您的位置： 专家智库 > >

国家科技重大专项(2009ZX02305-008)

作品数：1 被引量：6H指数：1
相关作者：王一奇赵博华吕荫学赵发展刘梦新更多>>
相关机构：中国科学院微电子研究所更多>>
发文基金：国家科技重大专项更多>>
相关领域：电子电信更多>>

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇单粒子
  • 1篇亚微米
  • 1篇深亚微米
  • 1篇随机存储器
  • 1篇微米
  • 1篇静态随机存储...
  • 1篇抗辐射
  • 1篇抗辐射加固
  • 1篇检错
  • 1篇存储器

机构

  • 1篇中国科学院微...

作者

  • 1篇韩郑生
  • 1篇刘梦新
  • 1篇赵发展
  • 1篇吕荫学
  • 1篇赵博华
  • 1篇王一奇

传媒

  • 1篇半导体技术

年份

  • 1篇2012
共 1 条 记 录，以下是 1-1
全选 清除 导出
排序方式：
基于RHBD技术的深亚微米抗辐射SRAM电路的研究被引量：6
2012年
研究了目前业内基于抗辐射加固设计(RHBD)技术的静态随机存储器(SRAM)抗辐射加固设计技术,着重探讨了电路级和系统级两种抗辐射加固方式。电路级抗辐射加固方式主要有在存储节点加电容电阻、引入耦合电容、多管存储单元三种抗辐射加固技术;系统级抗辐射加固方式分别是三态冗余(TMR)、一位纠错二位检错(SEC-DED)和二位纠错(DEC)三种纠错方式,并针对各自的优缺点进行分析。通过对相关产品参数的比较,得到采用这些抗辐射加固设计可以使静态随机存储器的软错误率达到1×10-12翻转数/位.天以上,且采用纠检错(EDAC)技术相比其他技术能更有效提高静态随机存储器的抗单粒子辐照性能。
王一奇赵发展刘梦新吕荫学赵博华韩郑生
关键词：静态随机存储器单粒子抗辐射加固
全选 清除 导出
共1页<1>
聚类工具0