武器装备预研基金(51411040105DZ0141)
- 作品数：5 被引量：25H指数：2
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- 相关机构：西安电子科技大学中国人民解放军西安通信学院更多>>
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- 微传感器制备中多孔硅牺牲层技术的研究
- 2008年
- 采用双槽电化学腐蚀法成功的制备了多孔硅,从多孔硅的SEM照片中发现,孔径尺寸小,均匀性好,腐蚀深度大(超过100μm),在极稀的弱碱溶液中就可以得到去除,然后对双槽化学腐蚀法中腐蚀时间及电流对腐蚀速率的影响进行了研究,最后进一步探讨了多孔硅外貌与硅衬底晶向之间的关系。
- 娄利飞李跃进杨银堂汪家友
- 关键词：多孔硅牺牲层MEMS
- 用于微传感器中PZT压电薄膜的制备和图形化被引量：3
- 2008年
- 采用溶胶-凝胶法在Si/Si3N4/Poly-Si/Ti/Pt基片上制备PZT压电薄膜,为了选择更适合微电子机械系统(MEMS)器件的压电薄膜,采用一般热处理和快速热处理对锆钛酸铅(PZT)压电薄膜进行干燥和结晶。首先,采用V(H2O):V(HCL):V(HF)=280 mL:120 mL:4drops(4滴HF溶液)配比的腐蚀液在室温下对未结晶的PZT压电薄膜进行了湿法腐蚀微细加工;然后,对图形化好的压电薄膜进行再结晶的热处理,实验结果表明这种方法可用于压电薄膜微器件的制备。
- 娄利飞杨银堂李跃进
- 关键词：压电薄膜微传感器湿法化学刻蚀
- 硅基PZT压电薄膜微开关的设计和制作被引量：1
- 2007年
- 对硅基锆钛酸铅(PZT)压电薄膜微开关进行了结构和版图设计,根据MEMS加工工艺和标准硅基IC工艺的特点,获得了硅基PZT压电薄膜微悬臂梁结构系统工艺流程中的关键工艺技术和典型工艺条件,对多孔硅的选择性生长进行了较为详细的实验研究,最后成功的制备出硅基PZT压电薄膜做开关样品,这对集成化芯片系统的进一步发展打下了必要的良好的实验基础。
- 娄利飞杨银堂李跃进
- 关键词：压电薄膜微开关多孔硅
- 压电薄膜微传感器振动模态的仿真分析被引量：20
- 2006年
- 以压电本构方程为基础,建立了压电薄膜微传感器机电耦合的有限元模型,采用有限元分析软件ANSYS7.0对压电薄膜微传感器进行了模态分析,同时分析了压电薄膜微传感器的结构尺寸对振动模态的影响,探讨了影响压电薄膜微传感器工作稳定性和响应速度的关键因素,结果表明为了提高压电薄膜微传感器的工作稳定性和响应速度,应该在符合工艺要求和保证其它特性的前提下,尽量减小微悬臂梁结构长度,增加多晶硅层厚度,限制PZT层厚度,而微悬臂梁宽度的影响较小。
- 娄利飞杨银堂樊永祥李跃进
- 关键词：压电薄膜有限元分析微传感器模态分析
- 一种基于压电薄膜逆压电效应的新型集成微镜被引量：1
- 2007年
- 设计了一种采用锆钛酸铅(PZT)压电薄膜悬臂梁作为驱动机理的500μm×500μm微镜结构。该微镜主要由4个悬臂梁与1个反射镜组成,4个悬臂梁起支撑微镜的作用,即微镜主要利用微悬臂梁自由端头的小挠度来实现垂直方向的位移。提出了与互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺相兼容的制作方法,利用有限元软件ANSYS7.0对压电微镜的反射镜平整度、结构机械强度、线性度、响应速度和功耗等性能进行了研究,并与数值计算结果进行了比较,结果表明此微镜达到了快速、高精度、低功耗的设计要求。
- 娄利飞杨银堂汪家友毕发社
- 关键词：有限元模拟压电薄膜
