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中国科学院知识创新工程重要方向项目(084N541121)

作品数:2 被引量:6H指数:1
相关作者:王玉琦郭浩民肖正国史同飞曾雪松更多>>
相关机构:中国科学院更多>>
发文基金:中国科学院知识创新工程重要方向项目更多>>
相关领域:理学电气工程更多>>

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 2篇理学
  • 1篇电气工程

主题

  • 1篇导体
  • 1篇电池
  • 1篇太阳能电池
  • 1篇透明导电
  • 1篇稀磁半导体
  • 1篇聚合物太阳能...
  • 1篇半导体
  • 1篇NIO
  • 1篇X射线吸收谱
  • 1篇GA
  • 1篇MN
  • 1篇AS

机构

  • 2篇中国科学院

作者

  • 2篇史同飞
  • 2篇肖正国
  • 2篇郭浩民
  • 2篇王玉琦
  • 1篇赵志飞
  • 1篇乔媛媛
  • 1篇曹先存
  • 1篇曾雪松

传媒

  • 2篇物理学报

年份

  • 1篇2012
  • 1篇2011
2 条 记 录,以下是 1-2
排序方式:
X射线吸收谱对Ga_(0.946)Mn_(0.054)As薄膜中缺陷的研究
2011年
采用低温分子束外延法(LT-MBE)制备出Ga0.946Mn0.054As稀磁半导体(DMS)薄膜.通过X射线吸收谱(XAS)研究影响Ga0.946Mn0.054As薄膜性质的主要缺陷Mn间隙原子(MnI)和As反位原子(AsGa).实验结果表明,在较低生长温度(TS=200℃)下Ga0.946Mn0.054As晶格中缺陷分布以As反位原子(AsGa)为主;较高生长温度(TS>230℃)时样品中主要缺陷是Mn间隙(MnI)原子.同时,在较高低温退火温度(250℃)下可以使样品内部MnI向表面大量析出,减少反铁磁相,达到最高居里温度(130K).XAS结果还表明,退火可以使得表面的AsGa缺陷脱附,驱动周围的MnI原子填补AsGa缺陷留下的空位,提高MnGa原子浓度.
乔媛媛肖正国曹先存郭浩民史同飞王玉琦
关键词:X射线吸收谱
NiO透明导电薄膜的制备及在聚合物太阳能电池中的应用被引量:6
2012年
采用磁控溅射法制备出透明导电氧化物NiO薄膜.椭偏(SE)测试表明NiO薄膜在可见光区域透光性良好,通过调节生长、退火温度可调控NiO的折射率.采用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)手段研究表明,通过退火、改变衬底温度等,可有效改变Ni薄膜的晶体结构以及表面形貌,实现对NiO导电性的调控.采用优化后的NiO材料为阳极阻挡层制备出的聚合物太阳能电池器件的效率为2.26%,是同等条件下采用PEDOT:PSS阻挡层的电池器件的3倍以上.
肖正国曾雪松郭浩民赵志飞史同飞王玉琦
关键词:聚合物太阳能电池
共1页<1>
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