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国家电网公司科技项目(SGR1-WD-71-13-004)

作品数：1 被引量：0H指数：0
相关作者：冯志红蔚翠刘庆彬李佳芦伟立更多>>
相关机构：国网智能电网研究院专用集成电路与系统国家重点实验室更多>>
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相关领域：电子电信更多>>

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇位错
  • 1篇基矢
  • 1篇SIC
  • 1篇BPD
  • 1篇KOH

机构

  • 1篇专用集成电路...
  • 1篇国网智能电网...

作者

  • 1篇芦伟立
  • 1篇李佳
  • 1篇刘庆彬
  • 1篇蔚翠
  • 1篇冯志红

传媒

  • 1篇半导体技术

年份

  • 1篇2013
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
4H-SiC同质外延材料中基矢面位错研究
2013年
在偏向<11-20>晶向8°的半绝缘4H-SiC(0001)面衬底上生长了n型和p型SiC外延材料,在熔融KOH腐蚀液中对外延材料进行腐蚀,使用扫描电子显微镜和光学显微镜对腐蚀后的外延材料进行了测试表征,分析了基矢面位错在SiC外延材料中的转化和延伸理论机制,并讨论了不同导电类型的SiC材料在熔融KOH腐蚀液中的腐蚀机制。结果表明基矢面位错在n型SiC外延材料中更容易得到延伸,而在p型SiC外延材料中转化为刃位错;n型SiC在熔融KOH中的腐蚀,是电化学腐蚀占主导、各向同性的腐蚀过程,而p型SiC表现出各向异性的腐蚀特性。
李佳蔚翠刘庆彬芦伟立冯志红杨霏
关键词：SICKOH
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