科技型中小企业技术创新基金(09C26214201910)
- 作品数：2 被引量：11H指数：2
- 相关作者：姜胜林张光祖翁俊梅黄国贤郭立更多>>
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- 相关领域：一般工业技术电气工程电子电信更多>>
- Zn_2SiO_4掺杂对氧化锌压敏电阻性能的影响被引量：9
- 2011年
- 采用普通陶瓷工艺制备了Zn2SiO4掺杂的氧化锌压敏电阻,研究了Zn2SiO4掺杂量对氧化锌压敏电阻的致密度,晶粒微观结构,小电流性能和通流能力的影响。结果表明:当Zn2SiO4掺杂量达到0.75%(摩尔分数)时,氧化锌压敏电阻晶粒致密均匀;电学性能得到改善,压敏电压梯度和非线性系数分别高达438 V/mm和85,漏电流为0.15μA,样品在耐受5 kA电流下的8/20μs脉冲电流波后,残压比和压敏电压变化率分别为2.0和4.0%。
- 黄国贤姜胜林郭立张光祖翁俊梅
- 关键词：氧化锌压敏电阻晶粒电学性能
- Bi_2O_3和Sb_2O_3的预复合对ZnO压敏电阻性能的影响被引量：3
- 2012年
- 采用固相法对Bi2O3和Sb2O3进行了预复合,并研究了不同比例的Bi2O3与Sb2O3预复合对ZnO压敏电阻致密度,晶粒结构和电学性能的影响。结果表明:当Bi2O3与Sb2O3的摩尔比为0.7:1.0时,ZnO压敏电阻的综合性能最优,其晶粒生长得最为均匀致密,电位梯度达到361V/mm,非线性系数为86,漏电流密度为7×10–8A/cm2;另外,在耐受5kA电流下的8/20μs脉冲电流波后,其残压比和压敏电压变化率分别为2.6和2.5%。
- 翁俊梅姜胜林许毓春张光祖
- 关键词：ZNO压敏电阻微观结构电学性能
