您的位置： 专家智库 > >

国家重点实验室开放基金(60371028)

作品数：1 被引量：2H指数：1
相关作者：鲍军波顾豪爽李兴教袁润章庄严更多>>
相关机构：华中科技大学广州通信研究所武汉理工大学更多>>
发文基金：国家重点实验室开放基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇电性质
  • 1篇钛酸
  • 1篇钛酸锶
  • 1篇介电性质
  • 1篇铌
  • 1篇I-V特性

机构

  • 1篇华中科技大学
  • 1篇湖北大学
  • 1篇武汉理工大学
  • 1篇广州通信研究...

作者

  • 1篇庄严
  • 1篇袁润章
  • 1篇李兴教
  • 1篇顾豪爽
  • 1篇鲍军波

传媒

  • 1篇压电与声光

年份

  • 1篇2006
共 1 条 记 录，以下是 1-1
全选 清除 导出
排序方式：
钛酸锶铌基高介变阻器陶瓷的制备与表征被引量：2
2006年
采用铌掺杂的方法制备钛酸锶（STO）粉末，烧成钛酸锶基变阻器陶瓷。经电流-电压（I-V）特性和介电特性测试表明，多种掺杂的Nb-STO具有优异的性能，其介电常数很大，有良好的介电温度系数和频率系数，介电损耗小，压敏电压低，非线性系数大。全面给出了压敏电阻的9项指标，并与文献中的数值进行了比较。εeff高达（4～9）×10^5，具有良好的介电温度系数（｜αs｜〈0．3％）、频率系数（fr〈12％）和电压温度系数（｜k｜=0．2％）；介电损耗小（tanδ〈1％）；非线性系数大（α=4～10）；电流密度为1mA时的场强（E1 mA）值很低（0．3～2．9V／mm）；电压系数小于10％。
李兴教鲍军波李少平庄严顾豪爽袁润章
关键词：I-V特性介电性质
全选 清除 导出
共1页<1>
聚类工具0