河南省基础与前沿技术研究计划项目(112300410261)
- 作品数：2 被引量：0H指数：0
- 相关作者：徐进霞高海燕李聪许磊张天杰更多>>
- 相关机构：华北水利水电学院武汉东湖学院河南农业大学更多>>
- 发文基金：河南省基础与前沿技术研究计划项目河南省教育厅自然科学基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信机械工程更多>>
- 重空穴轻空穴共同作用下GaN柱形量子点的Franz-Keldysh振荡
- 2012年
- 利用包络函数和有效质量理论计算了GaN柱形量子点的电调制反射谱,并用Airy函数表示其柱坐标下薛定谔方程的解.着重分析了重空穴轻空穴共同作用下的GaN柱形量子点电调制反射谱的Franz-Keldysh振荡,并比较了与重空穴、轻空穴单独作用下波形的不同.随着调制电压逐渐增大,重空穴轻空穴共同作用下的电调制反射谱与其单独作用时一样出现Stark频移,即量子限制Stark频移.
- 高海燕李聪张天杰袁超
- 关键词：量子点
- Ni^+离子注入AlN薄膜的磁性研究
- 2011年
- 用40kV的Ni^+离子在室温下对玻璃衬底上生长的AlN薄膜进行离子注入,注入剂量为5.0×10^(16)ions/cm^2,在N_2气氛下分别经400℃,600℃退火1h后,用超导量子干涉仪分析样品磁学特性.结果表明,Ni注入AlN薄膜未退火样品显示铁磁性;经400℃退火后铁磁性增强,居里温度大于室温;经600℃退火后样品铁磁性消失显示为顺磁性.结合透射电子显微镜对注入样品进行微结构研究,揭示Ni注入是进行AlN磁性掺杂的有效手段.在Ni注入AlN制备得到的稀磁半导体中,Ni和相邻的N之间的p-d杂化被认为是Ni注入(Al,Ni)N体系中磁性起源机制.
- 徐进霞许磊刘雅娴
- 关键词：ALN稀磁半导体离子注入超导量子干涉仪
