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类氖氙离子基态的双电子复合过程研究被引量：1: 2013年; 使用相对论组态相互作用方法计算了电子温度在0.01E I≤kT e≤10E I(E I=3 332 eV,是类钠Xe43+离子的第一电离能)范围内基态类氖Xe44+离子的双电子复合(DR)速率系数。对类氖Xe44+离子基态DR过程贡献最大的是(2s2p)73ln'l'双激发自电离组态,对总DR速率系数的贡献略大于90%,其中最主要的贡献来自(2s2p)73l3l',(2s2p)73l4l'组态,占总速率系数的70%以上。对于通过(2s2p)73ln'l'类钠氙离子双激发自电离组态的双电子复合过程,l'>8的贡献可以忽略,n'>12的贡献满足n'-3组态-组态外推法则。; 杨建会范强张建平; 关键词：双电子复合速率系数

类氖氙离子的LMM双电子伴线细致能级研究: 2014年; 使用相对论组态相互作用方法(relativistic configuration interaction,RCI)和细致能级-能级方式计算了类氖氙离子单激发态的能级、类氖氙离子LMM双电子伴线的辐射跃迁能量、辐射衰退几率和强度因子,计算中包含了Breit相互作用、真空极化和自能。对比了氖氙离子LMM双电子伴线与其母线的波长和强度因子,结果表明:双电子伴线与其母线的波长相差不大,强度比对温度的变化很敏感,类氖氙离子LMM双电子伴线强度与母线强度比可应用于氙等离子体温度的诊断。; 杨建会范强张建平; 关键词：跃迁几率

I^(51+)离子的KLn双电子复合过程研究: 2014年; 使用相对论组态相互作用方法计算类氦I离子的KLn双电子共振强度、速率系数.双电子复合共振强度随着n的增加迅速降低.对于同一个双激发态,通过内壳层衰退的双电子复合共振强度和速率系数高于通过外壳层衰退的双电子复合共振强度和速率系数.通过内壳层2p电子辐射衰退的通道1s2pnl-1s2nl是最主要的KLn双电子复合辐射衰退通道.1s2pnl-1s2nl辐射衰退通道中对双电子复合速率系数贡献最大的是1s2p2-1s22p辐射衰退通道.1s2p2-1s22p辐射衰退通道的双电子复合速率系数占1s2pnl-1s2nl辐射通道速率系数的70%.; 杨建会范强张建平; 关键词：截面速率系数

类氖氙离子LMn双电子复合模拟谱: 2015年; 在双电子复合过程发生的能量范围内,发射X光子的原子过程除双电子复合过程外还有辐射复合、共振激发、共振复合以及直接激发原子过程.本文使用相对论组态相互作用方法计算了这些过程的截面,比较了在双电子复合过程发生的能量范围内这些原子过程的截面与双电子复合过程截面,探讨了这些过程对双电子复合过程的影响.研究结果表明,辐射复合截面随入射电子束能量的增大迅速减小,在双电子复合能量范围内几乎为一常数,可以作为本底来处理;共振激发和共振复合过程对双电子复合过程的影响可以忽略不计;当入射电子束能量高于靶离子的第一激发能时,电子碰撞直接激发截面与高Rydberg态的截面连成一片,随着入射电子束能量的增加,电子碰撞直接激发截面越来越大,这时必须考虑直接激发过程.使用相对论组态相互作用方法计算了类氖氙离子的双电子复合截面,其结果与已有的部分实验和理论结果很吻合.; 杨建会范强张建平; 关键词：双电子复合截面

类氖等电子系列离子基态的双电子复合速率系数研究被引量：3: 2012年; 使用全相对论组态相互作用方法,能级-能级细致计算了0.1E_I≤kT_e≤10E_I(E_I是类钠离子基态的第一电离能)温度范围内类氖离子基态双电子复合(DR)速率系数,双激发自电离能级考虑了(2s2p)~73ln'l',(2s2p)~74l4l'以及(2s2p)~74l5l'组态.对于(2s2p)~73ln'l'双激发自电离组态,轨道角量子数l'>8的(2s2p)~73ln'l'双激发自电离态对双电子复合速率系数的贡献可以忽略不计;(2s2p)~73ln'l'双激发自电离组态的高里德堡态对双电子复合速率系数的贡献满足n'^(-3)组态-组态外推法,并且核电荷数越大,趋于n'^(-3)标度的n'值越小;对细致能级计算得到的类氖离子基态的总DR速率系数进行了拟合,得到类氖离子基态的总DR速率系数随核电荷数Z和电子温度变化的经验公式,该拟合公式与细致计算结果的偏差在2%以内,能较准确的计算任意核电荷数Z的类氖离子在0.1E_I≤kT_e≤10E_I电子温度范围的DR速率系数.Burgess-Merts(BM)近似公式不适用于估算低温(kT_e<0.3E_I)类氖离子的DR速率系数,在高温(kT_e>2E_I)时,类氖离子的DR速率系数可以用BM近似公式表示.; 杨建会范强张建平; 关键词：双电子复合类氖离子速率系数

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四川省自然科学基金(2011JYZ005)