公共文化服务平台

共 5 条记录，以下是 1-5

全选清除导出

排序方式：

9 kHz～1.4 GHz高精度快速随机跳频DDS频率合成器被引量：2: 2019年; 为适应微波系统对频率合成器在高频率精度、频率捷变、随机跳频等方面的要求,文中设计了一种基于DDS芯片AD9914的频率合成器。论文阐述了优化频率控制字的计算方法,结合线性反馈移位寄存器LFSR产生随机跳频点,并利用FPGA对AD9914进行软硬件控制,使该频率合成器能够达到10-5 Hz的频率精度以及百纳秒内的随机扫频。测试结果表明在输出9 kHz^1.4 GHz频率时,该频率源频点准确,全频带扫频且跳频切换时间为90 ns,达到了高精度捷变频的目标,应用前景广阔。; 王家敏杨青慧张怀武; 关键词：快速跳频频率控制字 LFSR

一种宽阻带窄带腔体滤波器的设计被引量：2: 2020年; 该文介绍了一种窄带带通腔体滤波器的原理和设计方法,通过加载电容原理,使滤波器的寄生通带远离通频带,并设计了带哑铃型横杆的谐振器结构,在谐振器连接点形成电压驻波零点,从而进一步抑制滤波器的寄生通带,实现了具有宽阻带的带通腔体滤波器。最后,利用微波仿真软件CST设计了一款中心频率为2.45 GHz,相对带宽为4.08%的窄带带通腔体滤波器。仿真结果表明,滤波器带外抑制高,阻带范围宽,通带内驻波良好,满足设计指标要求。; 李瑞涛杨青慧张怀武; 关键词：宽阻带带外抑制窄带带通滤波器腔体

一种双耦合双混频中频信号功率反馈电路被引量：2: 2019年; 在自动电平控制系统中,常用功率反馈电路存在一个主要限制:调幅动态范围受限于电平检波器和相关电路,使其远远低于线性调制器的功率可变范围。文中介绍了一种双耦合双混频中频信号功率反馈电路,使检波器只需检测固定中频信号的功率大小即可反馈调节射频输出信号的功率幅度。经测试,电路射频输入信号在2~4 GHz变化时,得到的中频信号频率固定不变,等于晶振信号54 MHz。线性调制器的衰减量在0~31.5 dB变化时,中频信号功率与射频输出信号功率成良好的线性关系,满足预期的设计要求。; 郑仁平杨青慧张怀武; 关键词：自动电平控制检波器

面外取向的(BiTm)_(3)(GaFe)_(5)O_(12)磁光单晶薄膜制备及取向机理分析被引量：1: 2021年; 铋取代石榴石(Bi:YIG)薄膜具有较大的比法拉第旋角,且可通过调控其易磁化轴垂直于薄膜表面和降低材料饱和磁化强度,使其可工作在较小外加磁场下,进而满足磁光器件小型化、节能化的发展需求.本文基于对石榴石薄膜磁各向异性的理论分析,采用液相外延(liquid-phase epitaxy,LPE)法在钆镓石榴石(gadolinium gallium garnet,GGG)基底上制备了单晶(BiTm)_(3)(GaFe)_(5)O_(12)膜,并研究了其磁各向异性性能.研究发现,当外延膜厚度大于1μm时,形状各向异性对磁各向异性产生的影响可以忽略;随着生长温度的上升,进入薄膜组分的Bi^(3+)离子数量逐渐减少,薄膜晶格常数逐渐减小,薄膜的受力状态从压应力状态逐渐变为张应力;相较于生长感生各向异性,应力诱导的各向异性在磁各向异性的变化中占主导地位.(BiTm)_(3)(GaFe)_(5)O_(12)膜的Verdet常数为11.8×10^(4) rad/Tm@1064 nm,是常用磁光材料TGG的3000倍;其外加工作磁场小于200 Oe,有利于实现磁光器件的小型化和薄膜化.; 杨雪杨青慧张怀武文岐业白飞明钟智勇张鼎黄建涛; 关键词：液相外延磁各向异性晶格失配

一种射频放大器上电时序及偏置点控制方法被引量：1: 2021年; 射频放大器存在上电时序复杂且延时不精确,偏置点不易达到器件要求的问题。针对该问题,文中提出了一种基于STM32F302K8的射频放大器上电时序及偏置点控制的方法。通过单片机IO控制电源芯片上电,中断程序精确延时,保证射频放大器HMC637漏极电源和栅极电源按顺序上电。根据ADC采样偏置电流,采用DAC调节HMC637栅极电压,使得偏置电流达到要求值。测试结果表明,文中设计的方案可实现HMC637各电源按程序所设6 ms间隔顺序上电。调节栅极电压使偏置电流达到目标值400 mA,偏置流程完全符合器件要求。此外,该方案不受器件工艺等因素影响,具有自适应性,应用前景广阔。; 何强杨青慧张怀武; 关键词：射频放大器 STM32 偏置电流 ADC DAC

全选清除导出

共1页<1>

国家自然科学基金(51272036)