黑龙江省研究生创新科研项目(YJSCX2011-414HLJ)
- 作品数：11 被引量：20H指数：3
- 相关作者：孙文军李娟支洪武姚成宝李孟洋更多>>
- 相关机构：哈尔滨师范大学牡丹江师范学院电子工程学院更多>>
- 发文基金：黑龙江省研究生创新科研项目黑龙江省普通高校骨干教师创新能力资助计划黑龙江省自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学机械工程电子电信更多>>
- 脉冲激光辐照GaAs材料热效应研究被引量：2
- 2014年
- 为了研究脉冲激光辐照GaAs材料的热效应,采用软件COMSOL Multiphysics构建了高斯脉冲激光辐照半导体材料的温升物理模型,分析了1 064nm纳秒级脉冲激光辐照半导体材料GaAs的热效应.通过求解热传导方程计算了不同功率密度激光辐照GaAs材料的径向与纵向温度场分布,讨论了单光子吸收、双光子吸收及自由载流子吸收对辐照材料的温升贡献.计算结果表明:当激光功率密度升至1010 W/cm2,自由载流子对材料的温升贡献已超过单光子吸收对材料温升的贡献而占主导位置;当激光功率密度降至108 W/cm2以下时,两种非线性吸收对材料温升的贡献可以忽略.该结果与相关实验基本相符,表明了构建的物理模型具有科学性.
- 周海娇孙文军刘中洋
- 关键词：脉冲激光辐照损伤阈值单光子吸收双光子吸收
- InN纳米薄膜制备及其结构与带隙分析被引量：3
- 2015年
- 以金属铟为靶材,蓝宝石为衬底,氩和氮的混合气体为溅射气体,衬底温度为100℃,溅射功率为100 W,采用射频磁控溅射技术分别制备了溅射压强为0.8、1.0、1.4 Pa的In N薄膜.利用XRD、SEM分析薄膜样品呈六方纤锌矿结构.使用双光束紫外/可见分光光度计测量薄膜的吸收谱,计算得到在溅射压强为0.8、1.0、1.4 Pa下制得的薄膜样品带隙分别为1.825、1.74、1.82 e V.结果表明溅射压强为1.0 Pa时,带隙值最小,结晶质量最好.
- 王金颖王炫力袁浩然姚成宝孙文军
- 关键词：磁控溅射溅射压强INN光学带隙
- 基于三片曲面反射镜的离轴投影成像系统被引量：1
- 2012年
- 采用调制传递函数和波前像差分析方法,设计了基于偶次非球面反射镜和Zernike自由曲面反射镜构成的放大倍数为80,相对孔径为2.8的三个离轴投影成像系统.其中第一片反射镜M1表面为凹面用于减小第二片反射镜的尺寸及获得高的对比度,而第二片反射镜M2和第三片反射镜M3表面为凸面用于校正系统像差及获得更短的投影距离.经软件设计与分析,三系统中基于三片Zernike自由曲面反射镜的成像系统光学性能最好,调制传递函数实现60lp/mm时60%以上,畸变小于2.0%.与其它文献相比,基于三片Zernike自由曲面反射镜系统可以更好地消除像差,缩短系统厚度,增大系统的可视角与相对孔径.
- 孙文军赵立萍孙京南李娟李孟洋支洪武
- 关键词：调制传递函数
- 温度对InAlAs/InGaAs量子级联激光器性能的影响
- 2015年
- 设计了基于InAlAs/InGaAs材料体系的垂直跃迁型量子级联激光器有源区,其包括激射区和注入区,并用能级微带注入原理与纵向光学声子散射原理实现了量子级联激射.采用时域有限差分法计算了外加电场下的能级分布及影响激光器的重要参数,如偶极矩阵元、散射时间、增益系数、阈值电流密度、外微分量子效率等.分析了温度对阈值电流密度及激光输出功率的影响.结果表明在300K下输出功率为15m W,外微分量子效率为10%,部分参数优于相关文献.也为室温下工作的量子级联激光器设计奠定了理论基础.
- 袁浩然孙文军姚成宝王炫利王金颖程集
- 关键词：量子级联激光器
- Mg_xZn_(1-x)O薄膜样品制备及其结构与带隙分析被引量：1
- 2015年
- 利用共溅射技术制备了MgxZn1-xO薄膜样品,研究了Mg的掺杂浓度对其晶体结构、光学带隙的影响,退火环境与温度对其晶体结构、表面形貌的影响.通过对XRD图的分析表明,所制MgxZn1-xO薄膜样品为六角纤锌矿结构,且随着x值的增大,样品的晶格常数c逐渐减小;对比真空环境下,氧气中退火温度为500~600℃时更有利于提高样品的结晶质量.对吸收谱的分析表明随着Mg掺杂浓度增大,样品的吸收边向短波方向移动,带隙增大.
- 王炫力王金颖袁浩然姚成宝孙文军
- 关键词：退火蓝移带隙
- 影响AlGaN/GaN量子级联激光器性能的因素研究被引量：6
- 2012年
- 在已有理论基础之上,采用严格的计算方法对激光器实现太赫兹(THz)波的辐射进行了可能性分析。利用传递矩阵法,通过Matlab软件计算了基于AlGaN/GaN材料体系的三能级量子级联激光器导带子能级与电子波函数的分布,详细分析了由该材料特有的极化效应所产生的极化场,得出了在近共振条件下偶极跃迁元、外加电场、垒层Al组分及导带子能级能级差之间的关系,并研究了它们对激光器性能的影响。分析结果表明,实现受激辐射的条件非常严格,Al组分取0.15或0.16时较为适宜,同时外加电场需大于63kV/cm,但不能过大,这样才能满足近共振条件,实现粒子数反转达到太赫兹量子级联激射。在Al组分为0.15,外加电场为69.0kV/cm时激光器的偶极跃迁元最大,表明跃迁几率也最大,对激光器的性能有利,可以为量子级联激光器构造较好的有源区。
- 孙京南孙文军赵立萍李娟李孟洋支洪武
- 关键词：量子级联激光器AL组分
- ZnO及Ag掺杂ZnO的形貌和非线性光学性质
- 2016年
- 利用磁控溅射技术制备了纯ZnO和Ag掺杂ZnO薄膜材料,并对其形貌和光学性质进行了研究.使用XRD、SEM分别对样品的晶体结构、形貌进行分析.结果表明,随着Ag掺杂量的提高晶体沿c轴方向生长逐渐减小,但样品依然是纤锌矿结构.(002)峰位偏移源于部分Zn2+被Ag+所替代,而引起的c轴方向上晶格常数的变化.透射谱测试结果表明Ag掺ZnO对可见光的透过率达到了80%,并比纯ZnO低.另外,利用Z-扫描技术对样品的非线性光学特性进行了分析.结果表明样品都表现了双光子的吸收特性,并Ag掺ZnO薄膜的双光子吸收系数大于纯ZnO薄膜.
- 谭明月姚成宝闫筱炎杨守斌孙文军
- 关键词：半导体薄膜磁控溅射非线性光学双光子吸收
- 连续激光辐照GaAs材料损伤的数值模拟计算被引量：5
- 2012年
- 基于热传导理论,构建了高斯分布的连续激光辐照GaAs材料的二维轴对称非稳态物理模型,且利用多物理场直接耦合分析软件COMSOL Multiphysics求解热传导方程得到了材料表面温度分布曲线以及光斑中心处温度沿厚度方向分布曲线,并得出GaAs材料的分解损伤时间与入射光功率密度的关系曲线.研究表明,在连续激光辐照下,GaAs材料可能会发生分解损伤,激光功率越高,材料被破坏所需的时间越短.理论计算结果与相关的实验结论一致,说明所建立的激光辐照效应模型具有科学性.
- 李娟孙文军孙京南赵立萍李孟洋支洪武
- 关键词：激光辐照效应高斯光束温度场损伤阈值
- 柱透镜和弯月透镜实现半导体激光器光束整形被引量：3
- 2012年
- 针对半导体激光器的发光特点,设计了半导体激光器的光束整形系统。首先采用柱透镜准直和偏转沿Y轴发散的光束;然后再采用望远系统对X轴发散的光束进行准直和扩束;最后采用弯月透镜对发射光束压缩,实现半导体激光器的光束整形,降低光束发散角,提高光束质量。利用ZEMAX软件模拟系统,结果表明,整形后输出光束沿X轴和Y轴的发散角变为4.922mrad,输出光斑直径为1.2707mm,整形系统总长度为65.6618mm,各元件的最大直径为20.52mm,输出光束质量和系统结构都优于同类产品。
- 支洪武孙文军孙京南李孟阳赵丽萍李娟
- 关键词：激光器望远系统远场发散角
- 热氧化温度对Cr和N共掺ZnO薄膜结构及性能的影响
- 2015年
- 首先利用共溅射方法在石英玻璃衬底上生长Zn_3N_2:Cr薄膜,然后用热氧化方法制备了Cr和N共掺ZnO薄膜,研究了不同热氧化温度对薄膜的结构、光学带隙及磁学性能的影响,XRD结果表明,薄膜样品具有纤锌矿结构,且沿c轴择优生长,随着热氧化温度的增加,样品的晶格常数c几乎没有改变,而晶粒尺寸先增大后减小。样品的吸收光谱表明温度的升高使薄膜样品的吸收边发生蓝移,即薄膜样品带隙值增大,磁性测试表明500℃热氧化温度获得的薄膜样品室温铁磁性最强。
- 孙可心金哲明杨芳淼谭明月姚成宝孙文军
- 关键词：热氧化室温铁磁性
