国家自然科学基金(51333002)
- 作品数：5 被引量：10H指数：2
- 相关作者：陈彧张斌汪露馨汪诚孙赛更多>>
- 相关机构：华东理工大学中国石油化工集团公司新加坡国立大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家教育部博士点基金中央高校基金更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术更多>>
- 基于配位聚合物框架的微超级电容器被引量：2
- 2020年
- 硅基微型超级电容器(MSCs)是小型电子产品中重要的硅基兼容电源备份。尽管具有巨大的优势,但MSCs需要苛刻的处理条件,当过滤交流电的波纹时,通常表现得像电阻一样。上海交通大学介熵物质研究室庄小东教授和冯新亮教授等报道了一种简便的基于薁基桥联的配位聚合物框架(PiCBA)的MSCs。此类MSCs表现出优异的交流线路滤波性能(120 Hz时的阻抗相位角为-73°),电阻电容时间常数较小,约为0.83 ms。PiCBA具有良好的载流子迁移率(5×10^-3 cm^2/(V·s))、薁基骨架的永久偶极矩和PiCBA的低带隙,由这种材料制备的MSCs可在50 mV/s下实现34.1 F/cm^3的高比电容和1 323 W/cm^3的高体积功率密度。
- 陈彧
- 侧链含三苯胺和3-甲基-1-咪唑鎓盐的新型聚芴功能化材的合成及其可调信息存储性能
- <正>基于聚芴的功能性材料是一类重要的高分子材料,它们具有电荷传输效率高、易加工、成本低、化学和热学性能稳定、机械延展性好、能与传统互补金属氧化物半导体（CMOS）技术兼容等一系列优点[1-3]。根据实际应用需要可以对分...
- 樊菲曹亚明张斌陈彧
- 文献传递
- 高分子忆阻材料的设计、制备和神经突触仿生研究进展被引量：1
- 2016年
- 自从1971年加州大学伯克利分校电子理论家蔡少棠教授提出忆阻器(又称"记忆电阻",第四种电路元件)假设后,引起了材料科学家和固体物理学家的极大的研究兴趣。作为一种在计算机数据存储和神经运行领域具有广泛潜在应用价值的非线性动态电子器件,其影响可以追溯到发明电阻器、电容器、电感器之前。与生物大脑的神经突触类似,忆阻器兼具记忆和逻辑运算的功能。本文综述了近年来高分子忆阻材料的合成和生物神经突触模拟研究进展。利用不同的前、后突触刺激可以模拟神经突触展现的一些诸如短期/长期可塑性(STP/LTP)、尖峰时间相关的可塑性(STDP)、穗率相关塑性(SRDP)和"学习-记忆-遗忘"等基本功能。大量研究结果已经表明:材料体系的电荷转移与传输、分子间弱相互作用、材料分子结构、聚集态结构、薄膜微结构和电输运特性等因素对材料忆阻效应有显著影响。
- 汪诚樊菲张斌陈彧
- 关键词：高分子
- 基于石墨烯的高分子衍生物的合成及其在信息存储中的应用
- <正>基于高分子材料的存储器件因高分子材料本身具有的诸如'结构易于调变或修饰、可溶液加工、存储密度高、制造成本相对低廉'等显著优势而备受青睐,有望为超大规模集成电路的发展、解决信息技术发展过程中面临的摩尔定律极限问题和冯...
- 陈彧张斌曹亚明
- 文献传递
- 基于二噻吩并吡咯/苯并二噻吩的给体-受体型聚合物的合成及其忆阻器性能
- 有机高分子材料在机械柔韧性、延展性以及生物相容性方面具有得天独厚的优势,且其电学性能可以通过丰富的化学结构设计与合成得到有效的调控。因而,可以利用有机高分子功能材料在分子尺度上"定制"忆阻器件(memristor,从而实...
- 汪诚刘钢李润伟汪露馨陈彧
- 文献传递
- 新型二维功能材料及衍生物的设计和制备被引量：5
- 2018年
- 二维功能材料的制备方法常见的有以下几种:(1)机械剥离或液相剥离具有面间弱相互作用、面内强共价键合作用的层状材料生成单层或少数层的二维材料;(2)化学合成方法;(3)Langmuir-Blodgett单分子膜技术法;(4)层层自组装法;(5)化学气相沉积法;(6)分子束外延法和(7)原子层沉积技术法。这些材料及其有机-高分子衍生物具有独特的结构特征和优异的性质,在场效应晶体管、光调制器、锁模和Q开关激光、光限幅、信息和能源存储、射频器件、化学传感器等领域具有重要的潜在应用价值。近年来,除了众所周知的石墨烯外,其他诸如类石墨烯的无机纳米材料(六方氮化硼、过渡金属卤化物、石墨化氮化碳、层状金属氧化物等)、二维聚合物、金属-有机框架、钙钛矿、黑磷等二维材料也被广泛研究或探索。开发或探索更多二维材料应用的关键是设计和制备新颖的二维材料和它们的有机-高分子衍生物。在不久的将来,兼具规模经济和功能行为的二维材料化学的突破将极大地驱动新型二维材料应用领域的拓展。本文综述了二维材料的基本概念、研究进展、亟待解决的关键问题和未来的发展趋势。
- 孙赛张斌汪露馨陈彧
- 侧链含有不同电子受体的聚咔唑衍生物的合成及其WORM型存储性能被引量：1
- 2016年
- 利用Suzuki偶联反应合成了3种侧链含有不同电子受体的可溶性D-A型聚咔唑衍生物：聚[（9-（2-己基葵基）-9 H-咔唑）-（9-（4-硝基苯基）-9 H-咔唑）]（PCz-NO2）、聚[（9-（2-己基葵基）-9 H-咔唑）-（4-（9 H-咔唑-9-基）苯甲醛）]（PCz-CHO）和聚[（9-（2-己基葵基）-9 H-咔唑）-（4-（9 H-咔唑-9-基）苯甲腈）]（PCz-CN）。基于这3种聚合物的存储器件（器件结构：Al（200nm）/高分子（90nm）/氧化铟锡（ITO）均表现出典型的电双稳电子开关效应和非易失性一次写入多次读出（WORM）型存储性能。随着共轭聚合物光学带隙的增加[2.26eV（PCz-NO2）→2.79eV（PCzCHO）→3.20eV（PCz-CN）],相应器件的启动阈值电压逐渐增大（-1.70V→-1.81V→-1.89V）;而电流开关比（ON/OFF）则依次减小（6.63×10^4→4.08×10^4→5.68×10^3）。含氰基的聚咔唑衍生物需要的开启电压最大,展现出来的电流开关比在3种聚合物中则最小。
- 刘柳程庆樊菲张斌陈彧
- 基于石墨烯及其衍生物的信息存储：材料、器件和性能被引量：3
- 2016年
- 石墨烯以其独特的二维结构和高的热导电性、高杨氏模量、高电子/空穴迁移率、高抗拉强度、大的布鲁诺尔-埃米特-特勒表面积和量子霍尔效应等优异性能,备受科研工作者的关注,迅速成为材料、化学、物理和工程领域的热点研究课题。与富勒烯(C_(60)、C_(70))的功能化一样,利用共价键合修饰或非共价键合修饰的方法可以在石墨烯表面或石墨烯体系中引入功能基团或功能组分,制备出种类繁多的具有特殊光、电、磁和生物效应的石墨烯衍生物。以石墨烯作为数据存储介质的分子级别计算已经引发了一场信息技术产业的革命,它能在更小的空间上,使用更少的能源来存储更多的数据信息,有望成为目前基于硅半导体存储技术的潜在替代或补充技术。基于石墨烯的存储器件展现出优良的数据存储性能、器件稳定性和可靠性,为使这类器件具有更好的实际应用前景,人们采用许多技术手段来调控和优化器件性能。本文综述了近年来引起广泛关注的诸如石墨烯、共价修饰的石墨烯、石墨烯基复合材料、石墨烯/无机材料异质结等基于石墨烯及其衍生物的存储器件及相关材料研究进展,以及石墨烯/还原的氧化石墨烯透明电极在存储器件中的应用。探讨了该领域存在的亟待解决的关键基础问题和未来发展方向。
- 孙赛庄小东汪露馨汪诚张斌陈彧
- 关键词：石墨烯信息存储透明电极
- “铃铛”型纳米球的制备及其信息存储性能研究
- 以纳米粒子作为一个可移动的核置于空心壳内,形成的"铃铛"结构的微球具有密度低,比表面积大,多功能性和负载容量大等优点,在催化,控释,光子和电子等新兴的纳米技术领域受到了相当大的关注。国际上已报道一些合成"铃铛"结构微球的...
- 汪露馨汪诚张斌康燕堂陈彧
- 文献传递
