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博士科研启动基金(XJ2004001)

作品数:4 被引量:8H指数:2
相关作者:王明明肖林林司原陈光福周献峰更多>>
相关机构:安徽医科大学苏州大学更多>>
发文基金:博士科研启动基金安徽省高等学校优秀青年人才基金国家自然科学基金更多>>
相关领域:医药卫生更多>>

文献类型

  • 4篇中文期刊文章

领域

  • 4篇医药卫生

主题

  • 2篇凋亡
  • 2篇射线
  • 2篇胚胎
  • 2篇氚水
  • 2篇Β射线
  • 1篇电离辐射
  • 1篇凋亡率
  • 1篇学习记忆
  • 1篇照射
  • 1篇射线照射
  • 1篇神经系
  • 1篇神经系统
  • 1篇神经系统发育
  • 1篇鼠胚
  • 1篇鼠胚胎
  • 1篇双链
  • 1篇双链断裂
  • 1篇中枢神经
  • 1篇中枢神经系统
  • 1篇中枢神经系统...

机构

  • 4篇安徽医科大学
  • 1篇苏州大学

作者

  • 4篇王明明
  • 3篇肖林林
  • 2篇陈光福
  • 2篇司原
  • 1篇朱财英
  • 1篇徐师国
  • 1篇张伍魁
  • 1篇郑斯英
  • 1篇罗加林
  • 1篇曹建平
  • 1篇朱巍
  • 1篇周献峰

传媒

  • 2篇辐射防护
  • 1篇中华放射医学...
  • 1篇安徽医科大学...

年份

  • 1篇2010
  • 1篇2009
  • 2篇2006
4 条 记 录,以下是 1-4
排序方式:
AT细胞系辐射敏感性与细胞凋亡的相关研究被引量:2
2006年
目的 探讨AT细胞高辐射敏感性与细胞凋亡之间的联系。方法 以液体闪烁测量法测3H-TdR掺入百分率来观察^60Co γ射线照射对AT5BIVA(AT)和GM0639(GM)细胞增殖的影响;实验于照射后0、24、48和72 h,用细胞流式术动态检测AT和GM细胞的自发凋亡率及^60Co γ射线照射诱发的凋亡率。结果 ^60Co γ射线0~6 Gy照射后,AT和GM两种细胞3H-TdR掺入百分率均呈剂量依赖性降低,且AT细胞降低得比GM细胞快,两种细胞3H-TdR掺入百分率与受照射剂量间可拟合成指数方程:SAT=0.9718e^-0.6855D(R^2=0.9950)、SGM=1.0928e^-0.3731D(R^2=0.9777);AT细胞的自发凋亡率高于GM细胞;2~6 Gy照后24 h,两种细胞由辐射诱发的凋亡率均随照射剂量增大而升高,且在同一剂量点,前者凋亡率高于后者;2 Gy照射后0~72 h,AT和GM细胞的凋亡率均呈时间依赖性增加,且随照后时间延长两者间差异逐步增大,在72 h达到显著水平。结论 AT细胞高辐射敏感性与其较高的自发及辐射诱发的凋亡密切相关。
王明明朱巍罗加林周献峰郑斯英曹建平朱财英
关键词:AT细胞细胞辐射敏感性凋亡率
氚水β射线照射对大鼠胚胎脑细胞增殖的影响被引量:2
2010年
采用流式细胞术、MTT方法、细胞色素C还原法、逆转录-聚合酶链式反应(RT-PCR)及脉冲电场凝胶电泳方法(PFGE),分别检测大鼠受0~3.7×106Bq/mL氚水(HTO)作用后神经元细胞的凋亡、增殖抑制、超氧阴离子(O2-)释放、p53基因表达与DNA断裂损伤,观察氚水β射线照射对体外培养大鼠胚胎脑细胞的损伤效应。结果显示,随着氚水放射性浓度的增大,神经元细胞的凋亡率、增殖抑制率与p53mRNA表达量均增大,DNA断裂损伤程度随之加重,而O2-释放量随之减少。这说明氚水β辐射能使神经元细胞DNA双链断裂、促进其p53基因表达引发细胞凋亡及减少O2-释放来抑制增殖。
王明明司原肖林林陈光福张伍魁
关键词:P53基因DNA双链断裂凋亡
氚水β射线宫内照射对仔鼠脑发育和学习记忆能力的影响被引量:2
2006年
目的探讨氚水β射线宫内照射对Wistar种大鼠脑发育和学习记忆能力的影响。方法用注射器将2ml蒸馏水或1-3ml不同浓度氚水经腹腔注入妊娠11d龄的母鼠体内,使得实验组母鼠体水氚放射性浓度在0-3.7GBq/L范围内。对宫内受照过的38d龄仔鼠进行条件饮水反应测试,实验结束脱颈椎处死仔鼠。开颅取出大脑,左半球脑组织进行常规组织化学分析,右半球脑组织用于脑内游离氨基酸含量的HPLC测定。结果随着母鼠体内注入氚水浓度的逐渐增加,其所产仔鼠大脑纵向长度、大脑皮层第V层锥体细胞数、海马CA3区细胞数及海马游离氨基酸含量逐步降低,相应地,仔鼠38-42d条件饮水测试成绩逐渐降低。且仔鼠大脑纵向长度缩短百分率、大脑皮层第V层锥体细胞数、海马CA3区细胞数减少百分率及海马游离羟脯氨酸含量增加百分率与仔鼠吸收剂量之间均可拟合成直线回归方程:Y=A+BlgD。结论在0.0038-1.9Gy吸收剂量范围内,宫内受照仔鼠学习记忆能力明显受损。
肖林林陈光福王明明徐师国
电离辐射对中枢神经系统发育的影响被引量:3
2009年
发育中的中枢神经系统对电离辐射具有较高的辐射敏感性,孕期受照可引起不同程度的胚胎发育异常。由于中枢神经系统发育的特殊性,处于不同发育阶段的细胞有不同的辐射敏感性,一般来说,照射剂量越大,剂量率越高,效应越显著。本文综合辐射流行病学调查和动物实验两方面资料,就电离辐射对中枢神经系统发育的危害及其机制作一概述,并提出了有待进一步研究的内容。
司原王明明肖林林
关键词:电离辐射中枢神经系统发育
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