您的位置: 专家智库 > >

国家自然科学基金(20771032B0101)

作品数:2 被引量:1H指数:1
相关作者:许高斌叶刘晓王鹏陈兴常永嘉更多>>
相关机构:合肥工业大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金安徽省高校省级自然科学研究项目安徽省自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信一般工业技术更多>>

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电子电信
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 1篇电子束蒸发
  • 1篇罩式
  • 1篇晶体管
  • 1篇开关
  • 1篇可重构
  • 1篇功率放大
  • 1篇功率放大器
  • 1篇放大器
  • 1篇背栅
  • 1篇PA
  • 1篇RF_MEM...
  • 1篇MEMS开关
  • 1篇场效应
  • 1篇场效应晶体管
  • 1篇超声分散

机构

  • 2篇合肥工业大学

作者

  • 2篇许高斌
  • 1篇常永嘉
  • 1篇陈兴
  • 1篇叶刘晓
  • 1篇王鹏

传媒

  • 1篇微波学报
  • 1篇微纳电子技术

年份

  • 1篇2010
  • 1篇2008
2 条 记 录,以下是 1-2
排序方式:
基于RF MEMS开关的可重构PA设计被引量:1
2008年
介绍了一种结合MEMS开关实现多频带PA的方法,通过电磁场分析软件对RFMEMS串联开关进行模拟和仿真,在此基础上设计实现了一种双频带PA电路,在所设计的两个频带内,功放都有较高效率及输出功率,这种多频带PA可用于未来多频带应用的移动终端中。
叶刘晓许高斌
关键词:MEMS开关功率放大器
单壁碳纳米管随机网络场效应晶体管
2010年
使用超声分散CVD法合成的商用单壁碳纳米管(SWCNT),利用匀胶机把分散获得的、含有SWCNT的悬浮液均匀旋涂于SiO2/Si基上,利用萌罩式电子束蒸发技术在碳纳米管随机网络薄膜表面制备漏源Au电极。该制备技术避免了碳纳米管器件更多的化学接触,有效确保碳纳米管的纯度。该碳纳米管场效应晶体管器件采用重掺杂Si作为背栅、SWCNT随机网络薄膜为导电沟道。在室温环境下利用Keithley-4200对器件性能进行了测试分析,器件开启电流约为1μA,峰值跨导为326nS。该方法制备的SWCNT随机网络场效应晶体管,具有工艺实现简单、器件性能稳定、重复性和一致性好等特点,并可以用于构建CNT逻辑电路。该技术对于研究低成本、大规模基于CNT的集成电路来说,具有较高的借鉴价值。
许高斌王鹏陈兴常永嘉
关键词:场效应晶体管超声分散背栅
共1页<1>
聚类工具0