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国家自然科学基金(61076042)

作品数：5 被引量：23H指数：3
相关作者：徐智谋孙堂友彭静徐海峰张铮更多>>
相关机构：华中科技大学武汉科技大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划国家重大科学仪器设备开发专项更多>>
相关领域：电子电信机械工程更多>>

文献类型

  • 5篇中文期刊文章

领域

  • 4篇电子电信
  • 1篇机械工程

主题

  • 4篇纳米
  • 4篇纳米压印
  • 1篇电阻
  • 1篇电阻开关
  • 1篇多孔硅
  • 1篇阳极氧化铝
  • 1篇氧化锌薄膜
  • 1篇阵列
  • 1篇深紫外
  • 1篇抛物面
  • 1篇无损检测
  • 1篇纳米压印技术
  • 1篇截顶
  • 1篇晶态
  • 1篇晶体
  • 1篇抗反射
  • 1篇拉曼
  • 1篇拉曼光谱
  • 1篇光谱
  • 1篇光栅

机构

  • 5篇华中科技大学
  • 3篇武汉科技大学

作者

  • 5篇徐智谋
  • 4篇孙堂友
  • 3篇彭静
  • 2篇刘世元
  • 2篇张铮
  • 2篇武兴会
  • 2篇徐海峰
  • 1篇刘思思
  • 1篇刘斌昺
  • 1篇邹超
  • 1篇赵文宁
  • 1篇吴小峰
  • 1篇陈修国
  • 1篇马智超
  • 1篇何健
  • 1篇张学明
  • 1篇张涛

传媒

  • 4篇物理学报
  • 1篇无机材料学报

年份

  • 3篇2014
  • 2篇2013
共 5 条 记 录，以下是 1-5
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排序方式：
硅表面抗反射纳米周期阵列结构的纳米压印制备与性能研究被引量：5
2013年
硅表面固有的菲涅耳反射,使得硅基半导体光电器件(如太阳能电池、红外探测器)表面有30%以上的入射光因反射而损失掉,严重影响着器件的光电转换效率.寻找一种方法降低硅基表面的反射率,进而提高器件的效率成为近年来研究的重点.本文基于纳米压印光刻技术,在2英寸单晶硅表面制备出周期530nm,高240nm的二维六角截顶抛面纳米柱阵列结构.反射率的测试表明,当入射光角度为8°时,有纳米结构的硅片相对于无纳米结构的硅片来讲,在400到2500nm波长范围内的反射率有很明显的降低,其中,800到2000nm波段的反射率都小于10%,在波长1360nm附近的反射率由31%降低为零.结合等效介质理论和严格耦合波理论对结果进行了分析和验证.
张铮徐智谋孙堂友何健徐海峰张学明刘世元
关键词：纳米压印抗反射
基于光谱椭偏仪的纳米光栅无损检测被引量：1
2014年
本文制备了硅基和光刻胶两种材料的纳米光栅,利用光谱椭偏仪对该纳米结构的光栅进行了测量,随后利用建立的拟合模型对其测量数据进行了拟合,结果证明了运用该仪器进行纳米光栅结构无损检测的可行性,在入射角60?,方位角75?的测量条件下,纳米结构关键尺寸、侧壁角等三维形貌参数的测量精度最大可达99.97%,该技术对于无损检测有着一定的推动意义.
马智超徐智谋彭静孙堂友陈修国赵文宁刘思思武兴会邹超刘世元
关键词：纳米压印光栅无损检测
纳米压印多孔硅模板的研究被引量：4
2014年
纳米压印模板通常采用极紫外光刻、聚焦离子束光刻和电子束光刻等传统光刻技术制备,成本较高.寻找一种简单、低成本的纳米压印模板制备方法以提升纳米压印光刻技术的应用成为研究的重点与难点.本文以多孔氧化铝为母模板,采用纳米压印光刻技术对纳米多孔硅模板的制备进行了研究.在硅基表面成功制备出纳米多孔阵列结构,孔间距为350—560 nm,孔径在170—480 nm,孔深为200 nm.在激发波长为514 nm时,拉曼光谱的测试结果表明,相对于单面抛光的硅片,纳米多孔结构的硅模板拉曼光强有了约12倍左右的提升,对提升硅基光电器件的应用具有重要的意义.最后,利用多孔硅模板作为纳米压印母模板,通过热压印技术,成功制备出了聚合物纳米柱软模板.
张铮徐智谋孙堂友徐海峰陈存华彭静
关键词：纳米压印阳极氧化铝多孔硅拉曼光谱
纳米压印技术制备表面光子晶体LED的研究被引量：11
2013年
利用表面光子晶体能大幅提高发光二极管(LED)的外量子效率,但如何制备大面积的纳米光子晶体是该研究方向的主要难点之一.本文基于纳米压印技术在氮化镓基发光二极管(GaN-LED)表面制作孔状二维光子晶体.通过以金属和聚合物双层掩膜干法刻蚀法,得到了很好的光子晶体图形转移效果.最终在LED的p-GaN层表面获得了大面积光子晶体,周期为450nm,纳米孔直径为240nm.器件测试结果显示,有表面光子晶体的LED比没有光子晶体的LED,光致发光强度峰值提高到了7.2倍.
彭静徐智谋吴小峰孙堂友
关键词：光子晶体纳米压印发光二极管
室温下制备非晶ZnO薄膜及其电阻开关特性研究被引量：3
2014年
室温下采用紫外固化的方法取代溶胶–凝胶方法中的高温退火制备了氧化锌薄膜,XRD分析结果表明薄膜为非晶的,XPS分析结果表明薄膜的主要成分是ZnO。在深紫外固化后的薄膜表面溅射Al作为顶电极获得Al/a-ZnO/FTO结构的器件,研究深紫外照射时间对器件电阻转变性能的影响,进一步解释了深紫外固化的机制。研究表明:经过充足时间(12h)照射的器件表现出双极性电阻开关特性,阈值电压分布集中(–3.7 V
张涛徐智谋武兴会刘斌昺
关键词：电阻开关
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