浙江省公益性技术应用研究计划项目(2010C31118)
- 作品数：4 被引量：9H指数：2
- 相关作者：骆新江孙聂枫潘静杨帆李晓岚更多>>
- 相关机构：杭州电子科技大学中国电子科技集团第十三研究所河北工业大学更多>>
- 发文基金：浙江省公益性技术应用研究计划项目国家自然科学基金博士科研启动基金更多>>
- 相关领域：电子电信化学工程更多>>
- 大颗粒流化床放大准则简化与冷态验证
- 2011年
- 以气固两相流和相似理论为基础，对流化床中颗粒相与流体相动景方程进行了分析与处理，将原放大准则的9个无量纲准数简化成了7个，分别为傅鲁德数（umf^2／（gD））、流化数（u0/umr）、密度比（pP/pr）、静床层高与床径比（Hmf／D），睐体几何结构比，球形度（Ф）利粒度分布（PSD）。此放火准则不仅包含了几何条件和物料特性条件，而且包含了流化床的操作条件。经流化床冷模实验验证，该放大准则有效。
- 王晓翠骆新江
- 关键词：流化床大颗粒冷模实验
- 32路X波段径向波导空间功率合成系统研制被引量：7
- 2011年
- 为突破单个固态功率器件在微波毫米波频段功率输出能力较低的限制,我们根据径向波导中主模TM00波电磁场的轴向对称性,提出了径向波导空间功率合成技术。并利用HFSS(高频电磁场仿真软件)和ADS(高级设计系统)软件,研制出了一款32路X波段径向波导空间功率合成系统。仿真和实验证明,从8.6GHz至12.3GHz,这种径向波导无源空间功率合成系统的插入损耗小于1dB,反射损耗小于-15dB,合成效率大于80%。
- 骆新江官伯然陈宏江申胜起孙聂枫
- 关键词：空间功率合成器径向波导
- InP晶片位错密度分布测量被引量：2
- 2011年
- 采用国际通用的方法,测定了不同类型的用高压LEC法生长的InP单晶样品的整片位错分布,直观显示位错密度在晶片上的分布情况,分析了EPD分布结果和原因,说明单晶生长工艺和掺杂剂等因素对其产生影响。从数值看,一般掺S的材料位错密度较低,随着掺杂浓度的增加位错密度明显降低,晶片的均匀性也越好。掺Fe的材料位错密度一般,但随着掺杂量的增大位错密度升高,晶片的位错分布也不均匀。非掺杂材料的位错一般较多,但均匀性较好。通过工艺改进可以明显降低位错,为今后进一步开展晶体完整性研究、改进工艺、提高单晶质量打下了良好的基础。
- 潘静杨瑞霞骆新江李晓岚杨帆孙聂枫
- 关键词：LEC法
- 非接触四波混频技术测试InP单晶
- 2011年
- 利用四波混频(FWM)技术测试了非掺杂、掺Fe半绝缘InP单晶的光电特性,对载流子的产生、复合和输运等过程进行了研究,分析了深陷阱在载流子的产生与输运中的作用,并给予了解释。利用光栅衰减动力学得到在不同激发水平下非平衡自由载流子的扩散系数和复合时间。通过分析衍射效率和激发能量之间的相互关系,测定了缺陷的电学特性,即它们在光照下的传输和对载流子传输的贡献。这种技术可以通过测量时间和空间上的载流子分布,进而利用光学技术测试半导体材料的光电特性。
- 潘静孙聂枫朱嘉祯杨瑞霞李晓岚杨帆骆新江
- 关键词：磷化铟晶体四波混频
