上海市科学技术委员会资助项目(09QH1402600)
- 作品数：2 被引量：4H指数：1
- 相关作者：宋志棠宏潇刘波陈后鹏富聪更多>>
- 相关机构：中国科学院同济大学更多>>
- 发文基金：上海市科学技术委员会资助项目国家重点基础研究发展计划国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 相变存储器中驱动二极管之间串扰电流的分析与减小方法
- 2010年
- 由于二极管在单元尺寸上的优势,被认为是高密度相变存储器中驱动管的不二之选。如果制备二极管的工艺参数不恰当,则大的漏电流会影响PCRAM存储数据的准确性和长久的保持力。首先简要介绍了具有自主知识产权的相变存储器中驱动二极管阵列的制备方法,然后从载流子分布以及半导体器件角度,分析了驱动二极管之间串扰电流的产生原因,最后,依据工艺流程介绍了一种简单的方法来减小驱动二极管之间的串扰电流。依据SM IC的工艺进行TCAD仿真,结果表明此种方法能够在增大驱动电流的同时大大减小串扰电流。
- 李宜瑾凌云宋志棠龚岳峰罗胜钦贾晓玲
- 关键词：相变存储器TCAD
- 基于0．13μm工艺的8Mb相变存储器被引量：4
- 2011年
- 采用0.13μm工艺,4层金属布线,在标准CMOS技术的基础上增加3张掩膜制备了一款8Mb相变存储器。1.2V的低压NMOS管作为单元选通器,单元大小为50F2。外围电路采用3.3V工作电压的CMOS电路。Set和Reset操作电流分别为0.4mA和2mA。读出操作的电流为10μA,芯片疲劳特性次数超过了108。
- 蔡道林陈后鹏王倩丁晟富聪陈一峰宏潇李喜陈小刚刘波宋志棠封松林
- 关键词：相变存储器
