您的位置： 专家智库 > >

贵州大学自然科学青年科研基金([2009]-017)

作品数：1 被引量：7H指数：1
相关作者：张锗源杨法明邓朝勇张荣芬李绪诚更多>>
相关机构：贵州大学更多>>
发文基金：贵州省高层次人才科研条件特助经费项目贵州大学自然科学青年科研基金贵州省科学技术基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇导通
  • 1篇导通电阻
  • 1篇电阻
  • 1篇晶体管
  • 1篇击穿电压
  • 1篇功率VDMO...
  • 1篇功率场效应
  • 1篇功率场效应晶...
  • 1篇SIC材料
  • 1篇VDMOS
  • 1篇场效应
  • 1篇场效应晶体管

机构

  • 1篇贵州大学

作者

  • 1篇杨发顺
  • 1篇李绪诚
  • 1篇张荣芬
  • 1篇邓朝勇
  • 1篇杨法明
  • 1篇张锗源

传媒

  • 1篇微纳电子技术

年份

  • 1篇2011
共 1 条 记 录，以下是 1-1
全选 清除 导出
排序方式：
功率VDMOS器件的研究与发展被引量：7
2011年
简要介绍了垂直双扩散功率场效应晶体管(VDMOS)的研究现状和发展历史。针对功率VDMOS器件击穿电压和导通电阻之间存在的矛盾,重点介绍了几种新型器件结构(包括沟槽栅VDMOS、超结VDMOS、半超结VDMOS)的工作原理和结构特点,以及其在制造工艺中存在的问题。对不同器件结构的优缺点进行了比较分析。对一些新型衍生结构(包括侧面多晶硅栅VDMOS、边氧沟道VDMOS和浮岛VDMOS)的特点进行了分析,叙述了新型SiC材料在VD-MOS器件中应用的最新进展,并指出了存在的问题和未来发展趋势。
杨法明杨发顺张锗源李绪诚张荣芬邓朝勇
关键词：击穿电压导通电阻SIC材料
全选 清除 导出
共1页<1>
聚类工具0