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国家重点基础研究发展计划(2012CB933503)

作品数:10 被引量:58H指数:4
相关作者:陈松岩李成王尘赖虹凯黄巍更多>>
相关机构:厦门大学中国科学院闽江学院更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域:电子电信理学电气工程一般工业技术更多>>

文献类型

  • 10篇中文期刊文章

领域

  • 5篇电子电信
  • 3篇理学
  • 1篇电气工程
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 3篇探测器
  • 3篇光电
  • 3篇光电探测
  • 3篇光电探测器
  • 3篇PHOTOD...
  • 2篇电阻
  • 2篇硅基
  • 1篇电器件
  • 1篇调制
  • 1篇调制器
  • 1篇施主
  • 1篇石墨
  • 1篇石墨烯
  • 1篇受主
  • 1篇欧姆接触
  • 1篇接触电阻
  • 1篇接触电阻率
  • 1篇金属
  • 1篇化学气相
  • 1篇化学气相沉积

机构

  • 4篇厦门大学
  • 2篇中国科学院
  • 1篇华侨大学
  • 1篇闽江学院

作者

  • 4篇李成
  • 4篇陈松岩
  • 3篇黄巍
  • 3篇赖虹凯
  • 3篇王尘
  • 2篇严光明
  • 2篇韩勤
  • 2篇杨晓红
  • 2篇尹伟红
  • 1篇汪建元
  • 1篇周笔
  • 1篇王加贤
  • 1篇汤梦饶
  • 1篇潘书万
  • 1篇刘冠洲
  • 1篇吕倩倩
  • 1篇卢卫芳
  • 1篇黄诗浩
  • 1篇吴政
  • 1篇崔荣

传媒

  • 5篇物理学报
  • 3篇Chines...
  • 1篇Journa...
  • 1篇激光与光电子...

年份

  • 2篇2015
  • 2篇2014
  • 3篇2013
  • 3篇2012
10 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
基于石墨烯的半导体光电器件研究进展被引量:38
2012年
石墨烯自从被发现以来,由于其零带隙、低电导率、常温下的高电子迁移率及量子霍尔效应和独特的光吸收等优良特性,引发了世界各国科研人员的重视,研究人员对其物理性质及应用的研究越来越多并且进展迅速.本文以光纤通信用光电器件中的探测器、调制器为主,综述了石墨烯在光电探测器、调制器以及超快锁模激光器和用于发光二级管、触摸屏透明导电薄膜等方面的应用.
尹伟红韩勤杨晓红
关键词:石墨烯光电探测器调制器半导体光电器件
SOI波导与InGaAs/InP光电探测器的集成被引量:4
2014年
成熟的CMOS技术可制备无源光学器件,但高效光源和高性能光探测仍需要III^V族半导体材料。综述了近期III^V族外延片与SOI(silicon-on-insulator)波导集成的键合技术,按键合材料的不同分为无机和有机材料键合。着重分析了各种InGaAs/InP光电探测器与SOI波导集成的光耦合方案,并对其优缺点进行对比。同时给出设计的一种倏逝波耦合的InGaAs/InP光电探测器,用时域有限差分(FDTD)法对器件光学特性进行了模拟,以SOI上有机键合的方式,获得95%的探测器吸收效率,表明该SOI波导集成的光电探测器可实现小体积、低损耗及高响应度的光探测,符合片上光互连系统的要求。
崔荣杨晓红吕倩倩尹冬冬尹伟红李彬韩勤
关键词:探测器键合技术
Gate-dependent photoresponse in self-assembled graphene p–n junctions
2015年
The intrinsic photocurrent generation mechanism of a self-assembled graphene p-n junction operating at 1.55 ~tm is investigated experimentally. It is concluded that both a photovoltage effect and a photothermoelectric effect contribute to the final photocurrent. The photocurrent signal at the p-n junction was found to be dominated by photothermoelectric current, arising from different self-assembled doping levels.
尹伟红王玉冰韩勤杨晓红
关键词:GRAPHENEPHOTODETECTORPHOTOVOLTAGE
A high-speed avalanche photodiode被引量:1
2014年
High-speed avalanche photodiodes are widely used in optical communication systems. Nowadays, separate absorption charge and multiplication structure is widely adopted. In this article, a structure with higher speed than separate absorption charge and multiplication structure is reported. Besides the traditional absorption layer, charge layer and multiplication layer, this structure introduces an additional charge layer and transit layer and thus can be referred to as separate absorption, charge, multiplication, charge and transit structure. The introduction of the new charge layer and transit layer brings additional freedom in device structure design. The benefit of this structure is that the carrier transit time and device capacitance can be reduced independently, thus the 3 dB bandwidth could be improved by more than 50% in contrast to the separate absorption charge and multiplication structure with the same size.
李彬杨晓红尹伟红吕倩倩崔荣韩勤
关键词:PHOTODETECTOR
Design and fabrication of a high-performance evanescently coupled waveguide photodetector被引量:1
2013年
In this paper, we present the design, fabrication, and measurement of an evanescently coupled waveguide photode- tector operating at 1.55 gm, which mainly comprises a diluted waveguide, a single-mode rib waveguide and a p-i-n photodiode with an extended optical matching layer. The optical characteristics of this structure are studied by using a three-dimensional finite-difference time-domain (3D FDTD) method. The photodetector exhibits a high 3-dB bandwidth of more than 35 GHz and a responsivity of 0.291 A/W at 1550 nm directly coupled with a cleaved fiber. Moreover, a linear response of more than 72-mW optical power is achieved, where a photocurrent of more than 21 mA is obtained at a reverse bias voltage of 3 V.
刘少卿杨晓红刘宇李彬韩勤
关键词:HIGH-PERFORMANCE
Wet thermal annealing effect on TaN/HfO_2/Ge metal-oxide-semiconductor capacitors with and without a GeO_2 passivation layer被引量:3
2012年
Wet thermal annealing effects on the properties of TaN/HfO2/Ge metal-oxide-semiconductor (MOS) structures with and without a GeO2 passivation layer are investigated. The physical and the electrical properties are characterized by X-ray photoemission spectroscopy, high-resolution transmission electron microscopy, capacitance-voltage (C-V) and current-voltage characteristics. It is demonstrated that wet thermal annealing at relatively higher temperature such as 550 ℃ can lead to Ge incorporation in HfO2 and the partial crystallization of HfO2, which should be responsible for the serious degradation of the electrical characteristics of the TaN/HfO2/Ge MOS capacitors. However, wet thermal annealing at 400 ℃ can decrease the GeOx interlayer thickness at the HfO2/Ge interface, resulting in a significant reduction of the interface states and a smaller effective oxide thickness, along with the introduction of a positive charge in the dielectrics due to the hydrolyzable property of GeOx in the wet ambient. The pre-growth of a thin GeO2 passivation layer can effectively suppress the interface states and improve the C V characteristics for the as-prepared HfO2 gated Ge MOS capacitors, but it also dissembles the benefits of wet thermal annealing to a certain extent.
刘冠洲李成路长宝唐锐钒汤梦饶吴政杨旭黄巍赖虹凯陈松岩
金属与半导体Ge欧姆接触制备、性质及其机理分析被引量:2
2013年
金属与Ge材料接触时界面处存在着强烈的费米钉扎效应,尤其与n型Ge形成的欧姆接触的比接触电阻率高,是制约Si基Ge器件性能的关键因素之一.本文对比了分别采用金属Al和Ni与Si衬底上外延生长的p型Ge和n型Ge材料的接触特性.发现在相同的较高掺杂条件下,NiGe与n型Ge可形成良好的欧姆接触,其比接触电阻率较Al接触降低了一个数量级,掺P浓度为2×1019cm-3时达到1.43×10-5·cm2.NiGe与p型Ge接触和Al接触的比接触电阻率相当,掺B浓度为4.2×1018cm-3时达到1.68×10-5·cm2.NiGe与n型Ge接触和Al电极相比较,在形成NiGe过程中,P杂质在界面处的偏析是其接触电阻率降低的主要原因.采用NiGe作为Ge的接触电极在目前是合适的选择.
严光明李成汤梦饶黄诗浩王尘卢卫芳黄巍赖虹凯陈松岩
关键词:比接触电阻率
硅基硒纳米颗粒的发光特性研究
2013年
由于尺寸缩小引起的量子效应,硒(Se)材料的低维纳米结构具有更高的光响应和低的阈值激射等特性,因此成为纳米电子与纳米光电子器件领域一个重要的研究方向.本文通过对非晶硒薄膜的快速热退火来制备硒纳米颗粒,退火温度在100—180 C之间时,结晶后的硒纳米颗粒均为三角晶体结构,其颗粒尺寸随退火温度的增加而线性增大.光致发光谱测试发现三个发光峰,分别位于1.4 eV,1.7 eV和1.83 eV.研究发现位于1.4 eV处的发光峰来源于非晶硒缺陷发光,位于1.83 eV处的发光峰来源于晶体硒的带带跃迁发光;而位于1.7 eV处的发光峰强度随激发功率增强而指数增大,且向短波长移动,该发光峰应该来源于非晶硒与硒纳米颗粒界面处的施主-受主对复合发光.
潘书万陈松岩周笔黄巍李成赖虹凯王加贤
关键词:硅基光致发光
采用Al/TaN叠层电极提高Si基Ge PIN光电探测器的性能被引量:4
2012年
金属与Ge材料接触由于存在强烈的费米钉扎效应,导致金属电极与n型Ge接触引入较大的接触电阻,限制了Si基Ge探测器响应带宽.本文报道了在SOI衬底上外延Ge单晶薄膜并制备了不同台面尺度的Ge PIN光电探测器.对比了电极分别为金属Al和Al/TaN叠层的具有相同器件结构的SOI基Ge PIN光电探测器的暗电流、响应度以及响应带宽等参数.发现在Al与Ge之间增加一薄层TaN可有效减小n型Ge的接触电阻,将台面直径为24μm的探测器在1.55μm的波长和-1 V偏压下的3 dB响应带宽提高了4倍.同时,器件暗电流减小一个数量级,而响应度提高了2倍.结果表明,采用TaN薄层制作金属与Ge接触电极,可有效钝化金属与Ge界面,减轻费米钉扎效应,降低金属与n-Ge接触的势垒高度,因而减小接触电阻和界面复合电流,提高探测器的光电性能.
吴政王尘严光明刘冠洲李成黄巍赖虹凯陈松岩
关键词:接触电阻PIN光电探测器高频特性
硅基锗薄膜选区外延生长研究被引量:5
2015年
利用超高真空化学气相沉积系统,基于低温Ge缓冲层和选区外延技术,在Si/Si O2图形衬底上选择性外延生长Ge薄膜.采用X射线衍射、扫描电镜、原子力显微镜、拉曼散射光谱等表征了其晶体质量和应变等参数随图形尺寸的变化规律.测试结果显示,位错密度随着图形衬底外延窗口的尺寸减小而减少,Ge层中的张应变随窗口尺寸的增大先增大而后趋于稳定.其原因是选区外延Ge在图形边界形成了(113)面,减小了材料系统的应变能,而单位体积应变能随窗口尺寸的增加而减少;选区外延厚度为380 nm的Ge薄膜X射线衍射曲线半高宽为678′′,表面粗糙度为0.2 nm,表明选区生长的Ge材料具有良好的晶体质量,有望应用于Si基光电集成.
汪建元王尘李成陈松岩
关键词:超高真空化学气相沉积
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