)的温度曲率校正技术,保证了基准电压的低温漂和高精度。整个电路采用TSMC0.6μmBCD工艺设计实现,芯片面积为0.2mm2。在Cadence环境下使用Spectre对电路进行了模拟仿真,仿真结果表明:该基准电路可在低至1.1V的电源电压下正常工作;在-20℃~120℃温度范围内,温度系数为9.1×10-6/℃,PSRR为-78dB。在典型的1.5V电源电压下,基准输出电压可调节范围为0.165~1.25V。
代国定王悬虞峰徐洋李卫敏
关键词:低电压带隙基准电压
共1页<1>
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