西安市科技计划项目(CXY1012)
- 作品数：6 被引量：23H指数：3
- 相关作者：肖剑张林邱彦章程鸿亮候浩录更多>>
- 相关机构：长安大学西安理工大学中国电子科技集团第十三研究所更多>>
- 发文基金：西安市科技计划项目中央高校基本科研业务费专项资金陕西省自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信电气工程天文地球更多>>
- 一种多输出的快速高电源抑制比带隙基准被引量：1
- 2010年
- 设计并实现了一种简单的、多输出的带隙基准电路,利用pnp型双极型晶体管作为射极跟随器驱动带隙基准,工作电流由与绝对温度成正比的电流源提供,并且设计了启动电路。基于CSMC 0.5μm工艺对电路进行了优化,仿真表明在全温度范围内基准电压变化2.72 mV,低频电源抑制比高于-100 dB,输出建立时间10μs;对降压型DC-DC电源芯片的直流和交流测试表明,基准工作稳定可靠。
- 肖剑任国栋
- 关键词：带隙基准多输出电源抑制比
- Ti/4H-SiC肖特基势垒二极管抗辐射特性的研究被引量：11
- 2011年
- 本文采用γ射线、高能电子和中子对Ti/4H-SiC肖特基势垒二极管(SBD)的抗辐射特性进行了研究.研究发现对于γ射线和1MeV电子辐照,-30V辐照偏压对器件的辐照效应没有明显的影响.经过1Mrad(Si)的γ射线或者1×l013n/cm2的中子辐照后,Ti/4H-SiC肖特基接触都没有明显退化;经过3.43×1014e/cm2的1MeV电子辐照后Ti/4H-SiC的势垒高度比辐照前轻微下降,这是由于高能电子引入的电离损伤造成的,且可以在常温下退火恢复.分别经过1Mrad(Si)的γ射线和3.43×1014e/cm2的电子辐照后,器件反向电流的变化都比较轻微,显示了良好的抗辐射特性.实验同时还发现电子和中子辐照会造成器件串联电阻增加.
- 张林肖剑邱彦章程鸿亮
- 关键词：肖特基辐照偏压
- 基于泊松模型的X射线脉冲星信号的最大似然TOA估计被引量：4
- 2010年
- 讨论了X射线脉冲星光子到达的周期平稳Poisson模型和到达时刻(Time of arrival,TOA)估计问题.在此基础上,得到了脉冲到达时刻的最大似然估计和克拉美-罗限(Cramer-Rao boundary,CRB),并推导了低信噪比情况下的似然函数近似表达和克拉美-罗限.利用解析的脉冲轮廓,对PSR B1821-24的TOA估计进行了Monte Carlo仿真,讨论了不同观测时间和信噪比下的估计误差,给出了相应的信噪比门限.研究表明:该分析方法能够有效估计X射线脉冲星的TOA定时精度,有利于评估其在各种应用中的性能.
- 李建勋柯熙政
- 关键词：脉冲星数据分析
- SiC JFET功率特性的仿真与优化被引量：2
- 2012年
- 建立了常关型SiC结型场效应晶体管(JFET)功率特性的数值模型,研究了不同的结构和材料参数对器件功率特性的影响。仿真结果显示,沟道层、漂移层等各层的厚度及掺杂浓度对器件的开态电阻和击穿电压都有明显的影响;采用电流增强层可以明显提高器件的功率特性。研究结果表明,对SiC JFET的结构参数进行优化,可以有效提高器件的优值(FOM)。
- 张林杨霏肖剑邱彦章
- 关键词：碳化硅结型场效应晶体管
- 空心电抗器电感的解析计算被引量：4
- 2011年
- 在空心电抗器的设计中,一个重要的技术参数就是电感的计算。通过将电抗器绕组内部及周围的磁感应强度划分成径、轴向两个分量,再将绕组中间段(xoy面上的绕组)内部沿径向均匀划分,将薄绕组表面沿轴向均匀划分,准确地计算出了穿过整个薄绕组的总磁通量和穿过每份绕组的磁通量,再由磁通量计算感应电势,由感应电势计算电抗器的自感和互感。给出了空心电抗器电感及互感计算的程序框图和计算实例,计算结果表明了该方法的准确性和实用性。
- 郑莉平候浩录王宏江
- 关键词：空心电抗器磁通量电感
- SiC肖特基栅JFET功率特性的研究被引量：2
- 2012年
- 提出了一种新型结构的SiC结型场效应晶体管,采用肖特基接触替代P+型栅区,以降低SiC JFET的工艺复杂度,并提高器件的功率特性。建立了器件的数值模型,对不同材料和结构参数下的功率特性进行了仿真。结果表明,与PN结栅相比,肖特基栅结构可以有效降低SiC JFET的开态电阻;与常规结构的双极模式SiC JFET相比,在SiC肖特基栅JFET的栅极正偏注入载流子,同样可以有效降低器件的开态电阻,折中器件的正反向特性,但不会延长开关时间。
- 张林肖剑谷文萍邱彦章
- 关键词：碳化硅结型场效应晶体管
