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国家教育部博士点基金(20110041120045)

作品数:5 被引量:9H指数:2
相关作者:宋世巍杜国同柳阳梁红伟申人升更多>>
相关机构:大连理工大学吉林大学中国科学院更多>>
发文基金:国家教育部博士点基金国家高技术研究发展计划国家自然科学基金更多>>
相关领域:理学电子电信自动化与计算机技术更多>>

文献类型

  • 5篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电子电信
  • 2篇理学
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 2篇英文
  • 2篇LED
  • 1篇电子能
  • 1篇电子能谱
  • 1篇应力
  • 1篇应力弛豫
  • 1篇应力和
  • 1篇扫描电子显微...
  • 1篇绿光
  • 1篇绿光LED
  • 1篇纳米
  • 1篇纳米纤维
  • 1篇光电子能谱
  • 1篇发光
  • 1篇复合纳米纤维
  • 1篇NIO
  • 1篇SIN
  • 1篇SNO
  • 1篇SNO2
  • 1篇X射线

机构

  • 4篇大连理工大学
  • 4篇吉林大学
  • 3篇中国科学院
  • 1篇浙江水晶光电...

作者

  • 4篇梁红伟
  • 4篇柳阳
  • 4篇杜国同
  • 4篇宋世巍
  • 3篇张克雄
  • 3篇夏晓川
  • 3篇申人升
  • 2篇杨德超
  • 1篇柯昀洁
  • 1篇夏小川
  • 1篇邱宇

传媒

  • 4篇发光学报
  • 1篇Scienc...

年份

  • 4篇2013
  • 1篇2012
5 条 记 录,以下是 1-5
排序方式:
衬底弯曲度对GaN基LED芯片性能的影响
2013年
利用低压MOCVD系统在弯曲度值不同的蓝宝石衬底上生长了GaN基LED外延结构并制作芯片。测量了芯片的主要电学和光学参数,并分析了衬底弯曲度值对芯片性能的影响。分析结果表明:存在弯曲度的衬底预先弛豫了外延层中的部分应力,改善了外延层的质量,从而提高了LED芯片的性能。随着衬底弯曲度值的逐渐增加,下层GaN对有源层中InGaN材料的压应力作用不断减小,导致芯片的主波长逐渐发生蓝移。
杨德超梁红伟邱宇宋世巍申人升柳阳夏晓川俞振南杜国同
关键词:GANLED残余应力
Comparative investigation of three types of ethanol sensor based on NiO-SnO_2 composite nanofibers被引量:5
2012年
NiO-SnO2 composite nanofibers were synthesized via electrospinning techniques and characterized by X-ray diffraction,scanning electron microscopy,transmission electron microscopy,and X-ray photoelectron spectroscopy.Three types of sensor were applied to investigate the sensing properties of these nanofibers.Sensors A were fabricated by mixing the nanofibers with deionized water,and then grinding and coating them on ceramic tubes to form indirect heated gas sensors.Microsensors B(with an area of 600 μm×200 μm) were formed by spinning nanofibers on Si substrates with Pt signal electrodes and Pt heaters.Sensors C were fabricated by spinning nanofibers on plane ceramic substrates(with a large area of 13.4 mm×7 mm) with Ag-Pd signal electrodes only.The operating temperatures of sensors A and B were controlled by adjusting heater currents,and the operating temperatures of sensors C were controlled by adjusting an external temperature control device.Experimental results show that sensors C possess the highest sensing properties,such as high response values(about 42 to 100 μL/L ethanol),quick response/recovery speeds(the response and recovery times were 4 and 7 s,respectively),and excellent consistencies.These phenomena were explained by the retained fiber morphology and suitable sensor area.The presented results can provide some useful information for the design and optimization of one-dimensional nanomaterial-based gas sensors.
SHEN RenShengLI XiangPingXIA XiaoChuanLIANG HongWeiWU GuoGuangLIU YangCHENG ChuanHuiDU GuoTong
关键词:复合纳米纤维SNO2NIOX射线光电子能谱扫描电子显微镜
喷淋头高度对InGaN/GaN量子阱生长的影响被引量:1
2013年
在Aixtron 3×2近耦合喷淋式金属有机化学气相沉积反应室中,调节喷淋头与基座之间的距离,制备了7,13,18,25 mm间距的4个InGaN/GaN量子阱样品。利用原子力显微镜(AFM)、X射线衍射(XRD)对样品表面形貌及界面质量进行了表征。研究表明:随着高度的增加,量子阱的表面粗糙度减少,垒/阱界面陡峭度逐步变差,垒层和阱层厚度及阱层In组分含量减少;增加高度至一定值后,量子阱厚度及In组分趋于稳定。此外,对比垒层和阱层的厚度变化,垒层厚度的变化幅度较阱层更为明显。
柯昀洁梁红伟申人升宋世巍夏晓川柳阳张克雄杜国同
关键词:MOCVDINGAN
低温插入层对绿光LED的发光影响(英文)
2013年
利用MOCVD技术在蓝宝石衬底上外延生长了具有低温插入层结构的绿光LED,研究了具有插入层结构的LED的发光特性。插入层的引入增加了In在量子阱中的并入,并且引起了波长红移。经过分析,认为是In的相分离和极化场带来的红移,且恶化了器件的性能。
宋世巍柳阳梁红伟夏小川张克雄杨德超杜国同
关键词:LED
SiN插入层对GaN外延膜应力和光学质量的影响(英文)被引量:3
2013年
研究了MOCVD系统中原位SiN插入层对GaN薄膜应力和光学性质的影响。采用SiN插入层后,GaN薄膜的裂纹数量大大减少,薄膜所承受的张应力得到了一定的释放。同时,GaN薄膜的缺陷密度降低一倍,晶体质量得到了极大的改善。研究表明,位错密度的降低在GaN薄膜中留存较大的残余应力,补偿了降温过程中所引入的张应力。同样,随着SiN插入层的应用,低温PL谱的半峰宽降低,薄膜光学质量提高。最后研究了PL谱发光峰与应力的关系,得到了一个-13.8的线性系数。
宋世巍梁红伟申人升柳阳张克雄夏晓川杜国同
关键词:SIN应力弛豫
共1页<1>
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