江西省教育厅科学技术研究项目(GJJ11625)
- 作品数：8 被引量：13H指数：3
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- 退火温度对Bi_(0.5)Sb_(1.5)Te_3薄膜的微结构及热电性能的影响
- 2011年
- 采用瞬间蒸发技术沉积了厚度为800 nm的P型Bi0.5Sb1.5Te3热电薄膜,并在373 K-573 K进行1小时的真空退火处理。利用X射线衍射(XRD)、场发射扫描电子显微镜(FESEM)和能量散射谱(EDS)分别对薄膜的物相结构、表面形貌以及化学计量比进行表征。研究了退火温度对Bi0.5Sb1.5Te3薄膜的电阻率和Seebeck系数的影响,退火温度从373K增加到473K,Bi0.5Sb1.5Te3薄膜的电阻率和Seebeck系数都随之增加,退火温度从523K增加到573K,薄膜的电阻率和Seebeck系数缓慢下降。当退火温度为473K时,Bi0.5Sb1.5Te3薄膜的电阻率和Seebeck系数分别为2.1 mΩcm和162μV/K,薄膜的热电功率因子最大值为13μW/cmK2。
- 段兴凯江跃珍
- 关键词：退火处理塞贝克系数
- 膜厚对N型Bi_2Te_(2.85)Se_(0.15)薄膜热电性能的影响
- 2011年
- 采用瞬间蒸发技术沉积了N型Bi2Te2.85Se0.15热电薄膜,沉积的薄膜厚度在50~400nm范围之间,并在473K进行1小时的真空退火处理。利用X射线衍射（XRD）、场发射扫描电子显微镜（FE-SEM）和能量散射谱（EDS）分别对薄膜的物相结构、表面形貌以及化学计量比进行表征。XRD分析结果显示,薄膜的主要衍射峰与Bi2Te3和Bi2Se3的标准衍射峰一致,沉积薄膜的最强衍射峰为（015）,退火后,薄膜的最强衍射峰是（006）。采用表面粗糙度测量仪测定薄膜厚度,薄膜的电阻率采用四探针法在室温下进行测量,在室温下对薄膜的Seebeck系数进行表征。测试结果表明,薄膜为N型传导特性。并考察了薄膜厚度对电阻率及Seebeck系数的影响。
- 段兴凯江跃珍
- 关键词：薄膜厚度SEEBECK系数
- 电弧等离子体合成Sb_2Te_3粉末材料的微结构研究被引量：4
- 2011年
- 以单质Sb、Te粉末为原材料,采用直流电弧等离子体蒸发法制备Sb2Te3纳米粉末,当Sb∶Te的原子比为5.5∶4.5时,合成了Sb2Te3纳米粉末。通过XRD、SEM和EDS分析法对Sb2Te3粉末的物相结构、形貌和化学成分进行了表征。结果表明,Sb2Te3粉末的晶格常数为a=4.267 A觷,c=30.469 A觷;Sb2Te3粉末的形貌大部分为六角形片状结构,说明其形貌为单一的Sb2Te3纳米粉末;Sb2Te3纳米粉末中Sb和Te的含量为41.3at%和58.7at%,与Sb2Te3的含量接近。
- 段兴凯江跃珍
- 关键词：热电材料纳米粉末电弧等离子体
- Sn掺杂Bi_2Te_(2.7)Se_(0.3)薄膜材料的微结构及热电性能研究被引量：3
- 2011年
- 采用真空熔炼法合成(Bi1-xSnx)2Te2.7Se0.3合金,再通过热蒸发技术在473K玻璃基体上沉积了厚800 nm的Sn掺杂Bi2Te2.7Se0.3热电薄膜。利用X射线衍射技术对薄膜的相结构进行表征;采用表面粗糙度测量仪测定薄膜厚度;采用四探针法和温差电动势法分别测量薄膜的电阻率和Seebeck系数;采用薄膜的电阻率和Seebeck系数Sn掺杂浓度对(Bi1-xSnx)2Te2.7Se0.3薄膜热电性进行分析。结果表明,Sn掺杂浓度为0.003时,热电功率因子提高到12.8μW/K2.cm;Sn掺杂浓度从0.004增加到0.01,薄膜为P型半导体,热电功率因子减小。
- 江跃珍段兴凯宗崇文侯文龙
- 关键词：真空熔炼热蒸发热电性能
- 退火温度对Bi_2Te_(2.7)Se_(0.3)薄膜的微结构及热电性能的影响被引量：2
- 2011年
- 采用瞬间蒸发技术在温度为473 K的玻璃基体上沉积了厚度为800 nm的N型Bi2Te2.7Se0.3热电薄膜,并在373 K～573 K进行1小时的真空退火处理。利用X射线衍射(XRD)、场发射扫描电子显微镜(FESEM)和能量散射谱(EDS)分别对薄膜的物相结构、表面形貌以及化学计量比进行表征。采用表面粗糙度测量仪测定薄膜厚度,薄膜的电阻率采用四探针法在室温下进行测量,在室温下对薄膜的Seebeck系数进行表征。霍尔系数,电子浓度和迁移率在300 K用Van der Pauw方法进行测量。退火温度为473 K时,电阻率和Seebeck系数分别为2.7 mΩ.cm和?180μV/K,热电功率因子最大值为12μW/cmK2。
- 段兴凯江跃珍宗崇文侯文龙
- 关键词：退火温度热电薄膜热电性能
- Ag掺杂对Bi_2(Te_(0.95)Se_(0.05))_3薄膜热电功率因子的影响被引量：1
- 2011年
- 采用瞬间蒸发技术在温度为473 K的玻璃基体上沉积了厚度为800 nm的Ag掺杂Bi2(Te0.95Se0.05)3热电薄膜。利用X射线衍射(XRD)技术对薄膜的物相结构进行表征,采用表面粗糙度测量仪测定薄膜厚度,薄膜的电阻率采用四探针法在室温下进行测量,在室温下对薄膜的Seebeck系数进行表征。Ag的掺杂浓度为0.2%,热电功率因子提高到16.1 mW/(cm.K2)。Ag掺杂浓度从0.25%增加到0.5%,薄膜为p型半导体,热电功率因子呈减少的趋势。
- 段兴凯江跃珍
- 关键词：热电薄膜掺杂
- 真空电弧等离子体合成(Bi_xSb_(1-x))_2Te_3纳米粉末材料被引量：6
- 2011年
- 以单质B i,Sb和Te粉末为原材料,通过真空电弧等离子体蒸发法合成了(B ixSb1-x)2Te3热电粉末材料。采用X射线衍射(XRD)、能谱分析(EDS),场发射扫描电子显微术(FE-SEM),透射电子显微术(TEM)和选区电子衍射(SAED)分析方法对(B ixSb1-x)2Te3粉末材料的物相结构、成分和形貌进行了表征。XRD图谱的3强衍射峰分别为(015),(1010)和(110),(B ixSb1-x)2Te3纳米粉末的XRD图谱与标准XRD图谱峰(49-1713)相对应,宽化的衍射峰表明了粉末的晶粒具有纳米尺度。能谱定量分析表明B i和Sb的原子百分比分别为18.1%,20.3%,两者原子百分比之和为38.4%,Te的原子百分比是61.6%。场发射扫描电子显微分析表明纳米粉末颗粒尺寸比较均匀,粉末存在团聚现象,大多数粉末都呈椭球形。透射电子显微分析表明(B ixSb1-x)2Te3纳米粉末的平均粒径约为50 nm,粉末呈不规则的多面体结构,还有一些薄片状和棒状的结构,这与B i2Te3基半导体化合物的高度各向异性是一致的。(B ixSb1-x)2Te3纳米粉末的选区电子衍射图表明每一个颗粒是由许多小晶核组成的,证明了颗粒是以纳米尺度生长。由于晶粒取向随机,且晶粒细小引起有许多衍射斑组成的衍射环的宽化,揭示了(B ixSb1-x)2Te3纳米粉末的多晶结构。
- 段兴凯江跃珍
- 关键词：热电材料纳米粉末
- 闪蒸法制备N型Bi_2(Te_(0.95)Se_(0.05))_3薄膜的微结构及热电性能研究被引量：1
- 2011年
- 采用闪蒸法在温度为473 K的玻璃基体上沉积了厚度为800 nm的N型Bi2(Te0.95Se0.05)3热电薄膜,并在373～573 K进行1 h的真空退火处理。利用X射线衍射(XRD)、场发射扫描电子显微镜(FESEM)分别对薄膜的物相结构和表面形貌进行分析。采用表面粗糙度测量仪测定薄膜厚度,薄膜的电阻率采用四探针法进行测量,采用温差电动势法在室温下对薄膜的Seebeck系数进行表征。沉积态薄膜表明了(015)衍射峰为最强峰,退火处理后最强衍射峰为(006);沉积态薄膜由许多纳米晶粒组成,晶粒大小分布较均匀,平均晶粒尺寸大约45 nm,退火处理后出现了斜方六面体的片状晶体结构。退火温度从373 K增加到473 K,薄膜的电阻率和Seebeck系数增加,激活能也随退火温度的增加而增大,退火温度从523 K增加到573 K,薄膜的电阻率和Seebeck系数都缓慢下降。从373～473 K,热电功率因子随退火温度的升高而单调增加,退火温度为473 K时,电阻率和Seebeck系数分别是2.7 mΩ.cm和-180μV.K-1,热电功率因子最大值为12μW.cmK-2。退火温度从523 K增加到573 K,热电功率因子的值逐渐下降。
- 段兴凯江跃珍胡孔刚丁时锋满达虎
- 关键词：闪蒸法
