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国家自然科学基金(61076030)

作品数:6 被引量:13H指数:2
相关作者:陈晓飞林双喜邹雪城张力沈军更多>>
相关机构:华中科技大学武汉工程大学武汉芯泰科技有限公司更多>>
发文基金:国家自然科学基金湖北省自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信自动化与计算机技术更多>>

文献类型

  • 6篇中文期刊文章

领域

  • 4篇电子电信
  • 2篇自动化与计算...

主题

  • 3篇CMOS
  • 2篇线性度
  • 2篇放大器
  • 2篇放大器设计
  • 1篇单相
  • 1篇单相BOOS...
  • 1篇低噪
  • 1篇低噪声
  • 1篇低噪声放大器
  • 1篇电池
  • 1篇电池组
  • 1篇电流
  • 1篇噪声系数
  • 1篇阵列
  • 1篇射频
  • 1篇射频功率
  • 1篇射频功率放大...
  • 1篇数字控制
  • 1篇前馈
  • 1篇前馈补偿

机构

  • 5篇华中科技大学
  • 3篇武汉工程大学
  • 1篇武汉芯泰科技...

作者

  • 5篇陈晓飞
  • 3篇林双喜
  • 2篇邹雪城
  • 2篇沈军
  • 2篇张力
  • 1篇李小晶
  • 1篇张科峰
  • 1篇王涛
  • 1篇邹俊

传媒

  • 2篇华中科技大学...
  • 1篇半导体技术
  • 1篇Journa...
  • 1篇微电子学与计...
  • 1篇电力电子技术

年份

  • 2篇2015
  • 2篇2014
  • 1篇2013
  • 1篇2010
6 条 记 录,以下是 1-6
排序方式:
On-chip power-combining techniques for watt-level linear power amplifiers in 0.18 μm CMOS
2015年
Three linear CMOS power amplifiers (PAs) with high output power (more than watt-level output power) for high data-rate mobile applications are introduced. To realize watt-level output power, there are two 2.4 GHz PAs using an on-chip parallel combining transformer (PCT) and one 1.95 GHz PA using an on-chip series combining transformer (SCT) to combine output signals of multiple power stages. Furthermore, some linearization techniques including adaptive bias, diode linearizer, multi-gated transistors (MGTR) and the second harmonic control are applied in these PAs. Using the proposed power combiner, these three PAs are designed and fabricated in TSMC 0.18 μm RFCMOS process. According to the measurement results, the proposed two linear 2.4 GHz PAs achieve a gain of 33.2 dB and 34.3 dB, a maximum output power of 30.7 dBm and 29.4 dBm, with 29% and 31.3% of peak PAE, respectively. According to the simulation results, the presented linear 1.95 GHz PA achieves a gain of 37.5 dB, a maximum output power of 34.3 dBm with 36.3% of peak PAE.
任志雄张科峰刘览琦李聪陈晓飞刘冬生刘政林邹雪城
关键词:CMOSLINEARITYTRANSFORMERS
带有源巴伦的CMOS宽带低噪声放大器设计被引量:6
2013年
设计了一种400~800MHz带有源巴伦的低噪声放大器(balun-LNA).电路输入级采用共栅结构实现宽带匹配,输出端使用共源漏技术来实现巴伦功能,将单端输入信号转变为差分输出信号,利用参数优化设计来降低噪声性能.电路采用TSMC 0.18μm RF CMOS工艺仿真,结果表明:在400~800 MHz工作频段内,balun-LNA的输入反射系数小于-12dB,噪声系数为3.5~4.1dB,电压增益为18.7~20.5dB,在3.3V电压下功耗约为17.8mW.
陈晓飞李小晶邹雪城林双喜
关键词:低噪声放大器宽带噪声系数
一种提高分段式DAC线性度测试效率的方法
2015年
随着数模转化器(DAC)位数的增加,模拟量的步进值越来越小,数字万用表的精度和负载电阻的热效应成为影响DAC线性度测量的重要因素。基于分段式电流舵DAC的结构,结合其二进制和温度计译码电路的特点,从理论上提出了一种使用简码测试线性度的方法,并以一款分段式10 bit DAC为例,分别采用简码和传统的全码方法验证了它的微分非线性DNL与积分非线性INL。结果表明,简码测试和全码测试得到的DNL与INL曲线趋势一致,但简码测试效率高,仅占全码测试周期的1/8;另外简码测试减小了负载电阻温漂引入的误差,因此相比全码测试线性度的性能提高了0.1-0.2 LSB。
夏达方张科峰陈晓飞
关键词:微分非线性积分非线性
数字控制单相boost-PFC系统的优化设计被引量:4
2010年
提出一种具有低谐波失真、高功率因数、快速动态响应的数字PFC系统优化设计方法.从输入导纳的角度分析了影响电流波形失真的主要原因,提出一种在传统PI控制基础上结合前馈补偿的电流内环控制优化算法,减小输入电流谐波失真,提高功率因数;采用PI调节与惯性低通滤波相结合的电压外环控制方法,消除二次谐波影响,同时保证输出电压的快速响应.基于FPGA的实验结果验证了本方法的有效性,实验表明:本设计的功率因数校正电路总谐波失真为6.14%,功率因数可达99.85%.
陈晓飞王涛邹雪城林双喜
关键词:功率因数校正数字控制现场可编程门阵列前馈补偿
高线性度CMOS射频AB类功率放大器设计被引量:2
2014年
CMOS射频AB类功率放大器广泛应用于单片集成无线芯片内.采用恒定最大电流的方法对其效率进行分析,采用归一化输入电压的方法对其线性度进行分析.利用AB类功率放大器系统增益的非线性与CMOS跨导非线性相互补偿,提高了CMOS射频AB类放大器的线性度.基于TSMC 0.18μm CMOS混合信号工艺,设计了一款两级射频AB类功率放大器.该射频功率放大器差动输入,单端输出,工作频段为804~940MHz,工作电压为3V.仿真指标为:增益为11dB,输出1dB压缩点为17.2dBm,OIP3为18.2dBm,附加效率为37%.
陈晓飞沈军张力林双喜
关键词:射频功率放大器CMOS线性度
基于UC3843的锂离子电池组均衡电路设计被引量:1
2014年
锂离子电池组中单体电池差异会严重影响电池组寿命。此处采用UC3843实现恒功率多路输出反激电源,利用多路TL431结合光耦实现各单体电池电压的采样反馈,同时实现了主动均衡结合被动均衡的新颖均衡结构。测试表明,效率高达78.8%,均衡总电流最大可达3 A。
陈晓飞邹俊沈军张力
关键词:电池组恒功率
共1页<1>
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