浙江省科技计划项目(2006C21085)
- 作品数：3 被引量：5H指数：1
- 相关作者：陈卫平萧淑琴刘宜华冯尚申邵先亦更多>>
- 相关机构：台州学院山东大学更多>>
- 发文基金：浙江省科技计划项目浙江省科技厅新苗人才计划更多>>
- 相关领域：金属学及工艺一般工业技术理学更多>>
- FeZrBCu射频溅射薄膜磁导率和巨磁阻抗效应的研究被引量：4
- 2007年
- 采用射频溅射法在单晶硅衬底上制备了(Fe0.88Zr0.07B0.05)97Cu3薄膜样品。X射线衍射结果表明,未经任何后期处理的沉积态薄膜为非晶态结构。在5 kHz-13 MHz频率范围内,着重研究了沉积态样品的有效磁导率和巨磁阻抗(GMI)效应的变化特性。研究结果表明,样品具有极好的软磁性能和GMI效应,其矫顽力仅为58 A/m,饱和磁化强度约为1.15×106A/m,在13 MHz的频率下最大巨磁阻抗比达到17%。并发现有效磁导率比随外磁场的变化,在各向异性场Hk≈0.4 kA/m处出现了峰值,GMI效应也在此磁场的位置处出现峰值。这表明GMI效应与磁场诱导的有效磁导率的变化紧密关联。
- 陈卫平萧淑琴冯尚申刘宜华
- 关键词：巨磁阻抗磁各向异性
- 纵向磁场沉积态(F/SiO_2)_3/Ag/(SiO_2/F)_3多层复合结构膜的巨磁阻抗效应被引量：1
- 2010年
- 采用射频溅射法分别在零磁场和72kA/m的纵向静磁场下,制备了结构为(F/SiO2)3/Ag/(SiO2/F)3(F=Fe71.5Cu1Cr2.5V4Si12B9)的多层复合膜.研究了沉积态样品的软磁特性和巨磁阻抗(GMI)效应.结果表明,在无磁场沉积态样品中未探测到GMI效应.在沉积过程中加纵向磁场明显优化了材料的软磁性能,从而获得显著的GMI效应.在6.81MHz的频率下,最大纵向和横向GMI比分别高达45%和44%.同时还分析了磁阻抗比、磁电阻比、磁电抗比和有效磁导率比随频率变化的行为,发现磁场沉积态样品的纵向和横向GMI效应随频率变化的频谱曲线几乎重合.阻抗在低频下主要是巨磁电感效应.当频率f>9MHz时,磁电抗比变为负值,即电抗的性质从电感性变成了电容性.
- 陈卫平邵先亦冯尚申萧淑琴刘宜华
- 关键词：巨磁阻抗效应
- FeNiCrSiB淬态薄带的几何尺寸对巨磁阻抗效应的影响
- 2008年
- 研究了FeNiCrSiB淬态薄带的几何尺寸对其巨磁阻抗(GMI)效应的影响。研究结果表明:淬态FeNiCrSiB软磁合金薄带便具有良好的软磁性能和巨磁阻抗效应。薄带的几何尺寸为2.0mm×20mm(宽2.0mm,长20mm)时存在最佳巨磁阻抗效应,在4.0 MHz频率下,纵向最大GMI比为25%,横向最大GMI比为20%。研究结果还表明具有最佳几何尺寸样品的磁电抗比和磁容抗比的绝对值随外加直流磁场的变化规律相类似,样品的电抗部分呈电容性特征。
- 邵先亦陈卫平吴赟赵先锐胡犇
- 关键词：巨磁阻抗效应几何尺寸
