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Sr/Ca比变化对红色荧光粉Ca_(1-x)Sr_xS:Eu^(2+)的影响被引量：25: 2004年; 在CO气氛下采用固相反应法合成了发红光的Ca1-xSrxS∶Eu2+荧光粉,研究了基质阳离子Sr/Ca比变化对其晶体性质及发光性能的影响。结果表明,随着Sr/Ca比的减少,荧光粉的晶胞参数逐渐降低;同时,由于受电子云膨胀效应和晶体场影响,发射主峰向长波方向移动,红色比逐渐增大,色纯度提高。; 胡运生叶红齐庄卫东张书生何华强黄小卫; 关键词：晶胞参数发射光谱荧光粉

GaN/AlGaN超晶格透射电镜分析: 2005年; 用MOCVD法生长了120周期的GaN/Al0.14Ga0.86N超晶格,激光剥离技术被有效地用于GaN/AlGaN超晶格截面透射电镜样品的制作.用透射电子显微镜观察到了清晰的超晶格及晶胞周期结构,电子衍射也表明生长的超晶格样品质量较好.在透射电镜图中看到了Al,Ga原子的聚居点,这些聚居点达到应力临界时将可能成为新缺陷的起点.同时观察到GaN缓冲层中的线缺陷大多呈现弯曲的弧形,这是外延生长导致的.; 陈伟华胡晓东章蓓黎子兰潘尧波胡成余王琦陆羽陆敏杨志坚张国义; 关键词：透射电镜激光剥离

对GaN薄膜不同腐蚀方法的腐蚀坑的研究(英文)被引量：1: 2004年; 用 Thom as Swan公司的 MOCVD系统在蓝宝石 (0 0 0 1)面上生长了高质量的 Ga N薄膜 .采用多种化学腐蚀方法 ,如熔融 KOH ,H3PO4 与 H2 SO4 混合酸和 HCl气相腐蚀法 ,利用 SEM及 TEM技术对 Ga N薄膜中的位错进行了研究 .SEM显示在 Ga N薄膜相同位置处 ,不同腐蚀法所得的腐蚀坑的形态和密度有明显差别 .结果表明 HCl气相腐蚀可以显示纯螺位错、纯刃位错和混合位错 ;H3PO4 与 H2 SO4 混合酸腐蚀可以显示纯螺位错和混合位错 ;而熔融; 陆敏常昕方慧智杨志坚杨华黎子兰任谦张国义章蓓; 关键词：氮化镓

AlGaN/GaN/InGaN对称分别限制多量子阱激光器的优化设计(英文): 2004年; 采用一维传递矩阵法模拟计算了 Al Ga N/Ga N/In Ga N对称分别限制多量子阱激光器 (发射波长为 396 .6 nm)的波导特性 .以光限制因子、阈值电流密度和功率效率作为优化参量 ,获得激光器的优化结构参数为 :3周期量子阱In0 .0 2 Ga0 .98N/In0 .1 5Ga0 .85N(10 .5 nm/3.5 nm)作为有源层 ,90 nm In0 .1 Ga0 .9N为波导层 ,12 0周期 Al0 .2 5Ga0 .75N/Ga N(2 .5 nm /2 .5 nm ); 陆敏方慧智张国义; 关键词：MQW SCH

Rare Earth Phosphors and Their Applications in Semiconductor Lighting: ＜正＞Rare earth phosphors are widely used in the fields of display and lighting for many years. Y2O2S :Eu has be...; Weidong Zhuang; 文献传递

侧向外延法生长的高质量GaN及其外延缺陷的观察(英文)被引量：1: 2005年; 在有条状SiO2 图形的GaN“模板”上,侧向外延方法生长了高质量的GaN。荧光显微镜的结果表明在SiO2 掩膜区有成核过程发生。原因可能是SiO2 的质量不高,为GaN的生长提供了一些成核中心。在GaN层的厚度达到 4. 5μm后,侧向的融合开始发生。侧向生长的速度与垂直生长速度几乎相同。在所有的SiO2 掩膜上方都形成了空洞。样品在 240℃熔融的KOH中腐蚀 13min。在SiO2 掩膜区生长的GaN,其腐蚀坑密度(相当于穿透位错密度 )减少到几乎为零。而在窗口区生长的GaN,腐蚀坑密度仍然很高,达到 108 cm-2量级。同时,我们发现具有不同窗口尺寸的样品在SiO2掩膜区上侧向生长的GaN的晶体质量基本相同,与窗口区的宽度几乎无关。室温光荧光结果表明侧向外延法生长的GaN中的晶格失配应力已被部分释放。; 杨志坚胡晓东章蓓陆敏陆羽潘尧波张振声任谦徐军李忠辉陈志忠秦志新于彤军童玉珍张国义; 关键词：氮化镓金属有机化学气相沉积

助熔剂对Y_3Al_5O_(12)∶Ce荧光粉性能的影响被引量：58: 2002年; 在还原气氛下采用高温固相反应法合成了白光LED用黄色荧光粉Y3Al5O12∶Ce(YAG∶Ce),研究了助熔剂对YAG∶Ce荧光粉发光特性的影响。XRD的测量结果表明加入合适的助熔剂有利于YAG∶Ce荧光粉的晶化,并且不引入杂相。选择BaF2和H3BO3同时使用效果要好于单独使用一种助熔剂。助熔剂的加入可增大YAG∶Ce荧光粉的激发和发射光谱强度,并能有效降低荧光粉的中心粒径(D50)控制粉体的粒径分布,适用于白光LED的制造。; 张书生庄卫东赵春雷何华强黄小卫; 关键词：助熔剂稀土白光发光二极管铝酸盐铈

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国家高技术研究发展计划(2001AA313140)