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国防科技技术预先研究基金(00J1121DZ0137)

作品数：1 被引量：12H指数：1
相关作者：张玉明张义门尚也淳更多>>
相关机构：西安电子科技大学更多>>
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相关领域：电子电信更多>>

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇碳化硅
  • 1篇晶体管
  • 1篇MOSFET
  • 1篇场效应
  • 1篇场效应晶体管

机构

  • 1篇西安电子科技...

作者

  • 1篇尚也淳
  • 1篇张义门
  • 1篇张玉明

传媒

  • 1篇Journa...

年份

  • 1篇2001
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
杂质不完全离化对SiCMOSFET的影响被引量：12
2001年
在分析 Si C中杂质部分离化时 ,考虑了 Frenkel- Pool效应 ,通过求解 Si C MOS表面空间电荷区中的一维Poisson方程 ,提出了一个新的 Si C MOSFET反型层薄层电荷 (charge- sheet)数值模型 .对 Si C中杂质不完全离化的研究表明 ,杂质原子较大的离化能、高的掺杂浓度以及低温会使不完全离化的影响增强 ,对于 Si C MOSFET。
尚也淳张义门张玉明
关键词：碳化硅场效应晶体管MOSFET
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