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河南省科技计划项目(082300410050)

作品数:6 被引量:35H指数:2
相关作者:余本海王林陈长春刘江锋郭建涛更多>>
相关机构:信阳师范学院电子工程学院更多>>
发文基金:河南省科技计划项目博士科研启动基金河南省高等学校青年骨干教师资助计划项目更多>>
相关领域:电子电信理学一般工业技术更多>>

文献类型

  • 6篇中文期刊文章

领域

  • 4篇电子电信
  • 1篇一般工业技术
  • 1篇理学

主题

  • 2篇X射线
  • 2篇MOCVD
  • 1篇电离
  • 1篇电子关联
  • 1篇电子谱
  • 1篇淀积
  • 1篇信号
  • 1篇信号处理
  • 1篇衍射
  • 1篇原子
  • 1篇散射
  • 1篇数字信号
  • 1篇数字信号处理
  • 1篇数字信号处理...
  • 1篇双电离
  • 1篇碳纳米管
  • 1篇频谱
  • 1篇频谱分析
  • 1篇气相淀积
  • 1篇氩原子

机构

  • 5篇信阳师范学院
  • 1篇电子工程学院

作者

  • 5篇余本海
  • 3篇陈长春
  • 3篇王林
  • 2篇刘江锋
  • 1篇刘江峰
  • 1篇冯明海
  • 1篇汤清彬
  • 1篇耿晓菊
  • 1篇陈东
  • 1篇张东玲
  • 1篇郭建涛

传媒

  • 1篇物理学报
  • 1篇信阳师范学院...
  • 1篇核技术
  • 1篇材料导报
  • 1篇电气电子教学...
  • 1篇微纳电子技术

年份

  • 2篇2011
  • 3篇2010
  • 1篇2009
6 条 记 录,以下是 1-6
排序方式:
MOCVD制备的氮化铪薄膜结构特性研究被引量:2
2010年
以热氧化的p型硅(SiO2/Si)为衬底,运用金属有机化学气相淀积(MOCVD)技术以铪基金属有机源和高纯氨为反应气体在其上淀积HfNx薄膜样品。薄膜结构信息用RBS技术、XRD技术及X射线反射率(XRR)计等来表征。实验结果表明,HfNx薄膜中N与Hf原子组分比为1.15;薄膜为多晶薄膜且沿(111)方向择优生长;薄膜表面平整,与衬底界面粗糙度小。
陈长春刘江锋余本海王林
关键词:金属有机化学气相沉积卢瑟福背散射X射线衍射技术
碰撞阈值下氩原子非次序双电离被引量:1
2011年
利用三维经典系综模型研究了碰撞阈值下氩原子的非次序双电离.计算结果表明,关联电子末态纵向动量主要分布在二、四象限,且在原点附近几乎没有分布;Ar2+离子末态纵向动量谱在零动量附近呈单峰结构.上述结果与实验结果[Phys.Rev.Lett.101053001(2008)]定量一致.轨迹分析表明,在碰撞阈值下,氩原子非次序双电离的微观物理机理在不同激光强度下是不相同的.当激光强度I=0.7×1014W/cm2时,一次碰撞主导重碰撞过程.而当I=0.4×1014W/cm2时,多次碰撞占主导.另外,离子与电子之间的库仑引力,在氩原子非次序双电离过程中具有重要的作用,对电子的微观动力学行为有很大的影响,并最终影响关联电子末态动量分布.
张东玲汤清彬余本海陈东
关键词:电子关联
碳纳米管生长机理研究现状及固-液界面生长模型探索被引量:1
2009年
分析讨论了电弧法、激光蒸发法、CVD法制备碳纳米管的生长模型,结合催化剂的熔点,尝试性提出了CVD法制备碳纳米管的固-液界面生长模型.
耿晓菊冯明海左刚武余本海
关键词:碳纳米管催化剂
“数字信号处理”课程的Matlab教学研究被引量:30
2010年
"数字信号处理"是一门理论理论性和实践性都很强的课程,针对教学过程中出现的学生对知识点理解困难、学习枯燥无味、教学效果差等问题,本文将Matlab软件引入课堂教学过程中,给出了利用DFT做连续信号频谱分析的实例,将抽象的概念、枯燥的公式、复杂的物理现象用图形化演示直观地表示出来,使学生直观地领会、深入地理解数字信号处理的理论知识和分析设计方法,提高了教学质量。
郭建涛
关键词:数字信号处理教学改革频谱分析
Si基稀土Er_2O_3薄膜材料特性及制备研究进展
2011年
Si基Er2O3薄膜材料具有带隙宽、k值高等特点,在微电子和光电子领域具有潜在的应用价值。首先,阐述了Si基Er2O3薄膜材料的晶体结构具有多态现象,而立方晶形的Er2O3具有方铁锰矿立方结构,易制成高度择优取向的薄膜甚至单晶膜。其次,介绍了利用X射线光电子谱(XPS)技术确定Er2O3和Si两种材料的价带和导带偏移及采用光电子谱来确定高k介质材料能带带隙。此外,还介绍了Si基Er2O3薄膜材料光学常数的测试方法及其光谱转换特性,可用于太阳光伏电池。最后,着重介绍了国内外Si基Er2O3薄膜材料制备方面的最新研究进展,并指出金属有机物化学气相淀积(MOCVD)是未来产业化制备Si基Er2O3薄膜材料的理想选择。
陈长春刘江峰余本海王林
关键词:光学常数
硅表面纳米图案化制作技术的研究进展被引量:1
2010年
Si材料表面形成纳米化图案是制作新型硅基纳米电子器件、光电子器件等的基础和前提。根据不同需要,在纳米图案化Si衬底表面淀积不同功能纳米材料则能将成熟Si平面工艺技术的优势与纳米材料的新功能优势结合起来而制作出性能优良的Si基纳电子和光电子器件。介绍了具有纳米图案化表面Si材料在晶格失配较大Ⅲ-Ⅴ族材料外延制备上的应用,综述了各种Si衬底材料表面纳米图案化制作技术。
陈长春余本海刘江锋王林
关键词:硅材料
共1页<1>
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