中国计量学院校立基金(2006ZD05)
- 作品数：2 被引量：2H指数：1
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- 相关机构：中国计量学院合肥工业大学更多>>
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- 相关领域：电子电信一般工业技术金属学及工艺更多>>
- 硅硼玻璃相对Bi_(3.15)La_(0.75)Ti_3O_(12)铁电薄膜性能的影响
- 2010年
- 采用加入硅硼玻璃相的溶胶-凝胶(Sol-Gol)技术,以无机物为原料,在低温下成功制备了Pt/Ti/Si O2/Si衬底上Bi3.15La0.75Ti3O12(BLT)铁电薄膜。XRD、AFM分析及电学性能的测试结果表明,600～650℃退火处理的加入硅硼玻璃相BLT铁电薄膜具有单一的层状钙钛矿结构;薄膜表面平整无裂纹、致密,薄膜为多晶生长;其剩余极化强度(2Pr)为27.09μC/cm2,矫顽场Ec约为53.1 kV/cm;室温下,在测试频率为1 MHz,经1.0×1011极化反转后,剩余极化值下降约10%,具有良好的抗疲劳特性;薄膜的漏电流密度低于9×10-10A/cm2。玻璃相提高了薄膜的致密度和抗疲劳特性,降低了薄膜的漏电流密度,对剩余极化强度影响有限。
- 王疆瑛邬良能江影
- 关键词：铁电薄膜玻璃相
- 溶胶-凝胶法制备硼硅玻璃掺杂BST陶瓷的研究被引量：2
- 2010年
- 研究了Si-B-O系玻璃掺杂对钛酸锶钡(BST)陶瓷的相结构和介电性能的影响。实验结果表明,当x(SiO_2)>10%时,Si-B-O系玻璃掺杂BST陶瓷易出现杂相,即Ba_2TiSi_2O_8相。x(SiO_2)≤10%,Si-B-O系玻璃掺杂BST陶瓷粉体的相结构为立方钙钛矿相结构,其合成温度大于等于600℃,不存在第二相。Si-B-O系玻璃掺杂BST陶瓷的烧结温度低于传统工艺。Si-B-O系玻璃掺杂BST陶瓷的显微结构呈细晶结构(晶粒尺寸<1μm)。随玻璃含量的增加,Si-B-O系玻璃掺杂BST陶瓷介电常数ε降低,介电峰变低,平坦,峰形宽化,介电损耗降低,居里温度T_C向低温移动。
- 王疆瑛吴宇平
- 关键词：钛酸锶钡溶胶-凝胶工艺介电性能
