国家自然科学基金(10647140)
- 作品数：2 被引量：1H指数：1
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- 等离子体增强脉冲激光沉积o-BN薄膜
- 2009年
- 利用等离子体增强脉冲激光沉积系统在Si(100)基底上沉积出了高质量的o-BN薄膜,利用红外光谱(FTIR)、X射线衍射谱(XRD)和原子力显微镜照片对o-BN薄膜进行了表征.通过红外光谱(FTIR)得到o-BN薄膜的红外峰特征峰值为1189 cm-1,1585 cm-1和1450 cm-1;由XRD谱得到o-BN薄膜的(111),(020),(021),(310)和(243)各晶面的衍射峰,特别是(310)和(243)晶面的衍射峰非常强;通过原子力显微镜照片清楚看到BN薄膜具有尖状突起的表面形貌.
- 李卫青
- 关键词：氮化硼薄膜X射线衍射谱
- 沉积气压对氮化硼薄膜场发射特性的影响被引量：1
- 2008年
- 利用等离子体增强脉冲激光沉积系统,在n型Si(100)基底上沉积了不同沉积气压下的纳米BN薄膜,利用红外光谱(FTIR)对BN薄膜进行了表征。通过原子力显微镜(AFM)观察了薄膜的表面形貌。在超高真空(<5.0×10-7Pa)情况下测量了薄膜的场致发射特性。实验结果表明,沉积气压对BN薄膜的场发射特性影响很大。BN薄膜的阈值电场随着沉积气压的升高而升高,发射极限电流随着沉积气压的升高而较小,但耐压特性提高。沉积气压为2Pa时沉积的BN薄膜的场发射的阈值电场最低,为12V/μm,当电场升高到27V/μm时,场发射电流密度为140.6μA/cm2;当沉积气压升高到5Pa时,阈值电场升高为26V/μm,当电场升高到59V/μm时,发射电流密度为187.5μA/cm2;沉积气压升高到15Pa时的样品的阈值电场已经高达51V/μm。所有BN薄膜的F-N曲线都符合F-N理论,表明电子发射是通过隧穿表面势垒完成的。
- 李卫青
- 关键词：射频等离子体氮化硼薄膜场发射特性
