博士科研启动基金(002401003252)
- 作品数：3 被引量：4H指数：1
- 相关作者：肖剑荣蒋爱华王德安梁业广更多>>
- 相关机构：桂林理工大学桂林工学院更多>>
- 发文基金：广西教育厅科研项目博士科研启动基金更多>>
- 相关领域：电子电信一般工业技术金属学及工艺更多>>
- 氟化非晶碳膜的微结构分析被引量：1
- 2009年
- 利用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)法,在不同的温度下制备了氟化非晶碳膜。采用原子力显微镜(AFM)、X射线光电子能谱(XPS)和傅里叶红外吸收光谱(FTIR)等仪器对薄膜微结构进行了表征。研究发现,氟化非晶碳膜微观结构与薄膜生长过程温度控制密切相关,温度升高,膜内键合结构变化,sp2相对含量增加。
- 蒋爱华肖剑荣
- 关键词：氟化非晶碳薄膜PECVD微结构沉积温度
- 氮化铜薄膜的研究被引量：3
- 2009年
- 氮化铜(Cu3N)薄膜是一种新型的电、光学材料,它具有典型的反三氧化铼结构,由于Cu原子没有很好地占据(111)晶格面的紧密位置,在薄膜中掺杂之后,薄膜的电、光学性质会发生显著变化。Cu3N在较低温度下会分解为Cu和N2。介绍了Cu3N的制备方法,总结了该膜制备方法和工艺参数对薄膜结构的影响,分析了在不同N2分压下薄膜由(111)晶面转向(100)晶面择优生长和薄膜定向生长的原因,讨论了薄膜的电学、光学、热学等物理性质及其在相关方面的应用,并对该膜的物理性质与结构之间的关系作了简要分析。
- 肖剑荣蒋爱华
- 关键词：光学带隙热稳定性磁控溅射
- 氟化类金刚石薄膜介电性能研究
- 2010年
- 采用射频等离子体增强化学气相沉积法制备了氟化类金刚石薄膜。利用俄歇电子能谱、绝缘电阻测试仪、耐压测试仪和QS电桥对样品组分和介电性能进行了表征、分析。结果表明：薄膜的介电常数εr在2.07~2.65之间,绝缘电阻在245 MΩ左右,击穿场强在2.1 MV/cm以上,它们与膜内F的含量密切相关。
- 肖剑荣王德安梁业广
- 关键词：氟化类金刚石薄膜绝缘电阻介电常数
