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博士科研启动基金(y2006091)

作品数:2 被引量:4H指数:1
相关作者:刘保亭娄建忠陈江恩孙杰周阳更多>>
相关机构:河北大学更多>>
发文基金:河北省自然科学基金河北省教育厅科学技术研究计划博士科研启动基金更多>>
相关领域:理学更多>>

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 2篇理学

主题

  • 2篇导电
  • 2篇导电机制
  • 2篇SR
  • 2篇BST薄膜
  • 2篇BA
  • 1篇退火
  • 1篇脉冲激光
  • 1篇脉冲激光沉积
  • 1篇快速退火
  • 1篇及物性
  • 1篇PT

机构

  • 2篇河北大学

作者

  • 2篇娄建忠
  • 2篇刘保亭
  • 1篇周阳
  • 1篇郭哲
  • 1篇孙杰
  • 1篇张金平
  • 1篇李曼
  • 1篇王军
  • 1篇陈江恩

传媒

  • 2篇人工晶体学报

年份

  • 2篇2010
2 条 记 录,以下是 1-2
排序方式:
(001)高度择优取向Ba_(0.6)Sr_(0.4)TiO_3/Pt异质结的结构及性能被引量:1
2010年
采用射频磁控溅射法结合高真空后退火处理,在MgO(001)单晶基片上制备了Pt薄膜。应用脉冲激光沉积法在Pt/MgO上进一步生长了Ba0.6Sr0.4TiO3(BST)薄膜。借助X射线衍射仪(XRD)、铁电测试仪、LCR表研究了BST/Pt/MgO的结构和性能。研究发现,700℃真空退火可以保证Pt薄膜在MgO基片上实现(001)高度择优生长,以(001)Pt薄膜为模板,可以进一步获得(001)高度择优取向具有铁电性能BST薄膜。在100 Hz测试频率下,BST薄膜最大介电常数为1100、调谐率为81%、品质因数为21;在7 V的电压下,漏电流密度1.85×10-5A/cm2,进一步分析表明,BST薄膜在0-2.6 V之间满足欧姆导电机制,在2.6-7 V之间满足普尔-弗兰克导电机制。
郭哲刘保亭王军李曼张金平娄建忠
关键词:BST薄膜脉冲激光沉积导电机制
非晶Ni-Al阻挡层对快速退火制备的硅基Ba_(0.6)Sr_(0.4)TiO_3薄膜结构及物性影响的研究被引量:4
2010年
应用非晶Ni-Al薄膜作为扩散阻挡层,采用磁控溅射法和溶胶-凝胶法在Pt/TiO2/SiO2/Si(001)衬底上制备了Pt/Ni-Al/Ba0.6Sr0.4TiO3/Ni-Al/Pt电容器结构,研究了在650~800℃温度范围内快速退火(RTA)工艺对电容器结构和物理性能的影响。结果表明:在外加电场为-100 kV/cm时,700℃和750℃退火样品的介电常数达到最大,分别为150和170。非晶Ni-Al薄膜的应用可以有效地降低BST薄膜的漏电流密度。650℃退火样品在整个测试电场范围内满足欧姆导电机制;700℃、750℃和800℃退火样品分别在电压低于-3.67 V、-2.65 V和-2.14 V时满足欧姆导电机制,在电压高于-3.67 V、-2.65 V和-2.14 V时满足普尔-弗兰克导电机制。
孙杰刘保亭陈江恩娄建忠周阳
关键词:BST薄膜快速退火导电机制
共1页<1>
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