国家自然科学基金(50276036)
- 作品数：8 被引量：4H指数：1
- 相关作者：黄为民张韶华沈昱明魏捷涂步华更多>>
- 相关机构：上海理工大学中国科学院更多>>
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- 相关领域：理学电子电信自动化与计算机技术更多>>
- 晶体固液界面的涡电流冷态模拟监测研究
- 2004年
- 许多单晶半导体材料的垂直生长都使用了Bridgman法.在晶体生长过程中对固液界面的位置和形状进行监测虽十分重要却相当困难.本文基于许多半导体材料的电导系数在固态与液态时相差很大这一特性来监测CdTe晶体生长的涡电流技术的可行性,并在此基础上设计了两个涡电流检测仪,提出了一种新的描述晶体界面位置变化的冷态模拟方法,经实验证实该方法可成功地描述晶体界面的位置变化.
- 张韶华黄为民
- 关键词：晶体生长固液界面涡电流碲化镉BRIDGMAN
- 固液界面附近CdZnTe晶体组份分布及X-Ray测试
- 2005年
- 利用对垂直布里奇曼Bridgman法生长中的Cd1-xZnxTe晶体停电自然降温的方法获得了具有不同凝固速率的同一块单晶样品。通过红外透射光谱测量方法对停电自然降温前后的单晶区域进行比较,结果显示:停电自然降温后,在固液界面附近存在一个明显的组份过度区,正常凝固的晶体组份分布比较均匀,而快速凝固的结晶区域轴向组份分布梯度较大,同时,通过X-Ray测试结果进一步准确判断固液界面的位置。
- 涂步华方维政刘从峰孙士文杨建荣何力
- 关键词：X-RAY
- 无损检测技术在垂直Bridgman晶体生长中的应用
- 分别介绍了国内外X射线检测法、超声波检测法以及涡电流检测法第三种无损检测法在垂直Bridgman晶体生长中的应用,讨论了其各自的优缺点。
- 魏捷黄为民沈昱明
- 关键词：半导体材料
- 文献传递
- HgCdTe液相外延薄膜组分分布和内波的产生
- 2007年
- 液相外延生长中的外延层晶体表面会出现波纹,大大降低了晶体的成材率。本文通过实验测量了同一HgCdTe外延薄膜在不同层厚时的红外透射光谱,证明在外延生长后期的相变层中存在分层流,正是分层流中的内波固化造成了外延层晶体表面的波纹。数学模型和量级估计很好地支持了外延生长中的内波成因论,指出固液密度梯度决定的分层流本征频率N、上下液层相对密度比σ对波纹的产生有决定性影响。
- 黄为民王亚敏魏彦锋
- 关键词：液相外延HGCDTE分层流内波
- 涡电流检测仪的电路设计及仿真研究
- 2005年
- 许多单晶半导体材料的生长都使用了垂直Bridgman法,而在晶体生长过程中对固液界面的位置和形状进行监测虽十分重要却相当困难。为此,根据许多半导体材料的电导系数在固态与液态时相差很大的特性,设计了涡电流检测仪对界面进行检测。针对涡电流检测仪设计了两模拟测量电路,并用protel对它们进行了仿真比较。在截止频率相同的情况下,涡电流检测仪后采用二阶RC有源滤波器纹波较小,效果较好。
- 张韶华黄为民
- 关键词：仿真涡电流BRIDGMAN
- 垂直Bridgman生长晶体界面的监测研究被引量：2
- 2004年
- 单晶半导体材料的垂直生长都使用了Bridgman法。在晶体生长过程中对固液界面的位置和形状进行监测虽十分重要却相当困难。该文探讨了根据许多半导体材料的电导率在固态与液态时相差很大这一特性来监测碲化镉晶体生长的涡电流技术的可行性,并在此基础上提出了一种新的描述晶体界面位置变化的冷态模拟方法,并经实验证实该方法可成功地描述晶体界面的位置及形状的变化。
- 张韶华黄为民
- 关键词：晶体生长BRIDGMAN法单晶半导体材料固态时相
- 理想气体中的内势能被引量：1
- 2008年
- 本文证明在无壁空间或无束缚力约束空间中,压力是气体以物态存在的束缚力。证明了热力学压力不仅是动量交换的统计平均值的量度,而且也是分子或原子空间位置分布(密度)的表征。理想气体在有限空间中的统计构形空间,具有逸散势-pV。这种系统构形空间内的各能级粒子具有相应的动量空间分布,其统计构形空间具有无序势TS。热力学平衡态具有处处相等p、T和总势能TS-pV。理想气体的二种势能具有对称性,总势能等于零;但其相应的无序势和逸散势都不等于零。
- 黄为民
- 关键词：平衡态热力学
- 在Bridgman炉中涡电流检测晶面位置和形状的可行性分析
- 2004年
- Bridgman生长方法已经广泛的应用于融化时大的单晶体生长计算。在生长过程中液体固体分界面位置和形状对生长控制十分重要但难检测。利用许多半导体材料固体和液体状态的电导率的区别,用涡电流检测对生产控制。本文也对选择相应的固态材料对GaAs生长进行冷态实验进行了可行性分析。
- 孙学光黄为民
- 关键词：涡电流
- 无损检测技术在垂直Bridgman晶体生长中的应用被引量：1
- 2003年
- 分别介绍了国内外X射线检测法、超声波检测法以及涡电流检测法第三种无损检测法在垂直Bridgman晶体生长中的应用,讨论了其各自的优缺点。
- 魏捷黄为民沈昱明
- 关键词：半导体材料
