国家自然科学基金(60777009)
- 作品数：3 被引量：5H指数：2
- 相关作者：胡礼中张贺秋刘欣骆英民赵杰更多>>
- 相关机构：大连理工大学中国科学院昆明理工大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金辽宁省教育厅高校重点实验室项目中央高校基本科研业务费专项资金更多>>
- 相关领域：电子电信理学一般工业技术电气工程更多>>
- ZnO微米刺球的CVD法生长及其在压电应力传感器中的应用被引量：2
- 2013年
- 利用化学气相沉积(CVD)方法生长出一种新颖的氧化锌(ZnO)微米刺球状结构,并使用该结构制备出一种新型压电应力传感器件。使用半导体特性分析系统(Keithley 4200)对器件特性进行测试,结果表明该种器件对所施加的应力高度敏感,开关比高达约60,比目前多数ZnO基压电应力传感器件高出数倍,在应力检测和机电开关等领域有很好的应用前景。
- 刘欣胡礼中张贺秋邱宇赵宇骆英民
- 关键词：氧化锌化学气相沉积开关比
- 液相外延生长GaAs微探尖刻蚀剥离技术研究被引量：1
- 2008年
- 介绍一种用于扫描近场光学显微术(NSOM)传感头的GaAs微探尖的生长剥离技术。通过SiO2掩膜窗口,利用一次选择液相外延制备周期性阵列的GaAs微探尖。在GaAs衬底与GaAs微探尖之间引入AlGaAs层,并对窗口大小的AlGaAs层进行选择腐蚀,将单个GaAs微探尖从GaAs衬底上剥离下来。扫描电子显微镜显示的结果表明,此微探尖具有金字塔结构、表面光滑且转移过程无损伤。这种技术制备的GaAs微探尖的形貌与质量主要由晶体的结构决定,具有可重复、表面光滑、适合批量生产的优点。
- 梁秀萍冯秋菊张贺秋田怡春张红治孙晓娟胡礼中
- 关键词：液相外延湿法刻蚀
- PLD工艺制备高质量ZnO／Si异质外延薄膜被引量：2
- 2009年
- 采用脉冲激光沉积工艺在不同条件下以Si(111)为衬底制备了ZnO薄膜。通过对不同氧压下(0～50Pa)沉积的样品的室温PL谱测试表明,氧气氛显著地提高了薄膜的发光质量,在50Pa氧气中沉积的ZnO薄膜具有最强的近带边UV发射。XRD测试说明在氧气氛中得到的薄膜结晶质量较差,没有单一的(002)取向。利用一低温(500℃)沉积的ZnO薄膜作缓冲层,得到了高质量的ZnO外延膜。与直接沉积的ZnO膜相比,生长在缓冲层上的ZnO膜展现出规则的斑点状衍射花样,而且拥有更强的UV发射和更窄的UV峰半高宽(98meV)。对不同温度下沉积的缓冲层进行了RHEED表征,结果表明,在600～650℃之间生长缓冲层,有望进一步改善ZnO外延膜的质量。
- 赵杰胡礼中王维维
- 关键词：ZNO薄膜光致发光X射线衍射
