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国家自然科学基金(10575069)

作品数:5 被引量:3H指数:1
相关作者:闵嘉华桑文斌钱永彪樊建荣滕建勇更多>>
相关机构:上海大学华瑞科学仪器上海有限公司中国科学院上海应用物理研究所更多>>
发文基金:国家自然科学基金上海市教育委员会重点学科基金上海市科学技术委员会资助项目更多>>
相关领域:核科学技术电子电信更多>>

文献类型

  • 5篇期刊文章
  • 2篇会议论文

领域

  • 5篇电子电信
  • 4篇核科学技术

主题

  • 5篇CDZNTE
  • 2篇电阻率
  • 2篇英文
  • 2篇CD
  • 1篇电路
  • 1篇电子俘获
  • 1篇读出电路
  • 1篇信号
  • 1篇信号处理
  • 1篇信号处理方法
  • 1篇容栅
  • 1篇探测器
  • 1篇退火
  • 1篇前置放大器
  • 1篇放大器
  • 1篇SAM
  • 1篇STUDIE...
  • 1篇TE
  • 1篇ZN
  • 1篇AU

机构

  • 6篇上海大学
  • 2篇华瑞科学仪器...
  • 1篇中国科学院上...

作者

  • 6篇桑文斌
  • 5篇闵嘉华
  • 4篇钱永彪
  • 3篇樊建荣
  • 3篇刘洪涛
  • 3篇滕建勇
  • 2篇李万万
  • 2篇秦凯丰
  • 2篇詹峰
  • 2篇施朱斌
  • 1篇李刚
  • 1篇王昆黍
  • 1篇胡冬妮
  • 1篇李刚
  • 1篇刘积善

传媒

  • 3篇功能材料与器...
  • 1篇稀有金属材料...
  • 1篇核技术
  • 1篇2006年全...

年份

  • 1篇2009
  • 2篇2008
  • 1篇2007
  • 3篇2006
5 条 记 录,以下是 1-7
排序方式:
CZT Frisch栅探测器前置放大器的设计被引量:1
2008年
CZT Frisch电容栅器件采用两个平面电极,侧面金属层与阴极相连,与晶体之间有薄绝缘层隔离。根据Frisch电容栅探测器的结构和前置放大器的参数指标,采用交流耦合,选取结型耗尽型高跨导场效应管作为输入级以及反馈电容和泻放电阻组成的电荷灵敏放大器,成功地设计制造了低噪声、高性能的CZT Frisch栅探测器的前置放大器。并给出了测试结果。
施朱斌桑文斌钱永彪滕建勇闵嘉华樊建荣刘积善
关键词:前置放大器CZT
Cd、In气氛下退火对Cd0.9Zn0.1Te性能的影响(英文)
研究了可控制Cd、In气氛下退火对Cd0.9Zn0.1 Te性能的影响。不同Cd压下(In压不变:1×10-2Pa)退火的实验表明:在平衡Cd压下退火电阻率可从6.7×105Ω·cm显著地提高到109-1010Ω·cm,...
刘洪涛桑文斌詹峰李万万李刚闽嘉华
关键词:CDZNTE退火电阻率
文献传递
利用可控In气氛下热处理工艺制备Cd_(0.9)Zn_(0.1)Te:In(英文)被引量:1
2007年
利用控制In气氛下的热处理工艺成功地制备了CdZnTe:In。不同In压下(Cd,Zn分压保持在平衡分压)的热处理实验结果表明:热处理后样品的电阻率可从6.75×105Ω .cm提高到108~1010Ω .cm;并且随着In压的增加,导电类型逐渐由p型转变为n型。热处理后样品的电阻率变化特征可以由In的扩散和施主缺陷InCd、受主缺陷VCd之间的补偿作用来很好地解释。利用扩散理论建立了CdZnTe:In的电阻率物理模型。利用热处理后样品的电阻率数据,计算了在873,973和1073K时In原子在CZT晶体中的有效扩散系数DIn,分别为3.455×10-11,2.625×10-10和5.17×10-9cm2/s。将扩散数据经过拟合后得到了DIn的表达式:1.35exp(-1.85eV/kT)cm2/s(873~1073K)。
刘洪涛桑文斌李万万闵嘉华李刚
关键词:CDZNTE电阻率
Oxidized Layer of CdZnTe Studied by C-V Characteristics
In this paper,the CZT oxidized layers on cadmium zinc telluride(CZT) wafer formed by two-step chemical passiva...
Jian-rong FanWen-bin SangYue LuJia-hua MinXiao-yan LiangDong-ni Hu
二元并行CdZnTe探测器读出电路及信号处理方法
2009年
本文为CdZnTe(CZT)二元并行探测器设计并制作了信号处理系统电路,包括前置放大电路,差分放大电路,极零相消电路,滤波成形电路,微调电路和基线恢复电路和加和电路。137Cs(662keV)辐射下的信号,经过差分放大,极零相消和滤波成形电路的输出,信号持续时间在10μs内,幅度为260mV,两路信号相加后信噪比大于15:1。能谱测试初步结果表明:采用这个信号处理系统,二元CZT并行探测器对137Cs(662keV)源的探测效率分别是单元器件的1.74和2.2倍,能量分辨率接近于单元器件。
施朱斌桑文斌钱永彪滕建勇闵嘉华樊建荣胡冬妮
关键词:信号处理读出电路
CdZnTe共面栅探测器的电子俘获修正方法被引量:1
2006年
采用有限元方法模拟共面栅探测器的权重势分布,通过计算器件的电荷感应效率(CIE)以及感应信号,研究了CdZnTe共面栅器件的电子俘获修正技术,结果表明采用调整两组栅极输出信号的相对增益G的方法,可以有效地修正由于电子俘获造成的器件响应在深度上的不均匀;通过将次外条收集栅和非收集栅分别加宽一倍可以使两组栅电极的权重势分布在器件宽度上具有良好的均匀性,在此基础上采用调整增益G值来修正电子俘获,可使CdZnTe共面栅器件在深度和宽度方向上均得到均匀的响应特性。
闵嘉华桑文斌钱永彪王昆黍刘洪涛詹峰秦凯丰樊建荣
关键词:电子俘获
不同沉积工艺下Au/P-CdZnTe接触界面的研究
2006年
采用超声波扫描(SAM)、俄歇电子能谱分析技术(AES)、电极粘附力测试和I-V特性测试等方法研究了化学沉积、溅射和真空蒸发三种不同沉积工艺条件下Au/p-CdZnTe接触界面的各种特性。通过实验结果可以看出,化学法沉积的Au电极能形成较好的欧姆接触特性,但其操作工艺不容易控制,电极接触层均匀性较差,在器件使用过程中,容易引起电极的退化;溅射沉积的Au电极有着较好的附着力,但对CdZnTe表面的损伤较大,欧姆接触特性较差;真空蒸发法沉积的Au电极,有着较好的欧姆接触特性,且其电极接触层也较为均匀,只是电极附着力相对较小,但可以通过合适的退火工艺进行改善。
秦凯丰桑文斌钱永彪闵嘉华滕建勇
关键词:CDZNTE
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