北京市自然科学基金(4072007)
- 作品数：7 被引量：11H指数：2
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- 氮化硼薄膜在退火相变中的应力研究
- 利用射频溅射系统在 p 型 Si(100)衬底上制备氮化硼薄膜．对其进行600～1000℃的常压下 N保护退火．通过傅立叶变换红外谱(FTIR)分析,发现 hBN-cBN-hBN 的可逆相变．通过不同温度退火后立方相横光...
- 张晓康邓金祥王瑶陈光华郝伟侯碧辉贺德衍
- 关键词：氮化硼薄膜退火傅立叶变换红外光谱应力
- 文献传递
- 氮化硼薄膜的红外光谱研究被引量：2
- 2008年
- 用磁控溅射法制备六角氮化硼薄膜,在衬底温度、衬底偏压、工作气压等条件一定的情况下改变工作气体(氮气+氩气)中氮气的比例,以制备高质量的六角氮化硼薄膜,薄膜以红外吸收光谱标识。实验结果表明,工作气体中氮气的比例对制得的六角氮化硼薄膜有很大影响,在氮气比例为20%时得到理想的六角氮化硼薄膜。
- 邓金祥王瑶张晓康周涛汪旭洋姚倩陈光华
- 关键词：氮化硼薄膜红外光谱
- 立方氮化硼薄膜的掺杂及金属半导体接触研究
- 立方氮化硼(c-BN)是人工合成的Ⅲ-Ⅴ族闪锌矿结构化合物半导体材料,它具有类似于甚至优于金刚石的优良的物理、化学性质而成为人们研究的热点。例如:c-BN的禁带宽度很大(6～6.4eV),可实现n型和p型掺杂(而金刚石的...
- 邓金祥满超崔敏康成龙赵卫平
- 文献传递
- 氮气含量对沉积BN薄膜的影响
- ＜正＞立方氮化硼（c-BN）是一种物理、化学性能非常优越的宽带隙半导体材料,在高频、大功率、抗辐射光电子器件方面具备广泛的应用前景。本文用射频磁控溅射系统,在电阻率为2～4Ω·cm 的 n 型 Si（100）衬底上制备 ...
- 王瑶邓金祥张晓康陈光华郝伟侯碧辉
- 文献传递
- 氮化硼薄膜的红外光谱研究
- ＜正＞立方氮化硼薄膜是一种理想的新型宽带隙（Eg≈6．6eV）半导体薄膜材料。立方氮化硼具有高的电阻率和高的热稳定性,可被掺杂成 p 型和 n 型,不仅可能用于制作高频、大功率、高温电子器件, 而且还可能用于制作场致电子...
- 邓金祥王瑶张晓康周涛汪旭阳姚倩陈光华
- 文献传递
- 电子束蒸发制备立方氮化硼薄膜的表面分析
- 介绍了用电子束蒸发法制备c-BN薄膜,通过FTIR分析得出制备的薄膜是富硼氮化硼薄膜。选定样品进行退火处理,退火温度为800℃,退火时间为1h,得到薄膜中的立方相在经过退火处理后有所增加。同时对样品XPS研究发现,在没有...
- 汪旭洋邓金祥赵卫平杨冰郭清秀杨萍
- 关键词：电子束蒸发法FTIRXPS
- 文献传递
- 立方氮化硼薄膜注入Be的Hall效应研究被引量：2
- 2008年
- 本文应用RF溅射法,在n型Si（100）衬底上制备BN薄膜。首次用离子注入工艺,将铍（Be）离子注入到BN薄膜中使之成为p-型。我们用范德堡方法对该薄膜进行了室温下的霍尔效应测量,薄膜为p型导电,电阻率为10^-3Ω.cm左右,迁移率14-28 cm^2/V.S,载流子浓度10^19-10^20cm^-3,霍尔系数10^-1cm^-3/C左右,用此法制备的p-BN/n-BN异质结,有明显的整流特性。
- 何斌陈光华郜志华邓金祥张文军
- 电子束蒸发制备氮化硼薄膜的红外光谱研究
- 2009年
- 用电子束蒸发法制备氮化硼薄膜,分别研究束流大小和蒸发时间长短对薄膜质量的影响,薄膜以红外吸收光谱标识。实验结果表明,束流大小和蒸发时间长短对薄膜质量都有影响,经过900℃氮气保护退火后,都得到了高立方相含量的氮化硼薄膜。
- 邓金祥郭清秀崔敏赵卫平杨冰杨萍
- 关键词：氮化硼薄膜电子束蒸发红外光谱
- 氮化硼薄膜在退火相变中的应力研究
- 2007年
- 利用射频溅射系统在P型Si（100）衬底上制备氮化硼薄膜。对其进行600～1000℃的常压下N2保护退火。通过傅立叶变换红外谱（FTIR）分析，发现hBN-cBN-hBN的可逆相变。通过不同温度退火后立方相横光学振动模式峰位的移动，计算了氮化硼薄膜中残余应力的变化。发现沉积后退火很好地解决了高立方相氮化硼薄膜应力释放的问题，可提高立方氮化硼薄膜在硅衬底上的粘附性。并且探索性地讨论在退火过程中c-BN成核、生长与薄膜中应力变化的关系。
- 张晓康邓金祥王瑶陈光华郝伟侯碧辉贺德衍
- 关键词：氮化硼薄膜退火傅立叶变换红外光谱应力
- 氮化硼薄膜退火诱导相变的红外光谱研究
- 利用射频溅射法在Si(100)衬底上制备纯六方相(h-BN)和以正交相(E-BN)为主相的两组氮化硼薄膜。对其进行600～1000℃的N保护退火。通过傅里叶变换红外谱(FTIR)分析,发现hBN-cBN-hBN的可逆相变...
- 张晓康邓金祥姚倩汪旭洋陈光华贺德衍
- 关键词：立方氮化硼薄膜傅里叶变换红外光谱退火相变
- 文献传递
