教育部科学技术研究重点项目(212159)
- 作品数：2 被引量：3H指数：1
- 相关作者：张聪陈秀华马文会吴洪军梅向阳更多>>
- 相关机构：云南大学昆明理工大学浙江大学更多>>
- 发文基金：教育部科学技术研究重点项目国家自然科学基金国家重点实验室开放基金更多>>
- 相关领域：电子电信冶金工程更多>>
- 坩埚表面改性对冶金法多晶硅电学性能的影响被引量：1
- 2013年
- 冶金法制备太阳能级多晶硅所用石墨坩埚含有不同类型的金属杂质,这些杂质通常会降低硅锭的电阻率和少子寿命等电学性能。本文研究了坩埚表面改性对冶金法多晶硅电阻率和少子寿命的影响。通过在不同冷凝速率条件下,对工业硅原料在改性前后的坩埚内提纯。经对铸锭切片的电阻率测试得出:坩埚表面改性使冶金法多晶硅锭的电阻率得到了明显的提高,电阻率的最高值由原来冷凝速率为20μm/s时的110mΩ.cm提高到30μm/s时227mΩ.cm;经对铸锭切片的少子寿命测试得出:冶金法多晶硅的少子寿命在冷凝速率20μm/s时最高,坩埚表面改性使少子寿命由原来的0.81μs提高到1.91μs。
- 张聪魏奎先马文会陈秀华张俊峰
- 关键词：表面改性多晶硅少子寿命电阻率
- 坩埚表面改性对冶金法太阳能多晶硅少子寿命的影响
- 本研究以工业硅为原料，采用真空定向凝固工艺，研究了石墨坩埚氮化硅涂层处理对冶金法制备太阳能级多晶硅性能的影响。结果表明：采用氮化硅涂层处理后，多晶硅铸锭中部少子寿命值由原来的0.85μs提高到1.91μs；顶部和底部的少...
- 张聪魏奎先马文会陈秀华张俊峰
- 关键词：少子寿命石墨坩埚位错密度改性处理
- 退火对冶金法太阳能级多晶硅中缺陷影响的研究被引量：2
- 2012年
- 研究了不同条件下退火对冶金法太阳能级多晶硅锭不同部位的位错、晶界及择优生长取向的影响。利用金相显微镜,电子背散射衍射和X射线衍射仪分别对退火前后多晶硅锭的位错、晶界和择优生长取向的变化规律进行表征,结果表明:退火前后多晶硅中的位错密度大小始终是中部<底部<顶部。1100℃下随着保温时间的延长,多晶硅中的位错密度逐渐减小,到5.0h后达到回复的极限程度;小角度晶界比例不断减小,直至消失;大角度晶界中R型晶界比例先增加后减小,CSL晶界比例缓慢增加,孪晶晶界Σ3比例呈稳定地增加,到退火5.0h后,其比例约占30%;主峰〈111〉织构峰强一直增加,〈311〉织构峰强则是逐渐减小至零,而〈511〉、〈531〉、〈620〉织构强度则是先减小、后增大、最后再减小,退火保温5.0h后择优生长取向达到高度一致。另外,还得到了不同温度下的极限回复程度。
- 吴洪军陈秀华马文会蒋咏梅向阳张聪吴兴惠
- 关键词：多晶硅退火位错密度晶界
