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浙江省重点科技创新团队项目(2009R50005)

作品数:3 被引量:8H指数:2
相关作者:杨德仁马向阳金璐李云鹏徐韵更多>>
相关机构:浙江大学更多>>
发文基金:浙江省重点科技创新团队项目浙江省自然科学基金国家自然科学基金更多>>
相关领域:理学电气工程电子电信更多>>

文献类型

  • 3篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇电气工程
  • 1篇理学

主题

  • 1篇低阈值
  • 1篇电池
  • 1篇电致发光
  • 1篇钝化
  • 1篇异质结
  • 1篇太阳电池
  • 1篇紫外
  • 1篇脉冲激光
  • 1篇脉冲激光沉积
  • 1篇脉冲激光沉积...
  • 1篇晶体硅
  • 1篇晶体硅太阳电...
  • 1篇光强
  • 1篇光强度
  • 1篇硅太阳电池
  • 1篇发光
  • 1篇发光强度
  • 1篇盖层
  • 1篇SINX
  • 1篇SI异质结

机构

  • 3篇浙江大学

作者

  • 3篇杨德仁
  • 2篇马向阳
  • 1篇徐韵
  • 1篇蒋昊天
  • 1篇李云鹏
  • 1篇杨扬
  • 1篇金璐
  • 1篇余学功
  • 1篇郑雪
  • 1篇朱辰

传媒

  • 3篇物理学报

年份

  • 1篇2014
  • 2篇2013
3 条 记 录,以下是 1-3
排序方式:
α-Si:H/SiNx叠层薄膜对晶体硅太阳电池的钝化被引量:3
2013年
利用等离子增强化学气相沉积法在硅衬底上制备了α-Si:H/SiNx叠层薄膜用来钝化晶体硅太阳电池.用有效少子寿命表征薄膜的钝化效果,通过模拟高频电容-电压测试结果分析薄膜钝化的机理.将α-Si:H/SiNx薄膜的钝化效果与使用相同方法制备的α-Si:H薄膜进行对比,发现α-Si:H/SiNx薄膜的钝化效果明显优于α-Si:H薄膜.不同温度下热处理后,α-Si:H/SiNx薄膜的钝化效果随着温度的上升先提高后降低.在最佳热处理温度300°C下进行热处理,α-Si:H/SiNx薄膜的钝化效果能在90 min内始终保持优于α-Si:H薄膜.模拟计算结果表明,α-Si:H/SiNx薄膜的钝化效果与α-Si:H/Si界面处的态密度有关.
郑雪余学功杨德仁
关键词:太阳电池钝化
SnO_2/p^+-Si异质结器件的电致发光:利用TiO_2盖层提高发光强度被引量:1
2014年
通过在重掺硼硅(p+-Si)衬底上溅射SnO2薄膜并在O2气氛下800℃热处理形成SnO2/p+-Si异质结.基于该异质结的器件可在低电压(电流)驱动下电致发光.进一步地,通过在SnO2薄膜上增加TiO2盖层,使器件的电致发光获得显著增强.这是由于TiO2盖层的引入,一方面使SnO2薄膜更加致密,减少了非辐射复合中心;另一方面TiO2较大的折射率和合适的厚度使SnO2薄膜电致发光的出光效率得到提高.
蒋昊天杨扬汪粲星朱辰马向阳杨德仁
关键词:SNO2电致发光
脉冲激光沉积法制备的ZnO薄膜的低阈值电抽运紫外随机激射被引量:4
2013年
分别采用直流反应溅射法和脉冲激光沉积法在硅衬底上沉积ZnO薄膜,用X射线衍射、扫描电镜、光致发光谱等手段对两种方法沉积的ZnO薄膜的结晶状态、表面形貌和光致发光等进行了表征.进一步对比研究了以上述两种方法制备的ZnO薄膜作为发光层的金属-绝缘体-半导体结构器件的电抽运紫外随机激射.结果表明,与以溅射法制备的ZnO薄膜作为发光层的器件相比,以脉冲激光沉积法制备的ZnO薄膜为发光层的器件具有更低的紫外光随机激射阈值电流和更高的输出光功率.这是由于脉冲激光沉积法制备的ZnO薄膜中的缺陷更少,从而显著地减少了紫外光在光散射过程中的光损耗.
徐韵李云鹏金璐马向阳杨德仁
关键词:ZNO薄膜脉冲激光沉积
共1页<1>
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