国家自然科学基金(10374076)
- 作品数：8 被引量：53H指数：4
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- Nb原子链的结构稳定性和电子性质被引量：12
- 2005年
- 使用基于密度泛函理论的第一性原理平面波赝势法,研究了Nb原子链的结构稳定性和电子结构性质.计算表明,Nb原子可以形成线性链,平面之字形,二聚化以及梯子形等一系列的一维链式结构.结果也显示,其中之字形结构最为稳定,其他结构均为亚稳的.通过第一性原理计算的电子结构和Jahn-Teller效应,讨论了这些结构的相对稳定性以及各链式结构的电子能带、态密度和电荷密度等性质.
- 沈汉鑫蔡娜丽文玉华朱梓忠
- 关键词：电子性质原子链JAHN-TELLER效应第一性原理计算密度泛函理论
- 超细钛金属线的电子性质
- 2006年
- 使用第一性原理方法计算研究了一系列无限长、超细的钛金属线的结合能和电子性质,并得到了这些超细金属线的电导.结果表明,超细钛金属线单位原子的结合能比体材料的结合能低得多,而且与金属线截面半径的倒数在所计算的纳米范围内成线性反比关系.钛金属线的电子结构性质表现出渐进的尺寸演化和明显的结构关联,当金属线直径大于1 nm时表现出类似体材料的电子结构,这与Ti团簇的电子结构性质相似.对电导的计算发现,金属线的电导随着线尺寸的变粗而增大,电导通道的数目由金属线的结构对称性和粗细所决定.
- 李爱玉文玉华朱梓忠杨勇
- 关键词：电子结构
- 二维全同Nb_4团簇在Cu(100)表面的结构稳定性和电子性质被引量：2
- 2007年
- 使用基于密度泛函理论的第一性原理赝势法和超原胞模型,研究了吸附在Cu(100)表面上的二维有序排列的幻数团簇Nb4的结构稳定性及其电子结构性质.计算表明,四面体结构和平面的菱形结构的Nb4团簇都可以稳定地吸附在Cu(100)表面上,这个体系很可能有重要的应用前景.在Cu(100)表面上,菱形结构的Nb4比四面体结构的Nb4更稳定,从Nb4团簇的四面体结构到菱形结构,需经过的势垒高度约为0.94eV/团蔟.电子结构的计算表明,在Nb4吸附后,Cu(100)表面与Nb4团簇间有明显的电荷重新分布,表面Cu原子的电子态密度也明显改变.
- 王晓春林秋宝李仁全朱梓忠
- 锂离子电池负极材料Li_(2.5)Cu_(0.5)N的Li脱嵌性质被引量：1
- 2006年
- 使用基于平面波展开的第一原理赝势法,计算了锂离子电池非碳基负极材料Li2.5Cu0.5N在各种脱锂量下的Li脱嵌形成能以及相应的体积变化,讨论了脱锂前后材料的电荷密度,电子状态密度等电子性质.计算表明,Li2.5Cu0.5N晶体中LiN层的锂的脱出能要比LiCu层的锂小得多,即LiN层中的锂更容易脱嵌.结果还表明,各种脱锂量的Li脱嵌能大致在-2.72^-4.08 eV/Li之间.当脱锂量小于30%,材料的体积变化较小,随着脱锂量的增大,材料的体积变化较大.
- 蔡娜丽刘慧英朱梓忠杨勇
- 关键词：锂离子电池N
- (C_(60))_N团簇稳定结构的遗传算法研究被引量：4
- 2006年
- 采用Pacheco-Ramalho相互作用势,结合改进的遗传算法研究了(C60)N团簇(N=3～25)的稳定结构与'幻数'序列,并研究了(C60)N 团簇的势能变化.结果表明:团簇的稳定结构与构成团簇的C60分子数目有密切的关系.随着C60分子数目的增大,团簇的稳态结构呈现出由层状变为壳状,然后又转变为层状结构的变化趋势.随着组成C60分子数的增多,团簇中分子的平均势能呈下降的趋势,下降的幅度随着分子数的增大而越来越小.
- 汪志刚陈耀桦文玉华朱梓忠
- 关键词：团簇遗传算法
- 银纳米线熔化过程的分子动力学模拟被引量：2
- 2007年
- 采用分子动力学方法和量子修正的Sutton-Chen(QSC)多体势研究了不同尺寸的银纳米线的熔化动力学过程.模拟结果表明:银纳米线的熔点要比银的体材料的熔点低得多,并且与纳米线的直径的倒数成线性关系,当纳米线的直径越大时,其熔点越高,表现出了明显的尺寸效应.银纳米线的熔化过程首先从表面开始,并逐步向内部发展,直至核心区域.当温度高于熔点时,银纳米线逐渐熔化、断裂,最后形成球形团簇.
- 潘春玲文玉华朱梓忠
- 关键词：银纳米线熔化分子动力学模拟
- TM掺杂的Ⅲ-Ⅴ族稀磁半导体电磁性质的第一原理计算被引量：26
- 2006年
- 使用基于自旋局域密度泛函理论的第一性原理方法对3d过渡金属(TM=V,Cr,Mn,Fe,Co和Ni)掺杂的Ⅲ-Ⅴ族半导体(GaAs和GaP)的电磁性质进行了计算.结果发现:用V,Cr和Mn掺杂时体系将出现铁磁状态,而Fe掺杂时将出现反铁磁状态,Co和Ni掺杂时,其磁性则不稳定.其中,Cr掺杂的GaAs和GaP将可能是具有较高居里温度的稀磁半导体(DMS).在这些DMS系统中,V离子的磁矩大于理论期待值,Fe,Co和Ni离子的磁矩小于理论期待值,Cr和Mn离子的磁矩与期待值的差距取决于晶体的对称性以及磁性离子的能带分布.此外,使用Si和Mn共同对Ⅲ-Ⅴ族半导体进行掺杂,将有利于DMS表现为铁磁状态,并可以使体系的TC进一步提高.
- 林秋宝李仁全曾永志朱梓忠
- 关键词：稀磁半导体过渡金属掺杂共掺杂
- Nb二维原子薄片中的Jahn-Teller效应被引量：8
- 2007年
- 使用基于密度泛函理论的第一性原理平面波赝势法,研究了Nb二维单层原子薄片的结构稳定性和电子结构性质.对其所有的二维晶格结构的计算表明,由于Jahn-Teller效应,对称性较高的正方和六角晶格都是不稳定的二维结构.而稳定的二维结构是由对称性较高的六角晶格畸变后形成的对称性较差的斜方和中心长方结构.Nb单层原子薄片不能形成长方晶格结构.通过计算电子结构和Jahn-Teller效应,进一步讨论了这些结构的相对稳定性以及各二维晶格结构的电子能带和态密度等性质.
- 陈鲁倬王晓春文玉华朱梓忠
- 关键词：JAHN-TELLER效应电子结构
