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快中子64Zn(n，α)61Ni反应微分截面实验测量: 由于Zn(n,α)Ni 反应的剩余核是稳定的,不能用通常的活化法来测量,致使该反应截面实验数据缺乏。利用双屏栅电离室作为带电粒子探测器,在 En=2．54,4．00,5．03,5,50与5．95 MeV 五个能点,对Zn...; 张国辉郭利安张家国曹荣太陈金象Yu.M.GledenovM.SedyshevaG.Khuukhenkhuu3; 关键词：快中子微分截面截面; 文献传递

快中子共振成像实验研究被引量：4: 2008年; 利用两次成像法对快中子共振成像进行研究。分别利用6.3 MeV和6.1 MeV快中子对石墨、铜、铝构成的样品进行成像,经图像处理后,消除铜和铝的影像而获得了碳元素的分布图像。; 邹宇斌唐国有胥建国郭利安张国辉; 关键词：中子照相

A thin film ^(10)B sample for measuring the atom number被引量：1: 2010年; In order to measure differential cross sections of the 10B(n,α)7Li reaction induced by MeV neutrons using the forward-backward coincidence method, a thin film 10B sample was designed and the 10B atom number was determined with a reference 10B film sample. Alpha counts of the 10B(nth,α)7Li reaction from the 10B thin film and the reference sample were measured using a gridded ionization chamber and thermal neutrons, which were moderated and thermalized by paraffin from fast neutrons produced in D(d,n)3He reaction on a 4.5 MV Van de Graaff. The neutron flux was normalized by measuring the fission yield of a small 238U fission chamber.; ZHANG Jiaguo WU Hao ZHANG Guohui; 关键词：原子数屏栅电离室核反应微分截面中子通量热中子

快中子共振成像实验研究: 利用两次成像法对快中子共振成像进行研究。分别利用6.3 MeV和6.1 MeV快中子对石墨、铜、铝构成的样品进行成像,经图像处理后,消除铜和铝的影像而获得了碳元素的分布图像。; 邹宇斌唐国有胥建国郭利安张国辉; 关键词：中子照相; 文献传递

快中子^64Zn(n，α)^61Ni反应微分截面实验测量: 2008年; 由于64Zn(n,α)61Ni反应的剩余核是稳定的,不能用通常的活化法来测量,致使该反应截面实验数据缺乏。利用双屏栅电离室作为带电粒子探测器,在En=2.54,4.00,5.03,5.50与5.95MeV5个能点,对64Zn(n,α)61Ni反应的微分截面进行了实验测量,并通过微分截面对角度的积分得到了反应截面。实验在北京大学4.5MV静电加速器上进行。2.54MeV的单能中子采用固体氚-钛靶T(p,n)3He反应产生,其余四种能量的准单能中子通过氘气体靶D(d,n)3He反应获得。绝对中子通量采用238U(n,f)反应来确定,实验过程中用BF3长中子计数器进行相对中子通量监测。测量结果与已有的实验与评价数据进行了比较。; 张国辉郭利安张家国曹荣太陈金象Gledenov Yu MSedysheva MKhuukhenkhuu G; 关键词：快中子微分截面截面

加速器热中子照相装置CCD芯片屏蔽的模拟计算被引量：3: 2008年; 建立了研究加速器中子源热中子照相装置CCD芯片屏蔽效果的蒙特卡罗模拟方法,对γ与中子吸收剂量率的模拟计算结果与实验相符。进行了基于9Be(d,n)反应的热中子照相装置屏蔽系统的优化设计,在复杂几何条件下用蒙特卡罗模拟分别计算了CCD芯片在中子、γ混合场中的吸收剂量率和快中子注量率,对CCD相机在辐射场中安全性能进行了评估。; 胥建国邹宇斌郭之虞唐国有郭利安郭纪美; 关键词：CCD芯片屏蔽模拟计算

高效快中子转换屏的研制及其性能测试被引量：3: 2009年; 采用国产材料研制了基于移波光纤的快中子照相用转换屏。测试结果表明，新的转换屏与原有的2mm厚转换屏相比，发光强度可提高到原来的6～8倍，样品成像的统计性明显变好，光纤屏的饱和厚度约为25mm，空间分辨率好于2mm。; 郭利安张国辉邹宇斌唐国有郭之虞胥建国郭纪美; 关键词：快中子照相

Ar+CH_4混合气体中电子漂移速率的双栅法测量: 2008年; 提出了一种快速、准确测量电子在气体中漂移速率的新方法。通过分析电子在双栅电离室中两个栅极上产生的感应信号波形来确定电子漂移的起止时刻,从而得出电子在一定约化场强下的漂移速率。采用数据采集卡(waveform digitizer)对电离室的极板信号进行记录。测量了电子在8种混合比例的Ar+CH4气体中漂移速率随约化场强的变化曲线。通过分析实验数据,得到任意混合比例的Ar+CH4气体中电子漂移速率的计算公式。; 张家国张国辉陈金象; 关键词：数据采集卡

用组合叠层CR-39固体径迹探测器测量加速器厚铍靶9Be（d，n）反应中子能谱被引量：4: 2008年; 采用组合叠层CR-39固体径迹探测器实验方法测量了加速器D(d,n)反应产生的5MeV与2MeV准单能中子能谱。进而测量了入射氘离子能量为3MeV时加速器厚铍靶9Be(d,n)反应的中子能谱,与已有的飞行时间法的测量结果基本相符。在此基础上,用该法又测量了入射氘离子能量为1.5MeV时加速器厚铍靶9Be(d,n)反应的中子能谱,结果符合较低能量氘离子与厚铍靶发生9Be(d,n)的核反应的物理过程。; 胥建国李航邹宇斌唐国有郭之虞张国辉郭利安温伟伟张雪霜; 关键词：SRIM 中子能谱

厚铍靶9Be（d，n）反应中子产额测量被引量：4: 2008年; 能量在3MeV以下厚靶D-Be反应的中子产额实验数据至关重要，但较为缺乏。本工作在北京大学4．5MV静电加速器上对氘束轰击厚铍靶的中子产额进行测量。对入射氘核能量在0．35～2MeV之间的若干能量点用长中子计数管进行了0°方向中子产额、中子角分布及中子总产额的测量。与已有的测量结果和经验公式进行了比较，并拟合出氘束轰击厚铍靶中子总产额的经验公式。; 郭纪美邹宇斌唐国有郭之虞郭利安胥建国张国辉; 关键词：中子产额角分布

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