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北京市科技计划项目(H010410050111)

作品数：1 被引量：1H指数：1
相关作者：雷跃刚王霈文李弢古宏伟更多>>
相关机构：北京有色金属研究总院更多>>
发文基金：北京市科技计划项目更多>>
相关领域：一般工业技术更多>>

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇一般工业技术

主题

  • 1篇蓝宝
  • 1篇蓝宝石
  • 1篇蓝宝石衬底
  • 1篇缓冲层
  • 1篇溅射
  • 1篇反应溅射
  • 1篇CEO
  • 1篇衬底

机构

  • 1篇北京有色金属...

作者

  • 1篇古宏伟
  • 1篇李弢
  • 1篇王霈文
  • 1篇雷跃刚

传媒

  • 1篇稀有金属

年份

  • 1篇2007
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
反应溅射法在蓝宝石衬底上制备CeO_2缓冲层被引量：1
2007年
用金属铈作为靶材,采用射频反应磁控溅射法在(1 102)蓝宝石衬底上制备C轴取向CeO2外延薄膜缓冲层。结果表明在温度低于450℃或溅射功率低于50 W的条件下CeO2薄膜呈(111)取向生长;升高温度和功率CeO2薄膜的(111)取向减弱,(002)取向增强;在温度高于750℃或溅射功率高于120 W条件下CeO2薄膜呈(111)取向和(002)取向混合生长。结合X射线衍射仪和原子力显微镜表征CeO2薄膜的结构和表面形貌,获得在最优化条件下(衬底温度在680℃左右,溅射功率在80 W左右,溅射气压在25 Pa,氩氧比在15∶1)制备的CeO2薄膜具有优良的面内面外取向和平整的表面。
雷跃刚王霈文李弢古宏伟
关键词：反应溅射蓝宝石
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