国家自然科学基金(51164033)
- 作品数：20 被引量：46H指数：4
- 相关作者：罗玉峰张发云胡云彭华厦宋华伟更多>>
- 相关机构：新余学院南昌大学中国科学院大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金江西省教育厅科学技术研究项目江西省自然科学基金更多>>
- 相关领域：金属学及工艺电气工程动力工程及工程热物理化学工程更多>>
- 硅太阳电池光谱响应测试技术研究被引量：4
- 2012年
- 对太阳电池光谱响应理论及测试技术的进行了研究,通过绝对光谱响应与量子效率的依赖关系,由绝对光谱响应测数据推导出了太阳电池的外量子效率。采用LabVIEW虚拟仪器技术,系统地将计算机与单色仪、锁相放大器等仪器硬件结合起来,设计了一套集成化及自动化程度较高的太阳电池光谱响应测量系统。系统扫描光谱范围为400～1 200 nm,步进波长最小可达1 nm,可满足硅太阳电池光谱响应测试的需要。该测试系统对硅太阳电池光谱响应及偏置光源下的量子效率进行多次测试,结果表明:测量系统稳定性高,重复性能较好。
- 罗玉峰杨祚宝廖卫兵张发云刘波李玲
- 关键词：太阳电池光谱响应量子效率LABVIEW
- 多晶硅定向凝固过程中热电磁流动的数值模拟
- 2014年
- 采用基于有限元分析方法的COMSOL 4.3a多物理场仿真软件,模拟了稳恒磁场作用下,硅熔体在多晶硅定向凝固过程中热电磁流动的变化规律。结果表明,当0≤B<0.4T时,硅熔体流动区域以及平均流速随着磁感应强度的增大而增大,磁场对硅熔体的流动起促进作用;当磁感应强度为0.4T时,平均流速最大值为60.15μm/s,硅熔体流动能力最强;当0.4T
- 罗玉峰宋华伟张发云胡云彭华厦饶森林
- 关键词：多晶硅定向凝固数值模拟
- 多晶硅太阳电池扩散工艺影响因素分析被引量：2
- 2012年
- 工业生产中普遍采用液态三氯氧磷(POCl3)作为多晶硅太阳电池的扩散磷源。研究了各种工艺参数对扩散方块电阻的大小及均匀性的影响。结果表明:提高扩散温度、增加主扩散时间、减小再分布时间、增加小氮流量、减小大氮流量,可以减小方块电阻;合理设置炉管内的温度分布、适当增加大氮流量,可以改善方块电阻的均匀性;氧气流量对方块电阻影响不大。得到了一组优化的扩散工艺参数,测得方块电阻为55.1Ω/□,片内极差为5.6%,片间极差为3.1%。
- 刘丹娟何伟
- 关键词：太阳电池扩散方块电阻均匀性
- 坩埚厚度对多晶硅定向凝固的影响被引量：5
- 2017年
- 运用Comsol Multiphysics有限元软件对多晶硅的定向凝固过程进行了模拟,分析了不同坩埚厚度(15、20、25 mm)对多晶硅熔化、结晶过程及晶体热应力的影响。结果表明:当坩埚厚度为15 mm时,熔化所需要的时间最短,比坩埚厚度为20 mm和25 mm时分别少31 min和74 min;结晶初期,坩埚厚度为25 mm时的固液界面最为平坦,最有利于晶体的生长;多晶硅晶体底部边缘和顶部边缘区热应力高;坩埚厚度为15 mm时,晶体内热应力最大,且随着坩埚厚度的增大,两个区域的应力都减小。
- 刘志辉罗玉峰饶森林胡云龚洪勇刘杰
- 关键词：多晶硅温度场热应力数值模拟
- 坩埚形状对多晶硅定向凝固热流场的影响被引量：2
- 2014年
- 采用Comsol Multiphysics模拟软件研究了三种不同形状的坩埚(圆形、底部凹形及倒锥形)对多晶硅定向凝固过程中热场及流场的影响。结果显示:圆形和底部凹形坩埚内熔体的热场差异不大,而与这两种坩埚相比,倒锥形的坩埚可以得到更加均匀的热场分布及平直的固液界面;三种坩埚内熔体底部及侧壁区域的热对流变化基本相同,但熔体中心区域不同;圆形及底部凹形坩埚内中心区域的热对流较弱,而倒锥形坩埚内熔体中心区域的热对流较强,这在一定程度上有利于熔体内杂质的排出。
- 罗玉峰饶森林张发云彭华厦王发辉
- 关键词：多晶硅定向凝固速度场数值模拟
- 多晶硅表面陷阱坑形貌的光学性能模拟被引量：2
- 2012年
- 采用COMSOL Multiphysics 3.5a有限元分析软件中的RF模块对3种硅片绒面的陷阱坑形貌(轻度腐蚀、正常腐蚀和过度腐蚀)的光学性能进行了数值模拟.通过求解麦克斯韦方程组和材料本构方程,获得了3种陷阱坑的表面电场z分量、表面磁场y分量和反射率的变化规律.结果表明:当波长为600nm时,轻度腐蚀陷阱坑的表面电场z分量和表面磁场y分量的数值最小,反射率最高(约为35%);正常腐蚀陷阱坑的表面电场z分量和表面磁场y分量其次,反射率约为17%;过度腐蚀陷阱坑的表面电场z分量和表面磁场y分量的数值最大,反射率最低(约为10%).通过实验和模拟结果对比可知,模拟值和试验值的反射率变化趋势基本一致,两者吻合较好,可为实际生产和试验提供理论参考.
- 张发云
- 关键词：多晶硅形貌数值模拟
- 多晶硅定向凝固过程中晶体内热应力场的数值模拟被引量：1
- 2015年
- 通过基于有限元方法的Comsol Multiphysics 4.3a软件模拟了多晶硅定向凝固过程中的热应力场,分析了炉膛内温度梯度,以及坩埚底部不同倒角半径对晶体内热应力的影响。结果表明:多晶硅晶体中存在两个高热应力区,热应力最大值出现在晶体底部边缘,其次为靠近晶体顶部边缘处。当炉腔内温度梯度从3 K/cm增加到6 K/cm时,晶体内热应力的平均值从34.18 MPa增加到了56.75 MPa,热应力的平均值增加了66.03%。随着温度梯度的增加,晶体内热应力平均值增长幅度逐渐减小。当坩埚底部倒角半径从10 mm增加到20 mm时,晶体内热应力的平均值从78.12 MPa减小到了63.25 MPa,热应力的平均值减小了19.03%。随着坩埚底部倒角半径的增加,晶体内热应力平均值减小幅度逐渐降低。
- 罗玉峰宋华伟张发云胡云彭华厦刘杰
- 关键词：多晶硅热应力温度梯度数值模拟
- 磁场应用在硅晶体生长过程中的研究进展被引量：4
- 2013年
- 论述了磁场技术应用于硅晶体生长中的基本概况,探讨了磁场影响硅晶体生长的机制,重点阐述了各种磁场的分类、基本原理及其在硅晶体生长的应用,并归纳总结了国内外磁场应用于硅晶体生长中的研究现状。另外,对硅晶体生长中杂质的分凝行为和数值模拟作了简要介绍,并展望了磁场应用于硅晶体生长的发展前景。
- 张发云罗玉峰李云明王发辉胡云彭华厦
- 关键词：多晶硅磁场数值模拟
- 轴向磁场下多晶硅定向凝固研究被引量：1
- 2018年
- 利用有限元软件COMSOL Multiphysics对多晶硅定向凝固过程进行二维数值模拟,研究轴向磁场对多晶硅定向凝固的影响。模拟结果显示,未加磁场时多晶硅固液界面的等温线是下凹的;当线圈中加以不同的电流进行磁场模拟时,发现轴向磁场能够有效地抑制硅熔体对流,进而影响结晶时的固液界面。随着电流的增大,熔体最大流速减小,最大洛伦兹力也增大。通过试验验证,相同的工艺条件,在磁场作用下相比于没有磁场时硅锭的界面由下凹变得平滑。
- 刘志辉罗玉峰饶森林胡云张发云张发云刘杰
- 关键词：多晶硅定向凝固数值模拟轴向磁场
- 轴向磁场下多晶硅铸造过程的仿真模拟被引量：11
- 2013年
- 利用多物理场耦合分析软件COMSOL Multiphysics4.2对多晶硅铸造过程进行模拟仿真,得到轴向磁场作用下多晶硅定向生长过程中的流场和温度场分布,以及磁场对坩埚内流场和温度场的影响,并分析了磁场作用机理,为磁场在多晶硅生产中的应用提供了参考依据。
- 罗玉峰袁文佳张发云胡云彭华厦
- 关键词：轴向磁场多晶硅数值模拟流场温度场
