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国家重点基础研究发展计划(2006CB-601004)

作品数：1 被引量：3H指数：1
相关作者：禹争光郭建栋高召顺马衍伟王栋梁更多>>
相关机构：北京大学中国科学院日本东北大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域：理学更多>>

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇理学

主题

  • 1篇性能研究
  • 1篇SIC掺杂

机构

  • 1篇北京大学
  • 1篇日本东北大学
  • 1篇中国科学院

作者

  • 1篇张现平
  • 1篇王栋梁
  • 1篇马衍伟
  • 1篇高召顺
  • 1篇郭建栋
  • 1篇禹争光

传媒

  • 1篇科学通报

年份

  • 1篇2006
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
纳米SiC掺杂MgB2超导带材的制备及其性能研究被引量：3
2006年
采用粉末装管法制备了SiC掺杂的MgB2带材系列样品.通过X射线衍射仪、扫描电子显微镜和超导量子干涉仪等仪器对样品进行了表征.实验结果表明,SiC掺杂对于提高MgB2带材的超导性能具有十分有效的作用.掺杂量为5%时,在4.2K和10T条件下,掺杂样品的临界电流密度高达9024A/cm2,是未掺杂样品的32倍多.掺杂样品在高磁场下具有良好的临界电流性能主要归因于C对B的替代所产生的晶格畸变、位错等缺陷和局部成分变化而导致的有效晶内钉扎作用,同时由于掺杂而提高的晶粒连接性也对临界电流密度的提高起到一定作用.
张现平马衍伟高召顺王栋梁禹争光Watanabe Kazuo郭建栋
关键词：SIC掺杂
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