国家自然科学基金(61274140)
- 作品数：5 被引量：7H指数：1
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- 相关机构：韩山师范学院华中师范大学更多>>
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- 相关领域：理学电子电信电气工程化学工程更多>>
- 基于纳米硅结构的氮化硅基发光器件电致发光特性研究被引量：4
- 2014年
- 利用等离子体增强化学气相沉积法制备了镶嵌于氮化硅的高密度纳米硅薄膜,并以此作为发光有源层构建基于p-Si/氮化硅基发光层/AZO结构发光二极管,在室温下观察到了电致可见发光.在此基础上,在器件p-Si空穴注入层与氮化硅基发光层之间加入纳米硅薄层作为空穴阻挡层,研究器件电致发光性质,实验结果表明器件的发光强度显著增强,并且发光效率较无纳米硅阻挡层的发光器件提高了80%以上.
- 林圳旭林泽文张毅宋超郭艳青王祥黄新堂黄锐
- 关键词：纳米硅氮化硅电致发光
- 应用于太阳能电池的硼掺杂纳米硅薄膜性能研究(英文)被引量：1
- 2015年
- 本文采用等离子体增强化学气相沉积技术(PECVD)制备了轻度掺杂的氢化非晶硅薄膜,沉积过程中以Si H4,B2H6和H2的混和气作为反应源.原始淀积材料经过800和1000°C的高温热退火处理后,形成了硼掺杂的纳米硅薄膜.X射线光电子能谱(XPS)显示硼原子在薄膜中形成了替位式掺杂.根据不同温度下暗电导率的测量结果,轻度硼掺杂的纳米硅薄膜具有较高的室温暗电导率和较低的激活能.进而,采用该种P型硅薄膜材料以N型单晶硅为基底,制作了P-N结太阳能电池器件.根据电流-电压特性以及光谱相应曲线的测量分析,对电池的性能特性进行了研究.
- 宋超王祥宋捷林圳旭张毅郭艳青黄锐
- 关键词：纳米硅薄膜SI硼掺杂
- 基于氮、氧修饰的高密度硅量子点的近红外光发射调控与光增益特性
- <正>利用PECVD技术构建镶嵌于SiO_xN_y基质的高密度硅量子点,通过调节SiO_xN_y基质中的O与N的含量,调控硅量子点的表面态,研究其近红外发光特性。研究表明,N含量的适当增加有利于提高硅量子点表面O-Si-...
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- 文献传递
- SiC_xO_y薄膜的本征发光及掺杂稀土离子的发光特性研究
- <正>近年来,碳氧化硅(SiC_xO_y)由于其优异的发光特性以及作为稀土离子掺杂的理想硅基母体材料而备受关注[1]。SiC_xO_y材料具有强的蓝光发射,同时也是理想的稀土离子掺杂硅基母体材料,能极大提高稀土离子在材料...
- 林圳旭黄锐王怀佩王岩郭艳青宋捷张毅李洪亮宋超
- 文献传递
- 非晶SiC_xO_y薄膜的光致白光发射被引量：1
- 2020年
- 利用甚高频等离子体化学气相沉积技术制备不同C组分比例的非晶SiC_xO_y薄膜,研究了其光致发射特性。结果表明:薄膜呈现强白光发射,随着薄膜中C组分比例由23%增加至34%,发光强度增强近30倍。薄膜的主要发光峰位均不依赖于激发波长,薄膜的相结构以非晶富C–SiC_xO_y相为主。结合薄膜的光致发光谱、X射线光电子能谱和红外吸收光谱分析,认为强白光发射主要源于薄膜中Si–C键相关的缺陷态和C相关氧空位缺陷发光中心,薄膜的光发射增强与薄膜中C相关化学键合结构的变化密切相关。
- 宋捷林圳旭张毅黄锐
- 关键词：光致发光白光发射等离子体增强化学气相沉积
- 非晶碳化硅薄膜的近红外光发射
- 2021年
- 利用甚高频等离子体增强化学气相沉积技术,在不同CH_(4)流量下制备非晶SiC_(x)∶H薄膜,在室温下能用肉眼观察到薄膜较强的近红外光发射,并研究其光发射机制。荧光稳态和瞬态光谱分析表明,在不同波长激发下,薄膜的发光光谱谱形及峰位未发生明显变化,并且薄膜的荧光寿命在1~1.5ns之间。经过1100℃退火处理后,随薄膜中硅团簇的析出其发光基本淬灭,研究认为非晶SiC_(x)∶H薄膜的近红外光发射主要源于薄膜中的Si悬键缺陷态发光中心。
- 林淑地邹森强黄紫珊吴海霞林圳旭黄锐宋捷
- 关键词：近红外发光光致发光等离子体增强化学气相沉积
- 富硅a-SiO_xN_y∶H薄膜的电致发光特性被引量：1
- 2013年
- 采用甚高频等离子体增强化学气相沉积方法制备富硅氮氧化硅(a-SiO0.35N0.59∶H)薄膜,以这层薄膜作为有源层构建发光二极管。实验结果表明器件在室温下可观测到强的电致红光发射,发光峰在715 nm附近,与其光致发光峰位一致。电致发光谱测量还表明器件开启电压为8 V,器件的电致发光强度随注入电流的增大呈线性递增关系。电流-电压特性分析表明器件的载流子输运机制以Pool-Frenkel(P-F)发射模型为主。结合发光有源层的微结构分析,初步认为电致红光发射来自于电子和空穴通过有源层的带尾态的辐射复合。
- 林泽文林圳旭宋超张毅王祥郭艳青宋捷黄新堂黄锐
- 关键词：电致发光
