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化学溶液法外延组装ZnO分级纳米结构被引量：3: 2009年; 采用气相法、液相法相结合的方法外延组装了一种形貌新颖的复杂ZnO分级纳米结构——"纳米毛刷"。首先用热蒸发的方法制备了宽面为极性面的ZnO纳米带,然后采用化学溶液法,在强碱溶液中在ZnO纳米带的极性面上外延生长ZnO纳米棒阵列,实现了ZnO分级纳米结构"由下而上"地外延组装。采用负离子配位多面体生长基元模型讨论了ZnO分级纳米结构的外延组装机理。这种ZnO分级结构的实现,可望作为ZnO纳米器件的原型材料构建新型光电器件。; 王清涛; 关键词：ZNO 纳米带纳米棒阵列生长基元

d-波超导体中的准粒子散射干扰（英文）: 2016年; 在重整化的哈伯德模型的框架下,考虑单杂质效应,研究了d波超导体中的准粒子散射相干现象。通过计算傅里叶变换的局域态密度分别随能量和动量的变化,得到了d波超导体中准粒子散射相干的主要特征,并且发现这些特征能够在八角模型下得到很好的解释。计算结果表明,非单调的d波能隙在单杂质导致的准粒子相干散射现象中起着重要的作用。电子谱函数的强度在反节点方向受到强烈地抑制,另外在全布里渊区中出现了一些典型的准粒子散射峰。电子谱函数的计算结果表明其费米面上存在无能隙的节点,并且沿节点和反节点方向存在几个特征局域峰。随着能量的增加,布里渊区中局域峰的位置有明显的移动。; 杨双生赵怀松袁峰; 关键词：局域态密度

CuO_2平面外非磁性杂质对gossamer超导体局域态密度的影响: 2012年; 在t-J-U模型下,应用Gutzwiller平均场近似及Bogoliubov-de Gennes(BdG)理论研究了CuO2平面外单个非磁性杂质对gossamer超导体电子局域态密度的影响。结果表明,在远离杂质点处电子局域态密度呈现出典型的非对称性,在杂质点附近平面外的非磁性杂质使超导能隙变小,但是并没有明显破坏超导。而在杂质点附近由于平面外的杂质势没有被有效屏蔽而导致CuO2平面内电子的分布在纳米尺度上存在着明显的不均匀性。; 万霞霞任玉英袁峰

gossamer超导体基态相图的研究被引量：4: 2008年; 在t-t-′J-U模型下,应用Gutzwiller平均场近似的方法,研究了gossamer超导体基态情况下的相图。结果表明,大U极限下,在欠掺杂区域,反铁磁序和d波超导序在很大的掺杂浓度范围内都共存。随着次近邻跃迁的增大,超导序参数在欠掺杂区域受到抑制,在最佳掺杂和过掺杂区域得到加强,从而导致反铁磁序和d波超导序共存区域变大,d波超导序在较大的掺杂浓度范围内一直存在。这些都与数值计算结果的趋势一致。; 刘芬芬袁峰邱环环夏临华

Local density of states around two nonmagnetic impurities in cuprate superconductors被引量：5: 2011年; The local density of states （LDOS） around two nonmagnetic impurities which are located at different sites is studied within the two-dimensional t-J-U model. The order parameters are determined in a self-consistent way with the Gutzwiller projected mean-field approximation and the Bogoliubov-de Gennes theory. When the two impurities are located one or two sites away, we find the supercon- ductivity coherence peaks are more strongly suppressed and the zero-energy peak （ZEP） has split into two peaks. Whereas when the two impurities are located next to each other, the ZEP vanished, and LDOS does not change a lot compared with the case away from the impurities.; Zhan-peng HUANG Xia-xia WAN Feng YUAN

Ni纳米管阵列的选择性刻蚀法制备及磁性质: 2010年; 采用基于氧化铝模板的电化学共沉积方法合成了Ni/Cu纳米电缆有序阵列,通过电化学选择刻蚀纳米电缆的铜核,制备了多晶Ni纳米管有序阵列。Ni纳米管有序阵列表现出明显的单轴磁各向异性,易磁化轴沿着纳米管方向。这种具有磁各向异性的有序阵列在高密度垂直磁记录材料中具有潜在的应用前景。; 王清涛; 关键词：纳米管有序阵列选择性刻蚀磁性质

非磁性杂质对gossamer超导体局域态密度的影响: 2014年; 从t-J-U模型出发,利用Gutzwiller近似和Bogoliubov-de Gennes(BdG)方程对CuO2平面外和平面内同时存在非磁性杂质时对gossamer超导体电子局域态密度的影响进行了研究。结果表明,在远离杂质点处电子局域态密度呈现出典型的非对称性。当平面内杂质不是很强时,平面外杂质使其附近超导能隙变小,但是并没有明显破坏超导。而由于平面内外同时存在的杂质而导致CuO2平面内电子的分布在更大范围内在纳米尺度上存在着显著的不均匀性。; 逄娜娜杨双生袁峰

多个非磁性杂质对铜氧化物高温超导体局域态密度影响的研究被引量：1: 2010年; 在t-J-U模型下,应用Gutzwiller平均场近似及Bogoliubov-de Gennes(BdG)理论研究了CuO2平面内多个非磁性杂质对铜氧化物高温超导体电子局域态密度的影响。结果表明,在远离杂质点处电子局域态密度呈现出典型的非对称性,而在杂质点附近由于杂质的存在产生零能量诱导峰,同时超导相干峰受到强烈抑制。随着杂质间距的增大,杂质点附近超导相干峰受到的抑制逐渐变小,同时零能量诱导峰的强度也随着变小。; 闫旭黄展鹏袁峰

Cu_2O纳米线有序阵列的电化学模板法制备被引量：3: 2008年; 采用电化学沉积法,在氧化铝模板的有序孔洞中制备了立方相Cu2O纳米线有序阵列。用场发射扫描电镜、X射线衍射、透射电镜对样品进行了表征。结果表明,Cu2O纳米线结构致密、直径均匀,约60 nm,沿[100]方向择优生长。; 王清涛; 关键词：CU2O 有序阵列

空穴掺杂的铜氧化物高温超导体中准粒子散射相干现象的研究: 2016年; 在重整化的哈伯德模型的框架下,考虑单杂质效应,研究了铜氧化物高温超导体中的准粒子散射相干现象。通过计算傅里叶变换的局域态密度,得到了铜氧化物高温超导材料中准粒子散射相干的主要特征,这些特征能够被八角模型很好地解释。研究结果表明,由于单调对称的d波能隙,单杂质掺杂效应导致的准粒子散射相干的特征随能量的变化非常强烈。随着能量的增加,沿着节点方向([0,0]→[π,π])相干峰的位置向高动量位置移动,而沿着反节点方向([0,0]→[π,0])的峰的位置向布里渊区的中心移动。; 任伟康杨双生王淑华赵怀松袁峰; 关键词：局域态密度

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